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  1. MR25H40技术文档

  2. 该文档为EVERSPIN公司生产型号为MR25H40的MRAM型存储器的技术文档。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2012-05-09
    • 文件大小：1mb
    • 提供者：chinaboy921

  1. 新一代存储器MRAM

  2. 本文分析了当前存储器发展的现状与趋势，深入分析了传统几种存储器结构，并与MRAm做了比较，详细阐述了MRAM的原理与应用前景。

  3. 所属分类：专业指导

    • 发布日期：2009-03-15
    • 文件大小：359kb
    • 提供者：tianlangxingyun

  1. Test and Diagnosis Algorithm Generation for MRAM

  2. Test and Diagnosis Algorithm Generation and Evaluation for MRAM Write Disturbance Fault

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2019-01-16
    • 文件大小：239kb
    • 提供者：voyagerhans

  1. Everspin MRAM产品介绍.pdf

  2. Everspin产品介绍文档,Everspin目前的产品组合中拥有广泛的MRAM产品线，这些MRAM密度从512kb到16Mb,并提供串行和并行运算方式，已广泛用在数据存储、工业自动化、游戏、能源管理、通讯、运输、和航空电子领域。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2019-08-05
    • 文件大小：1mb
    • 提供者：sramdram

  1. 基于STT-MRAM的位逻辑运算方案及灵敏放大器设计

  2. 基于1T1MTJ的自旋转移矩-磁随机存储器(STT-MRAM)提出了一种改进型存内位逻辑计算方案。该方案通过精简2T2MTJ存内位逻辑运算方案提升了存储阵列密度，通过互补型读出电路增加了“与非”和“或非”的运算功能。此外，还通过增加支路电压稳定电路的方法，提出了一种适用于上述方案的改进型高速灵敏放大器。基于中芯国际55 nm LL逻辑工艺的仿真结果表明，相较于传统的灵敏放大器，该方案不仅读取速度提升了33%，在适配大型存储阵列(CB≥0.8 pF)时还拥有更强的读取能力与更优的功率积(PDP)。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-15
    • 文件大小：60kb
    • 提供者：weixin_38714910

  1. 非易失性存储器FeRAM、MRAM和OUM

  2. 本文对目前几种比较有竞争力和发展潜力的新型非易失性存储器做了一个简单的介绍。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-23
    • 文件大小：141kb
    • 提供者：weixin_38685831

  1. 非易失性存储器FeRAM、MRAM和OUM

  2. 本文对目前几种比较有竞争力和发展潜力的新型非易失性存储器做了一个简单的介绍。 　　铁电存储器(FeRAM) 　　铁电存储器是一种在断电时不会丢失内容的非易失存储器，具有高速、高密度、低功耗和抗辐射等优点。 当前应用于存储器的铁电材料主要有钙钛矿结构系列，包括PbZr1-xTixO3，SrBi2Ti2O9和Bi4-xLaxTi3O12等。铁电存储器的存储原理是基于铁电材料的高介电常数和铁电极化特性，按工作模式可以分为破坏性读出(DRO)和非破坏性读出(NDRO)。DRO模式是利用铁电薄膜的电容

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-06
    • 文件大小：132kb
    • 提供者：weixin_38503496

  1. MRAM以优异性能迈入商用存储器行列

  2. MRAM内存技术利用磁矩存储位态，业已证明完全可以满足众多的商业应用。而型号为MR2A16A的存储器，具有许多独特的特征，可以适用于许多方面的应用。 　　MRAM的特征 　　4Mb的MR2A16A以256Kx16位配置进行排列。它采用异步设计，使用标准芯片使能、写使能和输出使能引脚，从而保证了系统灵活性并防止总线冲突。分离的使能引脚可以实现灵活的数据总线控制，可以按8位或16位读写数据。MRAM本身是一种非易失性存储技术，在不需要电能的情况下可以保留存储内容至少十年。 　　MR2A16A具

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-07
    • 文件大小：304kb
    • 提供者：weixin_38681736

