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  1. 场效应管的工作原理讲解

  2. 1>场效应管的应用原理 2>静态工作点的计算 3>结型场效应管的缺点 4>MOS主要参数： 5>P沟道结型场效应管的特性曲线 6>输出特性曲线

  3. 所属分类：专业指导

    • 发布日期：2010-05-13
    • 文件大小：699kb
    • 提供者：ping77582288

  1. OP放大器应用技巧100例（松井邦彦）

  2. 本书是“图解实用电子技术丛书”之一。本书主要介绍op放大器在电子技术应用领域中100个应用技巧。针对在使用过程中可能出现的问题，结合op放大器特性，进行简要分析，并给出最终解决的方法。同时，尽可能地提供完整的op放大器的性能参数。全书共分11章，第1章介绍op放大器应用技巧须知，第2章介绍单电源/低功率op放大器的应用技巧，第3章介绍op放大器的应用技巧，第4章介绍微小电流op放大器的应用技巧，第5章介绍低噪声op放大器的应用技巧，第6章介绍高速op放大器的应用技巧，第7章介绍op放大器的稳定

  3. 所属分类：硬件开发

    • 发布日期：2012-02-18
    • 文件大小：18mb
    • 提供者：zhenggujianke

  1. LLC谐振半桥计算软件

  2. LLC谐振半桥计算软件参数说明 输入 额定直流输入电压， 最小直流输入电压 最大直流输入电压 主输出的额定输出电压 主输出的最小输出电压 主输出的最大输出电压 折算到主输出的额定输出电流 折算到主输出的最大输出电流 输入过流保护点电流值 输出： 磁芯数量 磁芯有效截面积 变压器匝比：Np/Ns的计算值，用于方便和下面的nreal比较。 变压器实际变比 最大磁通变 化量预设值 原边匝数计算值 原边匝数实际值 副边匝数 最大磁通变化量实际值 最大输入电压，最高开关频率时的励磁电感电流峰值 最大输入

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2017-06-26
    • 文件大小：22kb
    • 提供者：u010280634

  1. 高频变压器计算公式.doc

  2. 高频变压器计算公式doc,1. 已知参数:(1) 输入电压 Vin、Vin(max)、Vin(min) (2)输出电压：Vout (3)l输出功率:Pout (4)电源效率:η (5)开关频率:Fs(t) (6)占空比:Dmax (7)线路主开关管的耐压:V mos

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2019-09-13
    • 文件大小：13kb
    • 提供者：weixin_38744375

  1. Mathcad-全桥变压器计算.xmcd

  2. Mathcad文件，开关电源全桥变压器的设计过程，填入基本输入、输出参数，自动完成计算。内容包括变压器匝比计算、占空比计算、MOS管和二极管的电压电流应力计算、原副边铜线/铜箔电流，以及电流密度计算等。

  3. 所属分类：硬件开发

    • 发布日期：2020-04-16
    • 文件大小：188kb
    • 提供者：qq_32701563

  1. 新手必看 L6562完全中文详细解释.pdf

  2. 新手必看 L6562完全中文详细解释pdf,新手必看 L6562完全中文详细解释压用来给芯片内供电,但是输出驱动M0STT是由vcc直接供电。另外,一个 苧隙电路产生一个精准的2.5V内部参考电压(2.5V+1%),用于环路控制,以此 来获得—一个稳定的调节。 在图片2中可以看到,一个欠电压锁死迟滞比较器,用来保证只有当输入电压足 够高,芯片才运行,以此保证芯片运行在可靠的条件下。 图片2.内部供电模块 UVLO REF D773 差分放大器和过压检测模(见图片3和4) 差分放大器(EA)的反向

