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  1. 一种锂电池无线充电模块的设计

  2. 本设计的锂电池无线充电模块的设计采用电磁感应方式,充分结合了磁耦合 技术和开关电源技术。系统分为发射部分和接收部分,在12V电源供电下,接收端 在2.5cm的距离内能稳定输出4.2V充电电压,从而实现了充电电流可调的锂电池无 线充电功能。并且,电路发射端带有电路保护功能,能有效防止功率MOS管被尖 峰电压击穿,短路等问题的产生。在接收端针对锂电池充电的特点进行设计,有 效的防止了锂电池充电过程中可能出现的过充,温度过高,电流过大等危险情况 的发生。整个电路结构简单,工作稳定,接收端实现了小型化
  3. 所属分类:硬件开发

    • 发布日期:2015-11-10
    • 文件大小:3mb
    • 提供者:billion10e
  1. 低压低功耗全摆幅CMOS运算放大器设计与仿真.pdf

  2. 低压低功耗全摆幅CMOS运算放大器设计与仿真pdf,ABSTRACT In recent years, more and more electronic products with battery supply are widely used, which cries for adopting low voltage analog circuits to reduce power consumption, therefore low voltage, low power analog circu
  3. 所属分类:其它

  1. 电子元件分析:MOS管击穿的原因

  2. 本文主要总结MOS管被击穿的原因及其解决方案。
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-07-17
    • 文件大小:67kb
    • 提供者:weixin_38688906
  1. 这几种MOS管“击穿”,你了解几种?

  2. 本文主要对几种MOS管“击穿”进行了简单解析,下面一起来学习一下
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-07-14
    • 文件大小:71kb
    • 提供者:weixin_38693084
  1. MOS管击穿原因和防护措施!

  2. MOS管为什么会被静电击穿?静电击穿是指击穿MOS管G极的那层绝缘层吗?击穿就一定短路了吗?JFET管静电击穿又是怎么回事?下面为大家一一揭晓
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-07-22
    • 文件大小:98kb
    • 提供者:weixin_38687277
  1. MOS管为什么会被静电击穿?

  2. 初学者可能会有这样的疑问,MOS管为什么会被静电击穿?本文就给你答案,一起来看。
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-07-21
    • 文件大小:96kb
    • 提供者:weixin_38552239
  1. MOS管被静电击穿的原因分析

  2. 本文主要对MOS管被静电击穿的原因进行了分析,希望对你的学习有所帮助。
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-07-19
    • 文件大小:97kb
    • 提供者:weixin_38576229
  1. MOS管被静电击穿的几个原因

  2. 本文主要是简单介绍了MOS管被静电击穿的几个原因
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-08-20
    • 文件大小:41kb
    • 提供者:weixin_38669093
  1. 元器件应用中的【E课堂】MOS管为什么会被静电击穿?

  2. MOS管一个ESD敏感器件,它本身的输入电阻很高,而栅源极间电容又非常小,所以极易受外界电磁场或静电的感应而带电(少量电荷就可能在极间电容上形成相当高的电压(想想U=Q/C)将管子损坏,又因在静电较强的场合难于泄放电荷,容易引起静电击穿。静电击穿有两种方式:一是电压型,即栅极的薄氧化层发生击穿,形成针孔,使栅极和源极间短路,或者使栅极和漏极间短路;二是功率型,即金属化薄膜铝条被熔断,造成栅极开路或者是源极开路。JFET管和MOS管一样,有很高的输入电阻,只是MOS管的输入电阻更高。     静
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-10-16
    • 文件大小:99kb
    • 提供者:weixin_38506103
  1. 电源技术中的MOS管为什么会被静电击穿?