  1. Everspin科技推出MR4A16B业界首款16Mb MRAM

  2. 磁性随机存储器(MRAM)和集成磁（Integrated Magnetic）产品的领导厂商Everspin科技公司日前推出16Mb MRAM， 进一步强化了该公司在MRAM领域的领导地位。现在，所有需要无电数据保持以及SRAM性能的应用都可使用具有非挥发性、高性能、以及高可靠性优势的MRAM技术。 　　Everspin科技公司首席运营官Saied Tehrani表示：“Everspin将持续快速扩展MRAM产品组合，以协助更多客户实现产品差异化的目标。根据产品发展蓝图，我们将不断提高MRAM产

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-07
    • 文件大小：56kb
    • 提供者：weixin_38689027

  1. 元器件应用中的中科院物理所成功研制新型MRAM原理型器件

  2. 据中科院物理所网站报道，最近，中国科学院物理研究所韩秀峰课题组研制了一种新型的磁随机存取存储器(MRAM)原理型器件，这种新型磁随机存取存储器摈弃了传统的采用椭圆形磁性隧道结作为存储单元和双线制脉冲电流产生和合成脉冲磁场驱动比特层磁矩翻转的做法，而是采用100纳米尺度下的磁矩闭合型纳米环状磁性隧道结作为存储单元、并采取正负脉冲极化电流直接驱动比特层磁矩翻转的工作原理，可以克服常规MRAM所面临的相对功耗高、存储密度低等瓶颈问题。目前利用500微安至650微安脉冲极化电流就可以直接驱动存储单元比特

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-26
    • 文件大小：64kb
    • 提供者：weixin_38502290

  1. 中科院成功研制新型MRAM原理型器件

  2. 据中科院物理所网站报道，最近，中国科学院物理研究所韩秀峰课题组研制了一种新型的磁随机存取存储器(MRAM)原理型器件，这种新型磁随机存取存储器摈弃了传统的采用椭圆形磁性隧道结作为存储单元和双线制脉冲电流产生和合成脉冲磁场驱动比特层磁矩翻转的做法，而是采用100纳米尺度下的磁矩闭合型纳米环状磁性隧道结作为存储单元、并采取正负脉冲极化电流直接驱动比特层磁矩翻转的工作原理，可以克服常规MRAM所面临的相对功耗高、存储密度低等瓶颈问题。目前利用500微安至650微安脉冲极化电流就可以直接驱动存储单元比特

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-26
    • 文件大小：64kb
    • 提供者：weixin_38746738

  1. EDA/PLD中的西门子选择飞思卡尔MRAM用于工业自动化触摸屏产品

  2. 磁阻随机存取存储器（MRAM）产品的领先提供商飞思卡尔半导体日前为西门子工业自动化部门开发的工业触摸屏应用提供非易失性MRAM技术。 飞思卡尔的4Mbit MRAM器件已经集成到西门子Simatic Multipanel MP 277和工业自动化系统使用的MP 377人机界面（HMI）中。 　　西门子为其HMI应用选择飞思卡尔的MRAM器件，是因为后者提供了一个易于使用的非易失性存储器，这种存储器可为西门子的HMI平台维护软件可编程的逻辑控制器（SoftPLC）处理数据，而无需电池备份。用户可

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-21
    • 文件大小：47kb
    • 提供者：weixin_38736011

  1. IBM联手TDK研发大容量高密度MRAM磁阻芯片

  2. IBM和TDK两公司宣布将携手研发大容量、高密度的MRAM，以推动MRAM（磁阻内存）的量产和市场推广。联合研发计划的重点是开发高容量、高密度的磁阻内存电路，他们将研究如何应用自旋动量转移来生产体积更小的数据存储单元。IBM公司与TDK公司联合研发计划为期四年，将在IBM公司和TDK公司的多个研究机构内进行，其中包括TDK公司在美国加州Milpitas市的研发中心。  图：飞思卡尔推出的全球第一款商用MRAM磁阻芯片 　　众所周知，传统的内存使用电荷来存储数据，而MRAM（磁阻式

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-12-03
    • 文件大小：55kb
    • 提供者：weixin_38641876

