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搜索资源列表

  1. 基于结终端扩展的4H-SiC肖特基势垒二极管研制

  2. 碳化硅半导体材料与器件，主要研究了4H-SiC利用终端扩展技术制作肖特基势垒二极管的相关内容

  3. 所属分类：专业指导

    • 发布日期：2013-12-23
    • 文件大小：372kb
    • 提供者：u013256033

  1. T7-从硅往碳化硅器件过渡中变流器设计的十个常见问题.pdf

  2. SiC的成本问题? 甚么是合适的应用? 如何驱动⻔极? 用体二极管 还是同步整流? 如何降低杂散电感带来的影响? 如何对短路、过电流和过电压作保护? 如何计算损耗和结温? 如何缓和高dV/dt(电压变化速率)带来的影响? ⻓期可靠性要注意什么? SiC MOSFET器件是否可以并联?

  3. 所属分类：教育

    • 发布日期：2020-04-24
    • 文件大小：18mb
    • 提供者：qq_43722402

  1. 纳米碳化硅晶须单分子光谱

  2. 纳米碳化硅晶须单分子光谱，张洪涛，陈坤，本文描述了SiC 纳米晶须的室温单分子光谱特征。 实验观察到其单分子光谱在400 nm-450nm出现强度极高的发射峰。纳米碳化硅单分子光谱在�

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-02-24
    • 文件大小：302kb
    • 提供者：weixin_38646914

  1. 甲醇和乙醇在负载纳米钯粒子的碳化硅修饰玻碳电极上的电催化氧化

  2. 甲醇和乙醇在负载纳米钯粒子的碳化硅修饰玻碳电极上的电催化氧化，付妹，张书培，在本论文中，通过NaBH4 的还原性质用化学合成的方法制得了新的Pd/SiC纳米结构的电化学催化剂，其中钯纳米粒子是化学沉积在SiC纳米粒子

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-02-15
    • 文件大小：520kb
    • 提供者：weixin_38620267

  1. 碳化硅颗粒尺寸对SiCp/Al2014复合材料组织与拉伸性能的影响

  2. 碳化硅颗粒尺寸对SiCp/Al2014复合材料组织与拉伸性能的影响，赵卫星，邱丰，在本文中，通过搅拌铸造法成功制备出了SiC颗粒尺寸为5微米、10微米、15微米的SiCp/2014Al复合材料。研究了SiC颗粒尺寸对SiC颗粒在SiCp/Al2014

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-02-11
    • 文件大小：776kb
    • 提供者：weixin_38534444

  1. 原位生长碳纳米管增强SiCf/SiC复合材料的力学性能

  2. 原位生长碳纳米管增强SiCf/SiC复合材料的力学性能，周新贵，余金山，碳化硅纤维增强碳化硅复合材料（SiCf/SiC）是航空航天和聚变能源等高技术领域理想的高温结构材料，改善纤维与基体的界面结合是提高�

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-01-07
    • 文件大小：449kb
    • 提供者：weixin_38626192

  1. 碳化硅表面改性对SiCp/2014Al复合材料组织与拉伸性能的影响

  2. 碳化硅表面改性对SiCp/2014Al复合材料组织与拉伸性能的影响，赵卫星，邱丰，在本文中，通过搅拌铸造法成功制备出了SiCp/2014Al复合材料，其中，SiC颗粒分别进行酸洗、氧化、镀钛三种不同的表面预处理。研究了不�

  3. 所属分类：其它

  1. 碳化硅辐照效应研究

  2. 碳化硅辐照效应研究 6H-SiC研究 辐照效应

  3. 所属分类：教育

    • 发布日期：2013-08-28
    • 文件大小：4mb
    • 提供者：u011858783

  1. 碳化硅纤维材料的发展趋势及前景应用

  2. 随科技的发展高性能纤维的需求俞显奇缺，尤其在航空、航天、原子能、高性能武器装备及高温工程等诸多领域,迫切需要高比强度、高比模量、耐高温、抗氧化、耐腐蚀的新型材料。出于SiC的宽禁带性质，SiC制备的紫外光电探测器可在极端条件下应用于生化检测、可燃性气体尾焰探测、臭氧层监测、短波通讯以及导弹羽烟的紫外辐射探测等领域，并适用于恶劣环境的光探测器件与光传感器开发。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2012-02-16
    • 文件大小：21kb
    • 提供者：yuruofengxin

