本文主要对MOS管被静电击穿的原因进行了分析，希望对你的学习有所帮助。

MOS管一个ESD敏感器件,它本身的输入电阻很高，而栅-源极间电容又非常小，所以极易受外界电磁场或静电的感应而带电,又因在静电较强的场合难于泄放电荷，容易引起静电击穿。 　　静电击穿有两种方式; 　　一是电压型，即栅极的薄氧化层发生击穿，形成针孔，使栅极和源极间短路，或者使栅极和漏极间短路; 　　二是功率型，即金属化薄膜铝条被熔断，造成栅极开路或者是源极开路。 　　现在的mos管没有那么容易被击穿，尤其是是大功率的vmos,主要是不少都有二极管保护。vmos栅极电容大，感应不出高压。若是