LED基础知识及恒流恒压电路汇总.pdfpdf,LED基础知识及恒流恒压电路汇总.pdfLED的效率提升得很快:目前大功率白光平均光输出为60~80流明每瓦(lmW),2008年底有 望达到120lmW。LED的长寿命让固态照明非常有吸引力。机械上SSL也比白炽灯和荧光灯 更坚固。目前固态照明还未能实现家用,因为丕需要电源转换,而且比较昂贵,尽管成本正 在下降。闪光LED日前已经广泛应用了。 白炽灯泡丰常便宜,但效率也很低,家用钨丝灯为6Im/W,卤素灯大约为22lmW。荧光 灯效率很高,50到

GaN材料的特性与应用2005-4-4 20:20:03 王平 1前言 GaN材料的研究与应用是目前全球半导体研究的前沿和热点，是研制微电子器件、光电子器件的新型半导体材料，并与SiC、金刚石等半导体材料一起，被誉为是继第一代Ge、Si半导体材料、第二代GaAs、InP化合物半导体材料之后的第三代半导体材料。它具有宽的直接带隙、强的原子键、高的热导率、化学稳定性好（几乎不被任何酸腐蚀）等性质和强的抗辐照能力，在光电子、高温大功率器件和高频微波器件应用方面有着广阔的前景.表1钎锌矿GaN和闪锌矿G

漏电流问题限制了传统半绝缘氮化镓光电导开关的高压应用。本文提出在半绝缘GaN∶Fe衬底（激光触发区）上增加n型外延层并在其中构造垂直双扩散场效应晶体管元胞阵列（电触发区），即在传统纵向光电导开关结构上引入了一个由栅压控制的反向pn结，利用空间电荷区对载流子的耗尽作用降低半绝缘材料漏电流。其器件建模仿真显示，电、光触发区能合理分担10 kV外加偏置电压，器件漏电流低于相同电场偏置强度下的传统光电导开关两个数量级，而且在绝缘栅开通过程中电触发区偏压能快速转移到光触发区，使光触发区在更高的动态偏置电场

III族氮化物材料系统具有一些独特的特性，例如从红外到深紫外的大光谱覆盖，宽能带隙，高电子饱和速度，高电击穿场和强极化效应，这使得大家族具有非常大的优势。从光电到电力电子领域的广泛应用范围。 此外，由于在基于硅的集成电路的平台上具有成本效益的器件制造，因此在大尺寸硅衬底上成功地生长与GaN有关的III族氮化物材料使得上述应用易于实现商业化。 本文总结了在硅衬底上生长的GaN基材料和发光二极管的进展和发展，其中综述了有关材料生长和器件制造的一些关键问题。