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搜索资源列表

  1. Introduction to 3G Mobile Communications

  2. Preface xv Acknowledgments xvii 1 Overview 1 1.1 History of Mobile Cellular Systems 1 1.1.1 First Generation 1 1.1.2 Second Generation 2 1.1.3 Generation 2.5 5 1.2 Overview of 3G 8 1.3 Proposals for 3G Standard 10 1.3.1 WCDMA 10 1.3.2 Advanced TDMA

  3. 所属分类：C

    • 发布日期：2009-11-24
    • 文件大小：1mb
    • 提供者：grasssu

  1. A Practical Guide to Ubuntu Linux Ubuntu Linux 实战手册

  2. A Practical Guide to Ubuntu Linux Ubuntu Linux 实战手册 183 7 The Shell 219 PART III Digging into Ubuntu Linux 249 8 Linux GUIs: X and GNOME 251 9 The Bourne Again Shell 275 10 Networking and the Internet 353 11 Programming the Bourne Again Shell 395 x

  3. 所属分类：Linux

    • 发布日期：2010-12-08
    • 文件大小：10mb
    • 提供者：shaoguangleo

  1. An.Introduction.to.TTCN3.pdf

  2. 测试通信协议的书，值得学习 这是对ttcn测试及其语言规范的简单入门书。 基本内容： 1 Introduction 1 2 TTCN-3 by Example 7 3 Basic TTCN-3 25 4 Non-concurrent TTCN-3 39 5 Concurrent TTCN-3 69 6 Procedure-based Communication 87 7 Modular TTCN-3 109 8 TTCN-3 Data Types 125 9 Advanced Type Top

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2011-02-11
    • 文件大小：3mb
    • 提供者：wenshuzh

  1. The Definitive Guide to NetBeans Platform

  2. Contents at a Glance Foreword . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . xvii About the Author . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

  3. 所属分类：Java

    • 发布日期：2011-03-09
    • 文件大小：11mb
    • 提供者：shaoguangleo

  1. 60cpq150.pdf

  2. 60cpq150.pdfIF(AV) Rectangular 60 A waveform VRRM 150 V IFSM @ tp = 5 μs sine 2300 A VF @ 30 Apk, TJ= 125°C 0.67 V (per leg) TJ range - 55 to 175 °C Characteristics 60CPQ150 Units Major Ratings and Characteristics Descr iption/Features The 60CPQ150

  3. 所属分类：硬件开发

    • 发布日期：2011-11-03
    • 文件大小：134kb
    • 提供者：xuzhende

  1. The Way To Go

  2. PART 1—WHY LEARN GO—GETTING STARTED Chapter 1—Origins, Context and Popularity of Go..............................................................1 1.1 Origins and evolution ............................................................................

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2012-12-13
    • 文件大小：4mb
    • 提供者：atom8473

  1. [Go语言入门（含源码）] The Way to Go (with source code)

  2. The Way to Go，: A Thorough Introduction to the Go Programming Language 英文书籍，已Cross the wall，从Google获得书中源代码，分享一下。喜欢请购买正版。 目录如下： Contents Preface..........................................................................................................

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2014-06-11
    • 文件大小：8mb
    • 提供者：humbunklung

  1. The way to go

  2. go程序设计语言 Contents Preface................................................................................................................................. xix PART 1—WHY LEARN GO—GETTING STARTED Chapter 1—Origins, Context and Popularity of Go.......

  3. 所属分类：专业指导

    • 发布日期：2014-06-19
    • 文件大小：4mb
    • 提供者：qq_16547869

  1. introduction to android

  2. Contents Acknowledgments xxxi About the Authors xxxiii Introduction 1 Who Should Read This Book 1 Key Questions Answered in This Book 2 How This Book Is Structured 2 An Overview of Changes in This Edition 3 Development Environments Used in This Book

  3. 所属分类：Android

    • 发布日期：2015-04-23
    • 文件大小：13mb
    • 提供者：cczf520

  1. 各种MOS管78XX系列PCB封装

  2. TO-220 TO-92 LM7805封装 TO-247 TO-263各种MOS管PCB封装

  3. 所属分类：硬件开发

    • 发布日期：2017-04-26
    • 文件大小：279kb
    • 提供者：older123

  1. A Beginner’s Introduction to Computer Programming

  2. How to Use This Book . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . xiii Study Elements . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . xiv En

  3. 所属分类：C++

    • 发布日期：2009-03-04
    • 文件大小：4mb
    • 提供者：surpass2007

  1. Designing A Common Sense Approach to Web & Mobile Application Design

  2. Contents Acknowledgments x Author Biography xi Chapter 1: Defining the Obvious 3 What Is ‘the Obvious’? 6 Qualities of a great application 8 How Do You Design the Obvious? 10 Turn qualities into goals 10 The Framework for Obvious Design 12 Know what

  3. 所属分类：Web开发

    • 发布日期：2019-08-14
    • 文件大小：6mb
    • 提供者：drjiachen

  1. Web Design for Developers_ A Programmer’s Guide to Design Tools and Techniques

  2. Contents 1 Introduction 13 1.1 BeforeWeGetStarted..................... 13 1.2 TheDesignProcessinAction............... 14 1.3 YourFoodbox.com...................... 16 1.4 ReadytoGo?......................... 17 1.5 Acknowledgments.....................