  2. MOS管一个ESD敏感器件,它本身的输入电阻很高,而栅-源极间电容又非常小,所以极易受外界电磁场或静电的感应而带电(少量电荷就可能在极间电容上形成相当高的电压(想想U=Q/C)将管子损坏),又因在静电较强的场合难于泄放电荷,容易引起静电击穿。静电击穿有两种方式:一是电压型,即栅极的薄氧化层发生击穿,形成针孔,使栅极和源极间短路,或者使栅极和漏极间短路;二是功率型,即金属化薄膜铝条被熔断,造成栅极开路或者是源极开路。JFET管和MOS管一样,有很高的输入电阻,只是MOS管的输入电阻更高。    
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-10-16
    • 文件大小:99kb
    • 提供者:weixin_38677936
  1. 元器件应用中的MOS管被静电击穿的原因分析

  2. MOS管一个ESD敏感器件,它本身的输入电阻很高,而栅-源极间电容又非常小,所以极易受外界电磁场或静电的感应而带电,又因在静电较强的场合难于泄放电荷,容易引起静电击穿。   静电击穿有两种方式;   一是电压型,即栅极的薄氧化层发生击穿,形成针孔,使栅极和源极间短路,或者使栅极和漏极间短路;   二是功率型,即金属化薄膜铝条被熔断,造成栅极开路或者是源极开路。   现在的mos管没有那么容易被击穿,尤其是是大功率的vmos,主要是不少都有二极管保护。vmos栅极电容大,感应不出高压。若是
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-10-16
    • 文件大小:101kb
    • 提供者:weixin_38614812
  1. 电子维修中的华硕F80S大电流维修一例

  2. 机型,F80S2现象,不开机,一上电源大电流,众所周知嘛,短路。   先目测主板无烧机,无撞件,无进水总之没发现问题。   量测AC_BAT_SYS与VCORE都对地了,然后量到Q8007 CE8006被击穿,换后AC_BAT_SYS与VCORE二极值都正常了,但是上电后还是大电流,立刻拔电源量测Q8007 CE8006同时又被击穿了。   怀疑VCORE电压的高低 MOS管有问题,当量测到Q8006的控制端第4pin时发现其二极值偏低100,用万用表量测Q8006二端阻抗发现4pin 
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-10-21
    • 文件大小:132kb
    • 提供者:weixin_38746387
  1. 基础电子中的一种简单的防短路保护方法

  2. 简介:注释:静电损坏器件是击穿,和烧毁是两个概念,不要混淆在一起。   前段时间开发了一个产品,由单片机控制对负载供电,满负载时基准电流为800毫安,程序提供不同的供电模式,具体是由单片机输出一个PWM信号控制MOS管,从而按要求调整工作电流。我们知道MOS管导通时内阻非常小,我们所用的型号约为0.1欧姆的样子,这样正常工作时上面最大压降非常小,只有800毫安*0.1欧姆=0.08伏,上面的功率损耗为0.064瓦,对于电源控制来说是一种效果不错的器件。   虽然MOS管导通内阻非常小,但所流
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-10-19
    • 文件大小:62kb
    • 提供者:weixin_38587473
  1. MOS管击穿原因及解决方案

  2. 讨论MOS管被击穿的原因及解决方案.
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-10-25
    • 文件大小:60kb
    • 提供者:weixin_38588854
  1. 元器件应用中的MOS管击穿的原因及解决方案

  2. MOS管被击穿的原因及解决方案如下:   第一、MOS管本身的输入电阻很高,而栅-源极间电容又非常小,所以极易受外界电磁场或静电的感应而带电,而少量电荷就可在极间电容上形成相当高的电压(U=Q/C),将管子损坏。虽然MOS输入端有抗静电的保护措施,但仍需小心对待,在存储和运输中最好用金属容器或者导电材料包装,不要放在易产生静电高压的化工材料或化纤织物中。组装、调试时,工具、仪表、工作台等均应良好接地。要防止操作人员的静电干扰造成的损坏,如不宜穿尼龙、化纤衣服,手或工具在接触集成块前最好先接一下
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-11-09
    • 文件大小:68kb
    • 提供者:weixin_38557757
  1. 一种简单的防短路保护方法

