通过溶胶-凝胶法在LaNiO3涂层的硅和Pt / TiO2 / SiO2 / Si衬底上制备CaCu3Ti4O12（CCTO）薄膜。 与Pt上的薄膜相比，LaNiO3上的CCTO表现出（400）取向。 LaNiO3上CCTO的介电损耗在100 Hz-10 kHz内低于0.25，低于通过脉冲激光沉积在Pt / TiO2 / SiO2 / Si上生长的CCTO的报道值。 可能的原因是LaNiO3充当CCTO生长的种子层。 CCTO的结晶度得到改善，介电性能得到增强。 根据晶界势垒层电容模型，讨论了C