  3. 所属分类：其它

  1. Saber仿真在开关电源产品设计中的应用（一）.pdf

  2. Saber仿真在开关电源产品设计中的应用（一）pdf,Saber仿真在开关电源产品设计中的应用（一）.pdfSaber仿真在开关电源产品设计中的应用 Chapter 1 20W两路输出反激式电路仿真分析 Saber仿真在开关电源产品设计中的应用 ■反激式电路由于结构简单,元器件数量少,电压升 降范围宽,易于多路输出,成本低廉等优点,在小 功率电源场合有非常广泛的应用。 在相关的解决方案中,以 unitrode公司(已被T收 购)推出的Uc3842最具有代表性。虽然近年来以 司 TOPswitc

  3. 所属分类：其它

  1. 单级桥式PFC电路功率变压器偏磁产生机理分析.pdf

  2. 单级桥式PFC电路功率变压器偏磁产生机理分析pdf,提出一种单级全桥软开关功率因数校正电路,它采用移相控制方式,能同时实现功率因数校正、软开关、输出电压调节和电气隔离.但由于电路特殊的控制方式和所要实现的功率因数校正功能,该校正电路中的功率变压器除存在普通全桥变换器产生偏磁的原因外,还存在产生偏磁的特殊因素.本文在分析变换器的电路结构和工作原理之后,对偏磁的产生机理进行了分析,指出了该变换器影响偏磁大小的各种因素,并给出一种解决措施,可有效抑制偏磁的产生,最后的仿真和实验证明了理论分析的正确性第

  3. 所属分类：其它

  1. 简易DC-DC系统设计方法.pdf

  2. 简易DC-DC系统设计方法pdf,本文以非隔离低压 Boost型DC-DC转换器为例，从最基本的设计指标出发，浅要阐述了元器件选型的依据，功率级传输函数的获得，电流模控制中电流环路的分析与设计方法，及闭环系统的稳定性分析。leehying126.com 5)功率开关管导通损耗,设其导通电阻为rs,流过其的电流均方值为i2bsm,则其产生的损耗为 6)功率管廾关损耗,包括三部分:导通时间内的电压电流交迭损耗、关断时间内的电压电流交迭 损耗和对功率NMOS漏极电容的充放电损耗,对应式(10)中从左到

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2019-09-14
    • 文件大小：494kb
    • 提供者：weixin_38744153

  1. 进口芯片替代芯片汇总-MS523完美替换RC523_V1.0.pdf

  2. 进口芯片替代芯片汇总-MS523完美替换RC523_V1.0.pdf3瑞盟科技 MS523 快速参考数据 衣1.快速参考数据 符号 参数 条件 最小值典型值最大值单位 模拟电源 VDD(PVDDSVDDAVDDD-VDDTVDD:2]25336 DDD 数字电源 VSSA==VSS(PVSS)-VSSITVSS0V31 2.5 3.6 DDOTVDD lDD电源 2. 3.6 DD(PVDD PvDD电源 1.6 1.8 vsn)SwD电源Vss=、Vsm- VSS(PVSS)=VSSITVss

  3. 所属分类：其它

  1. 进口芯片替代芯片汇总-ms522完美替换RC522_V1.0.pdf

  2. 进口芯片替代芯片汇总-ms522完美替换RC522_V1.0.pdf3瑞盟科技 MS522 快速参考数据 衣1.快速参考数据 符号 参数 条件 最小值典型值最大值单位 模拟电源 VDD(PVDDSVDDAVDDD-VDDTVDD:2]25336 DDD 数字电源 VSSA==VSS(PVSS)-VSSITVSS0V31 2.5 3.6 DDOTVDD lDD电源 2. 3.6 DD(PVDD PvDD电源 1.6 1.8 vsn)SwD电源Vss=、Vsm- VSS(PVSS)=VSSITVss

  3. 所属分类：其它

  1. MOS管子参数计算

  2. 对于一个MOS电路来说，计算的话，有两个参数是比较重要的。一个是vth，一个是UnCox。不考虑其他效应。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-08-04
    • 文件大小：50kb
    • 提供者：weixin_38661236

  1. CMOS欠压保护电路的设计方案分析

  2. 本文设计了一种CMOS工艺下的欠压保护电路，首先分析了电路的工作原理，而后给出了各MOS管的参数计算，并给出pspice仿真的结果。此电路结构简单，工艺实现容易，可用于高压和功率集成电路中的电源保护。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-08-29
    • 文件大小：285kb
    • 提供者：weixin_38669832

