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  1. 富士通宣布批量提供2Mbit的铁电存储器IC

  2. 富士通微电子（上海）有限公司今天宣布可提供富士通微电子2兆位（Mbit）的FRAM存储芯片，这是世界上批量生产的最大容量FRAM。富士通MB85R2001和MB5R2002非易失性存储器具有高速数据写入、低功耗并可提供大量写周期等特征。它们是汽车导航系统、多功能打印机、测量仪表及其它使用非易失性存储器来存储各种参数、记录设备操作条件并安全保存信息的高端设备的理想选择。 　　FRAM的高速数据写入和大量可用写周期使得其可以作在办公设备中存储计数或参数、记录各种事项之用。FRAM有100亿个读/

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-12-01
    • 文件大小：50176
    • 提供者：weixin_38590355

  1. 通信与网络中的音频编码标准发展现状及发展趋势

  2. 一、概述 　　音频信号数字化之后所面临的一个问题是巨大的数据量，这为存储和传输带来了压力。例如，对于CD音质的数字音频，所用的采样频率为44.1 kHz，量化精度为16bit；采用双声道立体声时，其数码率约为1.41 Mbit/s；1秒的CD立体声信号需要约176.4KB的存储空间。因此，为了降低传输或存储的费用，就必须对数字音频信号进行编码压缩。到目前为止，音频信号经压缩后的数码率降低到32至256kbit/s，语音低至8kbit/s以下，个别甚至到2kbit/s。 　　为使编码后的音频信

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-30
    • 文件大小：70656
    • 提供者：weixin_38553791

  1. 意法发布70nm工艺NAND闪存进入NAND闪存技术的先进行列

  2. 意法半导体日前宣布，该公司采用70nm制造工艺的NAND闪存产品已全线上市。512-Mbit(小页)和1/2/4/8-Gbit(大页)闪存升级到ST的70nm制造工艺，使该系列产品进入NAND闪存技术的先进行列，升级后的产品价格低廉，功耗更小。 　　高密度的存储器芯片为各种计算机和消费电子应用产品提供海量数据存储功能，例如，数码相机、PDA、GPS导航系统、闪存卡和U盘、打印机、机顶盒(STB)、数字电视机、汽车多媒体系统和多媒体手机。 　　该系列全部产品都具有速度极快的数据传输和擦除功能。该系

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-29
    • 文件大小：119808
    • 提供者：weixin_38661939

  1. ST新串行快闪记忆体可抹除页面功能

  2. ST 日前宣布推出可抹除页面M25PE 系列串行快闪记忆体产品，新增加的一个拥有 4-Kbyte区块的16-Mbit 记忆体晶片，适用于PC BIOS 以及光碟机、数位录音机、网路产品以及机上盒(STB)等消费电子储存等。此为ST所推出的第一个拥有 4Kbyte 子区块的串行快闪记忆体产品，为存取操作提供一个工作频率最高达 50MHz的SPI 相容的串行匯流排。 　　新产品采用四线高速串行介面，并未使用平行记忆体匯流排，能缩小封装及减少接脚。此记忆体分为 32个记忆段，每段包含 256个记忆

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-29
    • 文件大小：48128
    • 提供者：weixin_38689191

  1. 意法半导体串行闪存M25PE16工作频率高达50MHz具SPI兼容总线

  2. 意法半导体(ST)近日宣布M25PE系列页式可擦除串行闪存产品新增一个段粒度4-Kbyte的16-Mbit存储器芯片M25PE16，该产品适用于PC BIOS及光驱、数字录音机、网络产品以及机顶盒(STB)等消费电子存储应用。作为ST公司首款子段粒度4KB的串行闪存产品，M25PE16为存取操作提供一个工作频率最高50MHz的兼容SPI的串行总线。 　　新产品采用一条4线高速串行接口，而没有使用并行存储器接口，这种设计的优点是可以使用更小的封装和更少的引脚，从而节省成本和电路板空间。该存储器分为

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-29
    • 文件大小：52224
    • 提供者：weixin_38653691

  1. ST推出首个采用90纳米工艺的128Mb NAND闪存

  2. 闪存芯片供应商意法半导体(ST)日前宣布128兆位NAND闪存芯片NAND128W3A2BN6E的生产转向90纳米制造工艺，这一举措有助于降低在对成本要求很高的消费设备中广泛使用的存储芯片的成本和功耗，这些设备包括数码相机、语音笔、PDA、机顶盒(STB)、打印机和捆绑式闪存卡。ST的NAND128据称是当今市场上仅有的一个采用90nm制造工艺的128-Mbit NAND闪存。  　　新产品证明了ST继续开发低密度“小页”NAND闪存产品的承诺，以支持正在使用目前已量产的该系列产品的用户。NAN

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-29
    • 文件大小：65536
    • 提供者：weixin_38674512

