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搜索资源列表

  1. 模拟CMOS集成电路设计1

  2. 本书介绍模拟CMOS集成电路的分析与设计。从直观和严密的角度阐述了各种模拟电路的基本原理和概念，同时还阐述了在SOC中模拟电路设计遇到的新问题及电路技术的新发展。本书由浅入深，理论与实际结合，提供了大量现代工业中的设计实例。全书共18章。前10章介绍各种基本模块和运放及其频率响应和噪声。第11章至第13章介绍带隙基准、开关电容电路以及电路的非线性和失配的影响，第14、15章介绍振荡器和锁相环。第16章至18章介绍MOS器件的高阶效应及其模型、CMOS制造工艺和混合信号电路的版图与封装。

  3. 所属分类：制造

    • 发布日期：2009-07-15
    • 文件大小：8388608
    • 提供者：brucezhan

  1. 模拟集成电路（老版 Bipolar讲的十分清楚）

  2. Bipolar讲的十分清楚 没有讲MOS，需MOS的勿下！！

  3. 所属分类：专业指导

    • 发布日期：2009-08-24
    • 文件大小：9437184
    • 提供者：zhangyunwu5555

  1. silvaco MOS工艺模拟

  2. silvaco MOS工艺模拟很好的应用

  3. 所属分类：专业指导

    • 发布日期：2010-07-01
    • 文件大小：34816
    • 提供者：sunnyzhu12

  1. silvaco MOS工艺模拟2

  2. silvaco MOS工艺模拟2 很好用的

  3. 所属分类：专业指导

    • 发布日期：2010-07-01
    • 文件大小：47104
    • 提供者：sunnyzhu12

  1. [模拟CMOS集成电路设计].Design.Of.Analog.CMOS.Integrated.Circuits.-.Behzad.Razavi

  2. 介绍模拟CMOS集成电路的分析与设计。从直观和严密的角度阐述了各种模拟电路的基本原理和概念，同时还阐述了在SOC中模拟电路设计遇到的新问题及电路技术的新发展。《模拟CMOS集成电路设计》由浅入深，理论与实际结合，提供了大量现代工业中的设计实例。全书共18章。前10章介绍各种基本模块和运放及其频率响应和噪声。第11章至第13章介绍带隙基准、开关电容电路以及电路的非线性和失配的影响，第14、15章介绍振荡器和没相环。第16章至18章介绍MOS器件的高阶效应及其模型、CMOS制造工艺和混合信号电路的

  3. 所属分类：硬件开发

    • 发布日期：2014-07-12
    • 文件大小：42991616
    • 提供者：a370690317

  1. 模拟技术中的模拟运放的分类及特点和运放的主要参数

  2. 1． 模拟运放的分类及特点     模拟运算放大器从诞生至今，已有40多年的历史了。最早的工艺是采用硅NPN工艺，后来改进为硅NPN-PNP工艺（后面称为标准硅工艺）。在结型场效应管技术成熟后，又进一步的加入了结型场效应管工艺。当MOS管技术成熟后，特别是CMOS技术成熟后，模拟运算放大器有了质的飞跃，一方面解决了低功耗的问题，另一方面通过混合模拟与数字电路技术，解决了直流小信号直接处理的难题。     经过多年的发展，模拟运算放大器技术已经很成熟，性能曰臻完善，品种极多。这使得初学者选用时

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-16
    • 文件大小：106496
    • 提供者：weixin_38736652

  1. 模拟技术中的对于开关电流电路故障诊断技术的开发

  2. 开关电流（Switched Current, SI）技术是20世纪80年代末提出的一门完全采用数字CMOS工艺技术的模拟取样数据信号处理技术，它利用MOS晶体管在其栅极开路时通过存储在栅极氧化电容上的电荷维持其漏极电流。开关电流技术不需要线性电容和高性能的运算放大器，可与标准数字CMOS工艺兼容，而且，它还具有低电压、高速、宽带、小面积等优点，自问世以来就引起了国内外相关学者的高度关注，并得到了较快发展。开关电流技术是继开关电容技术之后的一种新的模拟取样数据信号处理技术，同时也是数字/模拟混合集

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-23
    • 文件大小：163840
    • 提供者：weixin_38653443

  1. 模拟技术中的开关电容低通滤波器的设计

  2. 摘要：为了滤除信号中掺杂的高频噪声，设计一种六阶级联式开关电容低通滤波器，以数据采样技术代替传统有源RC滤波器中的大电阻，有利于电路的大规模集成。滤波器由双二阶子电路级联而成，电路中的电容值利用动态定标技术计算确定。用Hspice进行仿真验证，结果表明：开关电容低通滤波器能较好地时信号进行整形，其频率特性符合设计指标。 　　滤波技术是信号分析和处理中的重要分支，它的作用是从接收到的信号中提取有用的信息，抑制或消除无用的或有害的干扰信号，有助于提高信号完整度和系统稳定性。滤波器正是采用滤波技术的

