设计了一种InGaAs/InAlAs雪崩光电二极管（APD），并利用MEDICI软件进行了模拟仿真。器件采用背入射探测方式。雪崩增益区采用埋层设计，省略了保护环等结构；并使用双层掺杂，有效降低了增益区电场的梯度变化。由于结构简单，因此仅需要利用分子束外延(MBE)生长精确控制每层结构即可。由于InAlAs材料的空穴与电子的离化率有较大的差异，因此器件具有较低的噪声因子。