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  1. 应力对MoS2纳米带催化析氢活性的影响

  2. 基于密度泛函理论的第一性原理计算,系统地研究了应力对MoS2纳米带的几何构型、电子性质和催化析氢活性的影响。结果表明:一定范围内的压应力可以改善MoS2纳米带的催化析氢活性,而拉应力对MoS2纳米带析氢活性产生负效应,当产生的应变达到-13%时,析氢活性达到最高;在应力的作用下,费米能级附近S原子与H原子的电子态在-0.20.3eV能量范围内产生一定的交叠,有利于MoS2纳米带催化析氢活性的提高。该研究期望能够为MoS2纳米带成为新型高效的析氢反应催化剂提供一定的理论参考。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-04-27
    • 文件大小：1048576
    • 提供者：weixin_38636577

  1. MoS2对快速镍镀层的影响

  2. 以正火态45钢为基体,分别在试件上单一刷镀快速镍和复合电刷镀MoS2/快速镍。对镀层的表面进行金相组织观察、能谱分析、结合强度、硬度和耐磨性能等进行对比和分析。结果表明:2种刷镀的结合强度都满足要求,在刷镀液中加入MoS2后能明显提高镀层的硬度和耐磨性能。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-04-21
    • 文件大小：821248
    • 提供者：weixin_38575118

  1. 葡萄糖协助水热合成类石墨MoS2/石墨烯无定形碳复合材料的微观结构及其电化学贮锂性能

  2. 葡萄糖协助水热合成类石墨MoS2/石墨烯无定形碳复合材料的微观结构及其电化学贮锂性能，马琳，黄国创，通过葡萄糖协助的水热途径制备了类石墨烯结构的MoS2/石墨烯无定形碳复合纳米材料(GL-MoS2/Ga-C)，并用XRD，SEM，TEM/HRTEM对复合纳米材料的

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-03-13
    • 文件大小：1048576
    • 提供者：weixin_38732740

  1. C掺杂浓度对单层MoS2光催化性质影响的第一性原理研究

  2. C掺杂浓度对单层MoS2光催化性质影响的第一性原理研究，李亚琳，雷惊雷，本文借助Material Studio 7.0软件包的CASTEP模块，采用密度泛函理论对不同浓度C掺杂单层MoS2的光催活性进行了理论研究。使用GGA下的PBE法对电

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-03-10
    • 文件大小：706560
    • 提供者：weixin_38698863

  1. Graphene/MoS2微纳复合材料的制备及可见光光催化性能的研究

  2. Graphene/MoS2微纳复合材料的制备及可见光光催化性能的研究，张铮，李金华，MoS2是一种新型半导体材料，有较高的载流子迁移率，高的比表面积;石墨烯材料具有优异的电学及力学性质，在光电器件等领域有重要的�

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-03-04
    • 文件大小：632832
    • 提供者：weixin_38728555

  1. 基于花状MoS2微米材料的葡萄糖生物传感器的制备及其性能研究

  2. 基于花状MoS2微米材料的葡萄糖生物传感器的制备及其性能研究，赵得瑞，李金华，本文采用水热法制备花状MoS2微米材料，利用已制备的MoS2作为电极构建葡萄糖生物传感器并研究其相关性能。研究表明：水热法制备的MoS2

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-02-11
    • 文件大小：702464
    • 提供者：weixin_38575536

  1. 一步法水热法合成MoS2/C复合微球

  2. 一步法水热法合成MoS2/C复合微球，马琳，李辉，以钼酸钠、硫脲和葡萄糖为前驱体，采用一步水热法制备了MoS2/C复合微球。用X-射线衍射(XRD)、透射电镜(TEM)和扫描电镜(SEM)等对MoS2/C复合�

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-02-06
    • 文件大小：1048576
    • 提供者：weixin_38707153

  1. Al/SiC/MoS2自润滑复合材料的耐磨性研究

  2. Al/SiC/MoS2自润滑复合材料的耐磨性研究，罗建，，本论文对铸造的Al/SiC/MoS2自润滑复合材料的进行组织观察及在MM-200型摩擦磨损试验机摩擦学性能参数进行了测定，结果表明：MoS2与Al基体�

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-01-08
    • 文件大小：734208
    • 提供者：weixin_38635682

  1. 湿化学法制备MoS2微米颗粒及物性研究

  2. 湿化学法制备MoS2微米颗粒及物性研究，丁晓晨，朱泠西，MoS2由于具有优异的物理和化学性质，作为功能材料被广泛地研究。本文采用水热法，研究了采用添加表面活性剂，改变反应时间对MoS2结�

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2019-12-28
    • 文件大小：615424
    • 提供者：weixin_38671628

  1. MoS2微米颗粒的制备及其物性研究

  2. MoS2微米颗粒的制备及其物性研究，朱泠西，丁晓晨，MoS2由于具有优异的物理和化学性质，作为功能材料被广泛地研究。本文采用水热法，研究了采用不同温度，改变反应时间对MoS2结构和形�

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2019-12-28
    • 文件大小：724992
    • 提供者：weixin_38739164

  1. 钼箔上均匀且均匀的MoS2单层的快速大面积生长

  2. 钼箔上均匀且均匀的MoS2单层的快速大面积生长

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-03-26
    • 文件大小：939008
    • 提供者：weixin_38722184

  1. Bi5FeTi3O15与MoS2的纳米复合材料作为染料敏化太阳能电池中的新型无铂对电极

  2. Bi5FeTi3O15与MoS2的纳米复合材料作为染料敏化太阳能电池中的新型无铂对电极

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-03-20
    • 文件大小：1048576
    • 提供者：weixin_38666697

  1. 带MoS2吸收器的紧凑型Q开关2 um Tm：GdVO4激光器

  2. 带MoS2吸收器的紧凑型Q开关2 um Tm：GdVO4激光器

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-03-18
    • 文件大小：495616
    • 提供者：weixin_38625143

  1. 由超薄MoS2纳米片制成的溶液处理的空穴提取层，用于高效有机太阳能电池

  2. 由超薄MoS2纳米片制成的溶液处理的空穴提取层，用于高效有机太阳能电池

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-03-18
    • 文件大小：1048576
    • 提供者：weixin_38697557

  1. 非磁性金属取代单层MoS2中磁性的从头算研究

  2. 非磁性金属取代单层MoS2中磁性的从头算研究

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-03-17
    • 文件大小：772096
    • 提供者：weixin_38744526

  1. 非金属元素取代的MoS2单层的电子结构和磁性

  2. 非金属元素取代的MoS2单层的电子结构和磁性

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-03-17
    • 文件大小：1048576
    • 提供者：weixin_38606466

  1. MoS2解毒点阵电子性质的理论研究

  2. 受用于在二硫化钼（MoS2）中蚀刻六角形阵列Kong的现有技术方法的启发，通过第一性原理计算研究了带有锯齿形边缘的MoS2防伪点阵（MoS（2）ALs）的电子性质。 单层MoS（2）AL是半导电的，并且随着超级电池面积的增加，带隙收敛到恒定值，这可以归因于边缘效应。 多层MoS（2）AL和F原子化学吸附的MoS（2）AL表现出金属行为，而被H原子吸附的结构仍然是半导体，具有微小的带隙。 我们的结果表明，在MoS2中形成周期性重复的结构可以开发出用于工程化纳米材料的有前途的技术，并为设计基于MoS

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-03-17
    • 文件大小：2097152
    • 提供者：weixin_38705873

  1. 应变作用下单层MoS2的带隙工程：DFT研究

  2. 在本文中，通过分析结构参数：带隙，态密度（DOS）和米利肯电荷，使用密度泛函理论计算来研究单层MoS2的应变。 计算表明，增加的外部污点趋于降低具有较小SS夹层间距的波纹结构，并增大Mo-S键的长度。 拉伸应变极大地改变了带隙。 但是，压缩应变几乎没有。 带隙的变化通过对DOS，状态部分密度（PDOS），结构参数和Mulliken电荷分布的分析来解释。 应变对Mulliken电荷和Mo-S带长度的影响导致在拉伸和压缩应变下的带隙差异。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-03-17
    • 文件大小：1048576
    • 提供者：weixin_38710127

  1. 从单层MoS2场效应晶体管的磁滞栅极传输特性中获得的缺陷状态的密度

  2. 从单层MoS2场效应晶体管的磁滞栅极传输特性中获得的缺陷状态的密度

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-03-15
    • 文件大小：340992
    • 提供者：weixin_38650629

  1. CVD生长的单层和多层MoS2薄膜的A1g模式激发机理和拉曼位移的非线性温度依赖性成因

  2. CVD生长的单层和多层MoS2薄膜的A1g模式激发机理和拉曼位移的非线性温度依赖性成因

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-03-14
    • 文件大小：1048576
    • 提供者：weixin_38697753
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