  1. 汽车电子中的ST推出首款汽车用高可靠性串行闪存M25P10-A

  2. 意法半导体（ST）推出一个新一代串行闪存芯片：M25P10-A，M25P20，M25P40。新产品密度范围1到4 Mbit，专门为可靠性要求极高的汽车应用而设计。 　　新的M25P10-A、M25P20和M25P40存储器芯片的密度分别为1Mbit、2Mbit和4Mbit，这三款产品被公认为第一批耐用性和强度都符合汽车环境要求的串行闪存IC。这些产品采用ST的经量产验证的先进制造技术，为汽车应用提供了一个高可靠性的解决方案。这些产品获得了汽车级产品质量证书，并通过了AEC-Q100标准认证。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-29
    • 文件大小：67584
    • 提供者：weixin_38698860

  1. 通信与网络中的Vishay发布两款新型红外收发器TFDU6300/01

  2. Vishay在其光电子产品系列中增添了两款新型红外收发器：TFDU6300/01，这两款器件支持将直接来自拍照手机的数字图片传送到电视、打印机及其它支持的拍照手机的 IrDA 高速 IrSimpleShot协议。 　　Vishay 的 TFDU6300 及 TFDU6301 以微型封装可轻松地安装到当今小型手机、数码相机及电视中，且提供了 IrSimpleShot 所需的 4 Mbit/s 的快速红外 (FIR) 数据速率。凭借 1.8mA 的低接收工作（或闲置）电流以及 0.01?A 的关

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-29
    • 文件大小：51200
    • 提供者：weixin_38642636

  1. ST推出高性能128兆位串行闪存芯片

  2. 世界最大的串行闪存供应商*意法半导体推出了新的128-Mbit 串行闪存芯片M25P128，新产品主要用于各种高性能的成本敏感的计算机和消费产品的代码存储应用。这个128-Mbit的产品完善了ST现有的代码存储产品组合(从512 Kbits到64 Mbits) ，同时还是这个市场上同一密度级别的第一个串行闪存芯片。 　　M25P128采用ST经过实践证明的先进的2位/单元闪存技术，因为每个存储单元保存两位信息，所以密度比传统闪存制造技术提高一倍，客户利用该芯片能够设计出成本低廉而性能可靠的产品

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-29
    • 文件大小：117760
    • 提供者：weixin_38607554

  1. Silicon Labs 推出入门手机单芯片方案11

  2. Silicon Laboratories推出 将电源管理单元 (PMU)、电池接口和充电电路、数字基频、模拟基频和四频 RF 收发器整合到单片 CMOS IC 中的AeroFONE单芯片话机，为入门级 GSM/GPRS 手机提供了一个灵活且易用的平台。  　　AeroFONE Si4905采用 Silicon Labs的 Aero II RF 收发器技术，灵敏度、阻挡和传输调制频谱等特性效能佳。并从典型的BOM表删去印刷电路板 (PCB) 上的 200 多个插件，采用整合数控晶体震荡器 (DCX

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-28
    • 文件大小：58368
    • 提供者：weixin_38557515

  1. ST推出SO8N封装8Mbit及16Mbit串行代码存储闪存

  2. 意法半导体推出高速8-Mbit和16-Mbit串行闪存，新产品采用市场上同类产品中最小的封装：SO8N。ST是市场上第一个推出这些封装闪存的制造商，新产品尺寸紧凑，成本低廉，适合各种对成本有较高要求的计算机及消费电子产品的代码存储应用，如打印机、光驱、无线局域网 (WLAN)模块以及机顶盒(STB)。 　　M25P80和M25P16是8-Mbit (1M x 8)和16-Mbit (2M x 8)串行闪存，具有先进的写保护机制，支持速度高达50MHz的SPI兼容总线的存取操作，能够把程序快速

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-28
    • 文件大小：55296
    • 提供者：weixin_38740397

  1. ST 128兆位 NAND 闪存芯片

  2. 意法半导体（STMicro）今天宣布128兆位NAND闪存芯片NAND128W3A2BN6E的生产转向90纳米制造工艺，这一举措有助于降低在对成本要求很高的消费设备中广泛使用的存储芯片的成本和功耗，这些设备包括数码相机、语音笔、PDA、机顶盒（STB）、打印机和捆绑式闪存卡。ST的NAND128是当今市场上仅有的一个采用90nm 制造工艺的128-Mbit NAND 闪存。 新产品证明了ST继续开发低密度“小页”NAND闪存产品的承诺，以支持正在使用目前已量产的该系列产品的用户。NAND128W

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-12-10
    • 文件大小：64512
    • 提供者：weixin_38637884

  1. RFID技术中的Vishay 推出新型红外收发器

  2. Vishay Intertechnology在其光电子产品系列中增添了两款新型红外收发器，这两款器件支持将直接来自拍照手机的数字图片传送到电视、打印机及其它支持的拍照手机的 IrDA:registered: 高速 IrSimpleShot:trade_mark: 协议。 Vishay 的 TFDU6300 及 TFDU6301 以微型封装可轻松地安装到当今小型手机、数码相机及电视中，且提供了 IrSimpleShot 所需的 4 Mbit/s 的快速红外 (FIR) 数据速率。凭借 1.8m

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-12-10
    • 文件大小：51200
    • 提供者：weixin_38500444