  2. 简介:注释:静电损坏器件是击穿,和烧毁是两个概念,不要混淆在一起。   前段时间开发了一个产品,由单片机控制对负载供电,满负载时基准电流为800毫安,程序提供不同的供电模式,具体是由单片机输出一个PWM信号控制MOS管,从而按要求调整工作电流。我们知道MOS管导通时内阻非常小,我们所用的型号约为0.1欧姆的样子,这样正常工作时上面压降非常小,只有800毫安*0.1欧姆=0.08伏,上面的功率损耗为0.064瓦,对于电源控制来说是一种效果不错的器件。   虽然MOS管导通内阻非常小,但所流过的
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2021-01-20
    • 文件大小:61kb
    • 提供者:weixin_38686153
  1. 华硕F80S大电流维修一例

  2. 机型,F80S2现象,不开机,一上电源大电流,众所周知嘛,短路。   先目测主板无烧机,无撞件,无进水总之没发现问题。   量测AC_BAT_SYS与VCORE都对地了,然后量到Q8007 CE8006被击穿,换后AC_BAT_SYS与VCORE二极值都正常了,但是上电后还是大电流,立刻拔电源量测Q8007 CE8006同时又被击穿了。   怀疑VCORE电压的高低 MOS管有问题,当量测到Q8006的控制端第4pin时发现其二极值偏低100,用万用表量测Q8006二端阻抗发现4pin 
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2021-01-20
    • 文件大小:305kb
    • 提供者:weixin_38678550
  1. MOS管为什么会被静电击穿

  2. MOS管一个ESD敏感器件,它本身的输入电阻很高,而栅-源极间电容又非常小,所以极易受外界电磁场或静电的感应而带电(少量电荷就可能在极间电容上形成相当高的电压(想想U=Q/C)将管子损坏),又因在静电较强的场合难于泄放电荷,容易引起静电击穿。静电击穿有两种方式:一是电压型,即栅极的薄氧化层发生击穿,形成针孔,使栅极和源极间短路,或者使栅极和漏极间短路;二是功率型,即金属化薄膜铝条被熔断,造成栅极开路或者是源极开路。JFET管和MOS管一样,有很高的输入电阻,只是MOS管的输入电阻更高。   静
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2021-01-20
    • 文件大小:95kb
    • 提供者:weixin_38551749
  1. Mos管被esd击穿的解决方案

  2. 大家可能并不陌生MOS管,由于MOS管不具备防静电、防浪涌。ESD静电和浪涌无处不在,存在于任何的电子产品中,令人防不胜防。   然而MOS管却又是一个ESD静电极具敏感器件,它本身的输入电阻很高,而栅-源极间电容又非常小,所以极易受外界电磁场或静电的感应而带电,又因在静电较强的场合难于泄放电荷,容易引起静电击穿。究竟该如何解决MOS管被ESD击穿的改善方法,想知道的,阅读完下文,你必有所得。   esd,esd静电   一、MOS管本身的输入电阻很高,而栅源极间电容又非常小,所以极易受外
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2021-01-20
    • 文件大小:59kb
    • 提供者:weixin_38628926
  1. MOS管为什么会被静电击穿?

  2. MOS管一个ESD敏感器件,它本身的输入电阻很高,而栅-源极间电容又非常小,所以极易受外界电磁场或静电的感应而带电(少量电荷就可能在极间电容上形成相当高的电压(想想U=Q/C)将管子损坏),又因在静电较强的场合难于泄放电荷,容易引起静电击穿。静电击穿有两种方式:一是电压型,即栅极的薄氧化层发生击穿,形成针孔,使栅极和源极间短路,或者使栅极和漏极间短路;二是功率型,即金属化薄膜铝条被熔断,造成栅极开路或者是源极开路。JFET管和MOS管一样,有很高的输入电阻,只是MOS管的输入电阻更高。    
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2021-01-13
    • 文件大小:97kb
    • 提供者:weixin_38688956