本文首先介绍了电子器件计算机模拟的分类、MOSFET的建模发展动态、对器 件模型的要求以及模型参数的提取方法。在第二章中建立了MOS晶体管在直流端 电压条件下的工作模型;第三章推导了MOSFET的大信号模型,这两类模型不同 于传统模拟软件例如PSP工CE中的等效电路模型,而是从模型方程出发,采用数 值模拟的方法,提高了模拟的精度。第四章和第五章分别建立了MOS晶体管低频、 中频、高频的小信号模型,虽然借鉴了PSP工CE模拟软件中用等效电路模型的方 法,但是本文分别讨论了准静态和非准静态时器件的