  1. 基础电子中的设计高频变压器的计算公式

  2. 公式1: 　　1. 已知参数:  (1) 输入电压 Vin   Vin(max)   Vin(min) 　　(2)输出电压Vout 　　(3)l输出功率:Pout 　　(4)电源效率:η 　　(5)开关频率: Fs(t) 　　(6)占空比:  Dmax 　　(7)线路主开关管的耐压:V mos 　　2. 计算 　　Vf=Vmos-Vin(max)dc-150   ; Vf 电感储能电压,150为余留的余量电压. 　　Np/Ns=Vf/Vout 　　Vin(min)dc * Dmax=V

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-16
    • 文件大小：26kb
    • 提供者：weixin_38620734

  1. PCB技术中的一种CMOS欠压保护电路的设计

  2. 摘要: 本文设计了一种CMOS工艺下的欠压保护电路，首先分析了电路的工作原理，而后给出了各MOS管的参数计算，并给出pspice仿真的结果。此电路结构简单，工艺实现容易，可用于高压和功率集成电路中的电源保护。 　　关键词: CMOS; 欠压保护 1.引言 　　在电机驱动、UPS等系统中电压的稳定尤为重要，欠压、过压保护是必不可少的，因此通过在芯片内部集成过压、欠压保护电路来提高电源的可靠性和安全性。对功率集成电路，为提高电路的可靠性，保护电路同样必不可少。保护电路的设计要简单、实用，本文设计了一

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-12-05
    • 文件大小：235kb
    • 提供者：weixin_38548717

  1. 手把手教你MOS管驱动电流估算

  2. MOS管驱动电流估算及MOS驱动的几个特别应用解析　　MOS管驱动电流估算是本文的重点，如下参数：　　有人可能会这样计算：　　开通电流　　Ion=Qg/Ton=Qg/Td(on)+tr，带入数据得Ion=105nc/(140+500)ns=164mA　　关断电流　　Ioff=Qg/Toff= Qg/Td(off)+tf，带入数据得Ioff=105nc/(215+245)ns=228mA。　　于是乎得出这样的结论，驱动电流只需 300mA左右即可。仔细想想这样计算对吗？这里必须要注意这样一个条件细

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-01-20
    • 文件大小：173kb
    • 提供者：weixin_38700430

  1. 一种CMOS欠压保护电路的设计

  2. 摘要: 本文设计了一种CMOS工艺下的欠压保护电路，首先分析了电路的工作原理，而后给出了各MOS管的参数计算，并给出pspice仿真的结果。此电路结构简单，工艺实现容易，可用于高压和功率集成电路中的电源保护。 　　关键词: CMOS; 欠压保护 1.引言 　　在电机驱动、UPS等系统中电压的稳定尤为重要，欠压、过压保护是必不可少的，因此通过在芯片内部集成过压、欠压保护电路来提高电源的可靠性和安全性。对功率集成电路，为提高电路的可靠性，保护电路同样必不可少。保护电路的设计要简单、实用，本文设计了一

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-01-20
    • 文件大小：385kb
    • 提供者：weixin_38718690

  1. 开关电源设计之MOS管反峰及RCD吸收回路

  2. 对于一位开关电源工程师来说，在一对或多对相互对立的条件面前做出选择，那是常有的事。而我们今天讨论的这个话题就是一对相互对立的条件。（即要限制主MOS管反峰，又要RCD吸收回路功耗） 　　　　在讨论前我们先做几个假设： 　　① 开关电源的工作频率范围:20~200KHZ； 　　② RCD中的二极管正向导通时间很短（一般为几十纳秒）； 　　③ 在调整RCD回路前主变压器和MOS管，输出线路的参数已经完全确定。 　　有了以上几个假设我们就可以先进行计算： 　　一﹑首先对MOS管的VD进行分

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-01-12
    • 文件大小：67kb
    • 提供者：weixin_38508126