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-21
    • 文件大小：402432
    • 提供者：weixin_38647517

  1. 模拟技术中的CMOS电路中ESD保护结构的设计原理与要求

  2. ESD(静电放电)是CMOS电路中最为严重的失效机理之一，严重的会造成电路自我烧毁。论述了CMOS集成电路ESD保护的必要性，研究了在CMOS电路中ESD保护结构的设计原理，分析了该结构对版图的相关要求，重点讨论了在I/O电路中ESD保护结构的设计要求。     1 引言     静电放电会给电子器件带来破坏性的后果，它是造成集成电路失效的主要原因之一。随着集成电路工艺不断发展，CMOS电路的特征尺寸不断缩小，管子的栅氧厚度越来越薄，芯片的面积规模越来越大，MOS管能承受的电流和电压也越来越

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-19
    • 文件大小：99328
    • 提供者：weixin_38520258

  1. 基于衬底驱动技术的模拟电路设计

  2. 在进行低电压低功耗模拟电路设计的众多技术中，衬底驱动（BD）技术由于设计简单和使用传统MOS工艺实现的特点，而被很多的设计所采用。本文利用这一原理,在标准CMOS工艺和±0.7 V电源电压前提下设计低电压低功耗标准模块,最后在TSMC0.25 μm CMOS工艺模型下，用Spice模拟器验证了模拟仿真结果。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-19
    • 文件大小：283648
    • 提供者：weixin_38624746

  1. 模拟技术中的开关电流电路延迟线的设计

  2. 0 引言 　　开关电流技术是近年来提出的一种新的模拟信号采样、保持、处理技术。与已成熟的开关电容技术相比，开关电流技术不需要线性电容和高性能运算放大器，整个电路均由MOS管构成，因此可与标准数字CMOS工艺兼容，可与数字电路使用相同工艺，并集成在同一块芯片上，所以也有人称之为数字工艺的模拟技术。但是开关电流电路中存在一些非理想因素，如时钟馈通误差和传输误差，它直接影响到电路的性能。 　　本文详细分析了第二代开关电流存储单元存在的问题，提出了改进方法，并设计了延迟线电路。此电路可以精确地对信号

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-06
    • 文件大小：138240
    • 提供者：weixin_38691970

  1. 模拟技术中的在单芯片手机方案中采用CMOS功率放大器

  2. 每年生产10多亿部手机的手机市场已成为半导体产业中竞争最激烈的领域。一直有这种说法：诸如砷化镓(GaAs)、横向扩散MOS(LDMOS)或硅锗(SiGe)双极CMOS(BiCMOS)等特殊工艺以不太精尖的几何精度就可提供制造商和设计师所需的短期成本优势和线性调制。但CMOS固有的规模经济驱使业界一直对其进行大量投入，因此其规模也一直且将继续领先于其他的工艺产品。 　　例如早先由英飞凌、恩智浦和Skyworks等供应商用专门的BiCMOS工艺制造的收发器模块，这些模块改用CMOS实现已有很长时间

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-12
    • 文件大小：106496
    • 提供者：weixin_38526823

  1. 模拟技术中的0.5umCMOS新型电流反馈放大器的分析与设计

  2. 摘要：设计了一种CMOS电流反馈运算放大器,通过在输出端采用电阻反馈,增强带负载能力,利用MOS管实现串联电阻以消除补偿电容带来的低频零点,通过高输出阻抗镜像电流镜增大了电路的增益,并用共源共栅电流源为电路提供偏置电流以减小电源电压的变化对偏置电流影响。使用BSM3 0.5um CMOS工艺参数,PSPICE模拟结果获得了与增益关系不大的带宽,电路参数为:84.2dB增益,447MHz的单位增益带宽,62度的相位裕度,138dB共模抑制比以及在1V电源电压仅产生0.7mW的功耗。 　　1 引

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-09
    • 文件大小：212992
    • 提供者：weixin_38632006

  1. 模拟技术中的CMOS功率放大器技术优化单芯片手机方案设计

  2. 每年生产10多亿部手机的手机市场已成为半导体产业中竞争最激烈的领域。一直有这种说法：诸如砷化镓(GaAs)、横向扩散MOS(LDMOS)或硅锗(SiGe)双极CMOS(BiCMOS)等特殊工艺以不太精尖的几何精度就可提供制造商和设计师所需的短期成本优势和线性调制。但CMOS固有的规模经济驱使业界一直对其进行大量投入，因此其规模也一直且将继续领先于其他的工艺产品。 　　例如早先由英飞凌、恩智浦和Skyworks等供应商用专门的BiCMOS工艺制造的收发器模块，这些模块改用CMOS实现已有很长时间

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-07
    • 文件大小：110592
    • 提供者：weixin_38692162

  1. 元器件应用中的austriamicro推出CMOS工艺DFM参考设计流程..