  1. 碳化硅 在陶瓷行业中的应用

  2. 碳化硅（SiC）陶瓷，具有抗氧化性强，耐磨性能好，硬度高，热稳定性好，高温强度大，热膨胀系数小，热导率大以及抗热震和耐化学腐蚀等优良特性。因此，已经在石油、化工、机械、航天、核能等领域大显身手，日益受到人们的重视。例如，SiC陶瓷可用作各类轴承、滚珠、喷嘴、密封件、切削工具、燃汽涡轮机叶片、涡轮增压器转子、反射屏和火箭燃烧室内衬等等

  3. 所属分类：PHP

    • 发布日期：2011-12-10
    • 文件大小：29kb
    • 提供者：a8288618

  1. 氧化锆细粒喷丸处理对氧化锆-碳化硅复合材料滑动磨损的影响

  2. 为了提高ZrO2 /的耐磨性，研究了喷丸处理的氧化锆-碳化硅复合材料（ZrO2 / SiC）板在氮化物球在压缩残余应力下的滑动接触疲劳磨损性能。 SiC摩擦件。 在Hertziancontact滑动试验中，喷丸处理后的ZrO2 / SiC板的耐磨性高于未进行喷丸处理的板。 由于细微的氧化锆颗粒喷丸处理，ZrO2 / SiC板近表面的ZrO2中的四方相晶体结构发生了变化，并且可以将1100 MPa的压缩残余应力引入ZrO2 / SiC板的近表面层。 确定压缩残余应力是改善ZrO2 / SiC板的耐

  3. 所属分类：其它

  1. 碳化硅和氢化钛对铝合金起泡性的影响（6061）

  2. 泡沫铝是一种轻质材料，具有良好的机械和能量吸收性能。 在这项研究中，使用铝粉6061和碳化硅（SiC）粉制造泡沫铝复合材料。 氢化钛（TiH2）被用作发泡剂。 使用冷压块然后热压（烧结）来生产复合材料前体。 在烧结过程之后，通过将铝复合材料前体加热到高于铝（Al）的熔点的温度来进行发泡。 发现泡沫的线性膨胀和孔隙率百分比随着SiC百分比从10％降低到4％而增加，而密度降低。 发现随着发泡剂的百分比从0.5％增加到1.5％，孔隙率百分比和线性膨胀百分比均增加。 对两个不同的孔隙率值（40％和47％

  3. 所属分类：其它

  1. 低碱酸比煤灰在碳化硅质耐火板上的煅烧结渣特性

  2. 采用了扫描电镜、能谱分析仪、X射线衍射等方法对高温煅烧下酸性煤灰在SiC质耐火板上煅烧渣样进行了测试,并就渣样的形貌、渣样成分及与SiC质耐火板之间的高温煅烧结渣特性进行了分析。结果表明:高温煅烧下,低碱酸比煤灰的结渣难以破坏SiC质耐火板表层的SiO2保护膜,其在SiC质耐火板上灰渣的结晶度取决于煤灰本身受高温煅烧的影响。随着温度的升高,煤灰的结晶度呈指数下降趋势,特别是在接近始变形温度1 450℃处,结晶度降为21.08%。因此,高温煅烧下低碱酸比煤灰更加容易在SiC质耐火板上黏连结渣。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-05-29
    • 文件大小：869kb
    • 提供者：weixin_38703955

  1. 碳化硅制品的成型性能

  2. 以不同粒度的α-SiC为原料,通过配比试验、生坯成型方法的对比、成型后碳化硅制品的生坯性能分析,研究了不同粘结剂、不同成型压力与保压时间、不同成型方法对碳化硅制品的密度、气孔率、抗折强度的影响。结果表明,水溶性粘结剂的粘结性能低于醇溶性粘结剂,但水溶性的最佳添加量低于醇溶性粘结剂。成型方法中冷等静压的成型密度和抗折强度最大,气孔率最低。同时无论使用何种成型方法,制品的密度随压力变化都具有一定的规律性。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-06-26
    • 文件大小：480kb
    • 提供者：weixin_38699352