  3. 所属分类：Web开发

    • 发布日期：2019-08-14
    • 文件大小：5mb
    • 提供者：drjiachen

  1. 赫优讯产品TCP IP驱动手册.pdf

  2. 赫优讯产品TCP IP驱动手册pdf,赫优讯产品TCP IP驱动手册Table of contents 1 INTRODUCTION 1 Terms for this manual 2 Overview 3 Message Structure 2 USING SYSTEM SPECIFIC TCP/UDP IP APL. 21 Parameters… 2.2 Open Connection Endpoint 2.3 Establishing of a Connection(Device=Serv

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2019-11-01
    • 文件大小：180kb
    • 提供者：weixin_38744435

  1. 元件及PCB丝印极性认识

  2. 元件及PCB丝印极性认识，PCB设计必备的知识，请收藏~~~元件及PCB丝印什 版本/修改次 极性认识 第3页共12页 元件 元件极性说 PCB丝印极性说 元件名称 实物图片 类别 PCB丝印符号 明 明 丝印符号三角形 有横线一边为负 极(左图红色圈) 本体内引 脚面积较大 丝印圆圈有缺口 的一边为负极 一边为负极 (左图红色圈) 插件发光 2.元件脚较 二极管 短的一边为 负极 实际作业过 丝印圆圈内有线 程中需测量 条一边为负极 确定 (左图红色圈) 丝印圆圈内锥形 LED 尖端一边为负极

  3. 所属分类：硬件开发

    • 发布日期：2019-03-03
    • 文件大小：1mb
    • 提供者：liuliu408

  1. 元器件应用中的Vishay推出新型500V功率MOSFET系列产品

  2. 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新型500V电压的功率MOSFET——SiHP18N50C(TO-220)、SiHF18N50C(TO-220 FULLPAK)、SiHG20N50C，将该公司的6.2代N沟道平面FET技术延伸到TO-220、TO-220F和TO-247封装上。 　　新的SiHP18N50C(TO-220)、SiHF18N50C(TO-220 FULLPAK)和SiHG20N50C具有500V的额定电压，在10V栅极驱动下的最大导通电阻仅

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-11
    • 文件大小：44kb
    • 提供者：weixin_38574132

  1. 元器件应用中的意法推出通态电阻最低仅650V的全新功率MOSFET

  2. 意法半导体推出一款全新功率 MOSFET产品，为设计工程师带来更多选择。新产品 STW77N65M5采用意法半导体的超高能效MDmesh V制造工艺和工业标准TO-247 封装，是业内通态电阻最低的650V MOSFET产品。 　　意法半导体功率MOSFET产品部市场总监Maurizio Giudice表示：“MDmesh V 系列产品整合了意法半导体专属的第五代超结技术，和经过应用验证的 PowerMESH 水平布局设计，产品性能优于同类竞争产品。无论采用何种封装，业界最低的单位芯片面积RD

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-09
    • 文件大小：56kb
    • 提供者：weixin_38570406

  1. 元器件应用中的IR推出沟道型HEXFET功率MOSFET系列

  2. 国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 宣布推出具有基准低通态电阻 (RDS (on)) 的沟道型HEXFET功率MOSFET系列。这些采用TO-247封装的MOSFET适用于同步整流、动态ORing及包括高功率DC马达、DC-AC转换器及电动工具等工业应用。 　　新MOSFET的通态电阻 (RDS (on)) 能效比同类产品高出达50%，无需工业应用中通常使用的大型及昂贵封装，有助于节省总系统成本。此外，低RDS (on) 可降低导通损耗，并提升系统效率

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-15
    • 文件大小：37kb
    • 提供者：weixin_38745859

  1. 元器件应用中的ST推出全新快速恢复MOSFET产品

  2. 意法半导体推出快速恢复MOSFET晶体管新产品系列，为满足包括再生能源控制器在内的以能效为中心的应用需求，新产品在现有产品的基础上提高了开关性能，同时还使导通电阻实现超过18%的降幅。 　　STW55NM60ND是新的超结FDmesh:trade_mark: II系列产品的首款产品，这是一款600V N沟道MOSFET晶体管，0.060欧姆的导通电阻在快速恢复MOSFET晶体管市场上创下最低记录，采用工业标准的TO-247封装。由于最大漏极电流达到51A，在对空间有严格要求的电信设备和服务器

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-22
    • 文件大小：47kb
    • 提供者：weixin_38550334

  1. 元器件应用中的ST新推快速恢复MOSFET晶体管STW55NM60ND

  2. 意法半导体(ST)推出超结FDmesh II系列快速恢复MOSFET晶体管新产品STW55NM60ND，为满足包括再生能源控制器在内的以能效为中心的应用需求，新产品在现有产品的基础上提高了开关性能，同时还使导通电阻实现超过18%的降幅。 　　STW55NM60ND是新的超结FDmesh II系列产品的首款产品，这是一款600V N沟道MOSFET晶体管，0.060欧姆的导通电阻，采用工业标准的TO-247封装。由于最大漏极电流达到51A，在对空间有严格要求的电信设备和服务器系统转换器中，可以用

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-22
    • 文件大小：47kb
    • 提供者：weixin_38692184
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