  1. 嵌入式系统/ARM技术中的Freescale扩展MRAM的产品系列

  2. 嵌入式半导体设计和制造领域的Freescale半导体成功推出3伏4Mbit扩展温度范围（-40至+105C）非易失性RAM （nvRAM） 产品，从而扩展了公司获奖的磁电阻式随机存储器 （MRAM）系列产品。该设备可用于恶劣的应用环境，如工业、军事、航空和汽车设计等。 　　Freescale还通过推出一种1Mbit器件扩展了它的商用MRAM 产品系列。该器件可为系统设计师提供一种密度选择，并专注于主流嵌入式产品市场上的“sweet spot”。此外，Freescale还计划进一步扩展其MR

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-30
    • 文件大小：59kb
    • 提供者：weixin_38605801

  1. 瑞萨科技研制高速、高可靠性的MRAM 技术(图)

  2. 瑞萨科技公司今日宣布研制出一种高速度、高可靠性的MRAM（磁阻式随机存取存储器）技术，用于系统级芯片（SoC）。　　瑞萨科技运用这项技术，利用130 nm（纳米）CMOS工艺制造了存储容量为1 Mb的MRAM存储器原型样品。研究表明，在1.2 V的工作电压下，有希望在143 MHz或者更高的工作频率下高速运行，而且在一千亿次重复写入试验中进行的测量证实，它的性能并没有下降。　　瑞萨科技通过与三菱电气公司合作进行的研究，取得了这些成果，并且在2004年12月14日（美国时间）在美国旧金山举行的IE

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-12-09
    • 文件大小：75kb
    • 提供者：weixin_38614952

  1. 一种MRAM仿真系统的设计实现

  2. 一种MRAM仿真系统的设计实现

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-03-04
    • 文件大小：498kb
    • 提供者：weixin_38660624

  1. An Architecture-Level Cache Siimulation Framework Supporting Advanced PMA STT-MRAM

  2. An Architecture-Level Cache Siimulation Framework Supporting Advanced PMA STT-MRAM

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-02-21
    • 文件大小：160kb
    • 提供者：weixin_38582909

  1. 西门子选择飞思卡尔MRAM用于工业自动化触摸屏产品

  2. 磁阻随机存取存储器（MRAM）产品的提供商飞思卡尔半导体日前为西门子工业自动化部门开发的工业触摸屏应用提供非易失性MRAM技术。 飞思卡尔的4Mbit MRAM器件已经集成到西门子Simatic Multipanel MP 277和工业自动化系统使用的MP 377人机界面（HMI）中。 　　西门子为其HMI应用选择飞思卡尔的MRAM器件，是因为后者提供了一个易于使用的非易失性存储器，这种存储器可为西门子的HMI平台维护软件可编程的逻辑控制器（SoftPLC）处理数据，而无需电池备份。用户可编程

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-01-19
    • 文件大小：46kb
    • 提供者：weixin_38735119

  1. 嵌入式 STT MRAM 磁隧道结阵列的加工是靠什么来完成的

  2. 如今，除了逻辑元件和其他专用电路元件外，典型的微控制器 （MCU） 包括用作工作存储器的 SRAM 和用作储存存储器的闪存。当前业界遇到的闪存问题是，要将浮栅 （FG） 的制造工艺对逻辑门性能的影响降到（图 1）。为此，制造商通常会使用多达 10 个的额外掩膜层，这必然会增加其复杂性和成本。在 《28nm 的节点， 逻辑部分的工艺将迁移到高 k 栅介质/金属栅极（HKMG），由于 HKMG 的热预算有限，将导致工艺集成更为复杂。 　　一文告诉你嵌入式 STT MRAM 磁隧道结阵列的加工是靠什

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-01-19
    • 文件大小：230kb
    • 提供者：weixin_38730767

  1. 嵌入式 MRAM的高性能应用

  2. 总结　　一种新型自旋转移转矩磁阻存储器(STT-MRAM) IP为高性能嵌入式应用提供了一个有吸引力的选择。　　介绍　　如今，社会上广泛的应用程序都迫切需要嵌入式非易失性内存IP。　　embedded memory requirements　　然而，嵌入式非易失性闪存IP的未来扩展在更的节点上是无效的。一些替代的存储器技术已经被作为“闪存的替代品”来追求，例如相变存储器(PCM)材料，电阻变化存储器(RRAM)，自旋转移转矩磁阻存储器(STT-MRAM)。这些技术提供了密集的位单元(“1T1R”

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-01-19
    • 文件大小：382kb
    • 提供者：weixin_38733525
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