  1. PIP法制备C/SiC复合材料及其微观结构分析

  2. 为充分了解C/SiC复合材料的各项技术指标,扩展其应用范围,利用先驱体浸渍裂解(PIP)法将原料球磨,经过模压和高温烧结制得掺有短切碳纤维的C/SiC陶瓷基复合材料,并利用扫描电子显微镜(SEM)技术观测C/SiC复合材料的破坏界面形态,分析C/SiC复合材料的断裂方式与失效机理。研究表明:制得的C/SiC陶瓷基复合材料力学性能优于单一陶瓷材料,其断裂大致包含以下几个过程:首先碳化硅基体在应力作用下发生开裂产生裂纹,然后随着应力增加裂纹不断往纤维和基体的界面处扩展,随着应变增长纤维开始出现脱粘、

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-06-23
    • 文件大小：529kb
    • 提供者：weixin_38724349

  1. 多热源合成SiC温度场的动态数学模型及数值分析

  2. 通过对多热源合成SiC冶炼炉的传热学分析,确定了冶炼炉温度场的边界条件,建立了冶炼炉温度场的动态数学模型,采用有限单元法对温度场进行了数值分析.以工业试验为基础,对碳化硅冶炼炉温度场进行了数值求解,数值模拟得到最佳供电时间为66~72 h,工业试验为60~75 h,结果与工业试验吻合.该方法可进一步确定工业生产中的供电参数、炉体参数及物料配比,为工业生产提供理论指导.

  3. 所属分类：其它

  1. 【功率器件心得分享】+GaN与SiC新型功率器件

  2. 1 GaN 功率管的发展微波功率器件近年来已经从硅双极型晶体管、场效应管以及在移动通信领域被广泛应用的LDMOS 管向以碳化硅 （ SiC ）、氮镓 （ GaN ） 为代表的宽禁带功率管过渡。SiC、GaN 材料，由于具有宽带隙、高饱和漂移速度、高临界击穿电场等突出优点，与刚石等半导体材料一起，被誉为是继第一代 Ge、Si 半导体材料、第二代 GaAs、InP 化合物半导体材料之后的第三代半导体材料。 在光电子、高温大功率器件和高频微波器件应用方面有着广阔的前景。SiC 功率器件在 C 波段

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-07-18
    • 文件大小：65kb
    • 提供者：weixin_38665804

  1. 高效SiC技术的介绍和分析

  2. 随着电力电子变换系统对于效率和体积提出更高的要求，SiC（碳化硅）将会是越来越合适的半导体器件。尤其针对光伏逆变器和UPS应用，SiC器件是实现其高功率密度的一种非常有效的手段。本文主要介绍SiC技术优点、缺点及目前应用层面的一些瓶颈。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-08-05
    • 文件大小：84kb
    • 提供者：weixin_38631329

  1. SiC宽带功率放大器模块设计分析

  2. 功率放大器是射频前端中的关键部件， 宽带是目前功率放大器的主要发展趋势。基于碳化硅（ SiC） 宽禁带功率器件， 利用ADS 仿真软件， 依据宽带功率放大器的各项指标进行电路的设计、优化和仿真， 制作了500 ~2 000MHz波段宽带功率放大器， 并对放大器进行了性能测试和环境实验。测试结果表明利用该方法设计宽带功率放大器是可行的， SiC 宽禁带功率器件具有较宽的工作带宽。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-08-12
    • 文件大小：275kb
    • 提供者：weixin_38632763

  1. SiC 碳化硅

  2. top1000的SiC 碳化硅专利 pdf 一种用于便携式制氧机的集成截止阀的分子筛床排气端盖 耐磨耐冲刷的重防腐纳米化陶瓷胶泥及其制备方法和使用方法 一种单板双封结构的双管板碳化硅换热器 一种分流板流道清胶方法及设备 耐高温高压电缆及制备方法 一种环保型铝镁铬质高性能无水炮泥及制备方法 一种快充耐腐蚀镀层 一种SiC MOSFET器件结构 管状热电堆传感器 具有抗突波能力的碳化硅两级管器件及其制造方法 短切碳化硅纤维增强ZrC多层包壳材料及其制备方法

  3. 所属分类：电信

    • 发布日期：2020-10-11
    • 文件大小：576mb
    • 提供者：weixin_44035342
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