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  1. RFID技术中的变压器磁心的气隙

  2. (1)正、负电压对称、无直流分量的变压器,其磁路不需要气隙。   (2)转换器中,初级与隔离电容串联的变压器磁路中不需要气隙。   (3)反激式转换器的变压器初级绕组电流是储能电流,全部是励磁电流。为了不使磁通饱和,磁路中应加人适当气隙。如果忽略磁心材料所需的励磁安匝数,则可以用式(6-51)计算沿磁力线长度上气隙的`总长度lb(mm),即气隙中垫纸的总厚度为:   式中 Ipm——次级绕组电流幅值;           Bm——最大磁通密度(T):初、次级绕组磁动势连续时,Bm>B
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-11-16
    • 文件大小:74kb
    • 提供者:weixin_38658405
  1. RFID技术中的最大磁通密度的计算

  2. 在工作状态下,变压器的温升主要是由磁心损耗和绕组的铜损引起的。为了降低变压器的温升,就必须减小变压器的铁损和铜损。变压器的总损耗与温升成正比,而与变压器的热阻成反比,可以近似地用式(6-74)表示   式中 △P∑——变压器的总损耗;          △T——变压器的温升;          Rth,——变压器的热阻。   磁心损耗与有效磁心体积之间存在一定的关系。设磁心损耗占变压器总损耗的一半,则最大磁心损耗密度Pcore可以表示为允许温升△T和有效磁心体积Vc,的函数如式(6-
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-11-16
    • 文件大小:106kb
    • 提供者:weixin_38590456