  2. austriamicro公司Full Service Foundry部门近日宣布，推出0.35微米高压CMOS工艺的可制造性设计(DFM)参考设计流程。该参考设计流程利用了特殊的模拟高压DFM工具，如电路设计及画板的性能检测、良率优化、寄生仿真(parasitic simulation)及安全操作区检查，同时还将提供完整的设计支持，包括向制造商客户提供可供选择的模拟高压DFM指导方针和DFM设计评价。      这种高压CMOS工艺(H35)采用模拟/混合信号技术，是最新一代的先进HV MOS装

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-12-02
    • 文件大小：50176
    • 提供者：weixin_38744962

  1. austriamicro推出CMOS工艺DFM参考设计流程

  2. austriamicro公司Full Service Foundry部门近日宣布，推出0.35微米高压CMOS工艺的可制造性设计(DFM)参考设计流程。该参考设计流程利用了特殊的模拟高压DFM工具，如电路设计及画板的性能检测、良率优化、寄生仿真(parasitic simulation)及安全操作区检查，同时还将提供完整的设计支持，包括向制造商客户提供可供选择的模拟高压DFM指导方针和DFM设计评价。      这种高压CMOS工艺(H35)采用模拟/混合信号技术，是最新一代的先进HV MOS装

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-12-01
    • 文件大小：50176
    • 提供者：weixin_38534352

  1. 模拟技术中的集成电路原理复习思考题（附参考答案）

  2. 第0章 绪论1. 根据工艺和结构的不同，可将IC分为哪几类？根据工艺和结构的不同，可将IC分为三类：① 半导体IC或称单片（Monolithic）IC，②膜IC，又可分为两种 ： 厚膜电路，薄膜电路；③混合IC（Hybrid IC）按器件结构类型分类：双极集成电路，金属-氧化物-半导体(MOS)集成电路。2. 用哪些技术指标描述集成电路工艺技术水平？描述集成电路工艺技术水平的五个技术指标：集成度，特征尺寸，芯片面积，晶片直径，封装。3. 为什么数字IC和模拟IC划分集成电路规模的标准不同？因

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-12-09
    • 文件大小：128000
    • 提供者：weixin_38581447

  1. RFID技术中的一种宽输入范围的Gillbert模拟乘法器设计

  2. 引言　　在集成电路系统中，模拟乘法器在信号调制解调、鉴相、频率转换、自动增益控制和功率因数校正控制等许多方面有着非常广泛的应用。实现模拟乘法器的方法有很多，按采用的工艺不同，可以分为三极管乘法器和CMOS乘法器。 　　CMOS模拟乘法器的工作原理有三种：基于MOS管在饱和区工作时的平方法则，这种模拟乘法器性能好，但结构复杂；基于MOS管在线性区工作时的电流电压法则，这种模拟乘法器比较适宜低压运用；采用Gillbert单元实现的模拟乘法器。本文详细分析了采用Gillbert单元实现的模拟乘法器

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-12-04
    • 文件大小：156672
    • 提供者：weixin_38598703

  1. 模拟运放的分类及特点和运放的主要参数

  2. 1． 模拟运放的分类及特点     模拟运算放大器从诞生至今，已有40多年的历史了。早的工艺是采用硅NPN工艺，后来改进为硅NPN-PNP工艺（后面称为标准硅工艺）。在结型场效应管技术成熟后，又进一步的加入了结型场效应管工艺。当MOS管技术成熟后，特别是CMOS技术成熟后，模拟运算放大器有了质的飞跃，一方面解决了低功耗的问题，另一方面通过混合模拟与数字电路技术，解决了直流小信号直接处理的难题。     经过多年的发展，模拟运算放大器技术已经很成熟，性能曰臻完善，品种极多。这使得初学者选用时不

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-01-20
    • 文件大小：102400
    • 提供者：weixin_38639747

  1. 采用开关电流技术和CMOS数字工艺实现甲乙类SI存储单元的设计

  2. 开关电流技术是一种模拟取样信号处理新技术，主要应用于开关电流滤波器和模数转换器设计。由于开关电流电路无需使用双层多晶硅电容，因此电路可以采用标准的CMOS数字工艺实现，从而降低了制造成本；采用开关电流技术可以缩小芯片尺寸，满足现代SoC系统低电压、低功耗需求。开关电流电路的建立时间由环路带宽f∞决定：　　　　式中的μ为沟道电荷迁移率，Vgs为MOS管的栅一源电压，VT为开启电压，L为沟道长度。根据式（1）确定的关系，表明开关电流电路完全可以在数百兆赫兹的高频下正常工作，因此可以用于高速电路的设计

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-01-20
    • 文件大小：301056
    • 提供者：weixin_38644141
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