  1. Renesas三重CAM存储器设备

  2. 瑞萨科技公司(Renesas)宣布推出TCAM (三重 CAM)存储器设备的CAM ASSP系列，用于网络设备领域，并发布该系列的三种新产品：R8A20110BG (1 Mbit)、R8A20211BG (9 Mbits)和R8A20210BG (18 Mbits)。在2005年3月，将从日本开始这三种产品的样品发货。 CAM (相联存储器)是一种存储器，通过并行比较进行高速搜索，以决定外部输入数据行是否与储存在存储器中的数据行匹配；然后，返回匹配行的数据。随着近年来互联网等网络的不断广

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-12-09
    • 文件大小：55296
    • 提供者：weixin_38693589

  1. Renesas用嵌入式DRAM开发动态TCAM

  2. Renesas公司近日宣布一种用于开发通信设备中嵌入片内系统的TCAM的技术。对采用该技术的4.5-Mbit动态TCAM芯片的测试结果显示：芯片面积减少约60％，工作频率达143 MHz，1.1W的功率扩散以及更高的收益。这一测试结果是Renesas公司和日本Hiroshima大学联合试验得出并且在2004 IEEE的ISSCC会议上宣布。 TCAM采用以下新的技术来解决CAM存在的芯片面积大、功率扩散多以及难于提高产量的问题： 1． 管道分级搜索 (PHS)技术；

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-12-09
    • 文件大小：45056
    • 提供者：weixin_38524851

  1. IDT 扩展双端口 FIFO 产品

  2. IDT公司（Integrated Device Technology）今天宣布已经推出新款器件，进一步拓展多端口和FIFO产品系列，致力于支持下一代无线和网络基础设施对于宽带日益增长的需求。新型的36-Mbit同步双端口器件提供业界最大的密度，而且支持133 MHz的速度，解决了棘手的应用问题，比如无线基站、路由器、以太网、异步传输模式(ATM) 和存储交换等。同样，新型的TeraSync:trade_mark: FIFO是首款以225 MHz支持18-Mbits数据缓冲密度的标准化器件，替代一

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-12-09
    • 文件大小：68608
    • 提供者：weixin_38694343

  1. 单片机与DSP中的IDT单芯片9Mbit同步双端系列产品

  2. 近日，IDT公司推出单芯片9Mbit同步双端系列产品。与同类产品相比较，IDT这次推出的系列产品工作频率为200 MHz，这是业界最快的芯片。此外，这一系列产品管脚与IDT以前推出的x36、x18系列产品完全兼容，这使得工程师们对电路板的改动非常小。 与现有的类似产品相比较，IDT这次推出的同步双端器件第一次集成了防冲突和休眠模式。防冲突模式避免了不同的端口同时操作同一的单元，这使得工程师可以选用较少的 外围零件，减少电路板的面积，提高设计的复杂性。休眠模式减少功耗，有利于低功耗 系统的应用。

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    • 发布日期：2020-12-09
    • 文件大小：31744
    • 提供者：weixin_38658085

  1. 模拟技术中的Atmel 802.11b/g硅锗功率放大器

  2. Atmel今天宣布推出其面向快速发展的高容量 WLAN 市场的新款 WLAN 功率放大器 (PA)。 2.4GHz 的功率放大器 ATR7032 符合 802.11b/g 标准，并采用 Atmel 先进的硅锗 (SiGe) 技术生产。由于这一流程，该设备可提供更高的整合性及更卓越的性能。硅锗技术实现了低电源电压运作范围（2.7至 3.6 V），从而使这款新设备尤其适用于以电池为驱动力的应用产品，如个人数字助理、智能手机和笔记本电脑。其他应用设备包括用于个人电脑和接入点的 WLAN 用户

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-12-09
    • 文件大小：52224
    • 提供者：weixin_38591291

  1. 通信与网络中的Intel无线技术解决方案问答

  2. Intel无线技术解决方案问答 ChinaECNet Online Seminar on Intel Wireless Solution 问：Intel 在串行存储flash方面有没有产品？ 答：没有。Intel 闪存是根据NOR技术的，支持代码+数据一起存储和XIP。 问：Intel闪存工作电压是多少伏? 答：我们有 3V 和 1.8V Vcc 两种产品。 问：大容量的 Intel Flash 最小封装是多大? 答：128J3 VFBGA 是7.3mmx10.8mm。详情请参阅

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-12-08
    • 文件大小：76800
    • 提供者：weixin_38713801

  1. 汽车电子中的富士通将批量生产可用于汽车的2Mbit铁电存储器

  2. 富士通宣布可提供富士通微电子2兆位（Mbit）的FRAM存储芯片，这是世界上批量生产的最大容量FRAM。富士通MB85R2001和MB5R2002非易失性存储器具有高速数据写入、低功耗并可提供大量写周期等特征。它们是汽车导航系统、多功能打印机、测量仪表及其它使用非易失性存储器来存储各种参数、记录设备操作条件并安全保存信息的高端设备的理想选择。　　FRAM的高速数据写入和大量可用写周期使得其可以作在办公设备中存储计数或参数、记录各种事项之用。FRAM有100亿个读/写周期，这相当于以每秒写入30次

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-12-06
    • 文件大小：72704
    • 提供者：weixin_38526225
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