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搜索资源列表

  1. 3d-rram 存储技术

  2. NAND闪存在25nm工艺之后出现了严重的性能下滑、寿命缩短问题，RRAM则可以一路走到5nm甚至更远。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2014-06-03
    • 文件大小：6mb
    • 提供者：shookesky

  1. 用ReRAM实现每台服务器1GIOPS的性能

  2. 应用基于低延迟/低功耗的新型存储级存储器的子系统来优化服务器设计以消除计算/存储一侧的瓶颈。 超融合架构扰乱了传统的存储和数据中心市场。因为超融合架构为各个组织开辟了一条新的途径来强化他们的系统，降低了他们的成本，减轻了他们的管理负但。根据Gartner的研究报告，“超融合集成系统市场将会迎来79%的增长，达到2016年的近20亿美元，从而在未来的5年后将其推进主流应用中。超融合集成系统将会成为整个集成市场中增长最迅猛的细分市场，在2019年前，将会达到将近50亿美元的规模，占总体市场的24%

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-16
    • 文件大小：194kb
    • 提供者：weixin_38606897

  1. 存储/缓存技术中的揭秘可变成处理器的存储器

  2. 新加坡南洋理工大学、德国亚琛工业大学和尤利希研究中心的科学家团队找到了一种方法让记忆芯片执行传统上由处理器完成的计算任务。这意味着存储芯片能在存储数据的同一位置处理数据，将有助于创造出更小更快更薄的移动设备和计算机，通过减少处理器而节省空间。 　　新的计算电路使用了SanDisk和松下等公司研发的电阻式随机存取内存（ReRAM）芯片，研究显示ReRAM芯片不仅可以储存数据，还可以处理数据。研究报告发表在《ScienTIfic Reports》期刊上。 　　 　

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-15
    • 文件大小：211kb
    • 提供者：weixin_38529293

  1. RFID技术中的为什么ReRAM会成为物联网芯片主流内存解决方案？

  2. 物联网应用若要全面普及，势必需要在人类生活环境中部署大规模传感器等基础设施，这些设备若能拥有愈长的电池续航力当属愈好，一来可节省维护成本、二来有助提高物联网基础设施可持续性。 　　现阶段业界也在寻找可大幅降低物联网设备能源消耗的办法，为此业界发现物联网芯片中内嵌“可变电阻式内存”(ReRAM)，有助达成此一节能目标。 　　据Embedded Computing Design网站报导，若要达到物联网应用的能源采用要求，需要导入各式节能策略，即使多数物联网设备设计成可休眠或待命的模式，但再怎么说

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-15
    • 文件大小：96kb
    • 提供者：weixin_38556416

  1. 嵌入式系统/ARM技术中的惠普海力士合作打造忆阻器存储

  2. 惠普公司今天宣布，已经和韩国海力士半导体达成合作研发协议，双方将共同致力于在未来的产品中使用Memristor忆阻器技术，即使用电阻实现存储的ReRAM（Resistive Random Access Memory电阻式存储器）。 　　忆阻器技术的研究实际上已有数十年的历史。1971年，加州大学伯克利分校Leon Chua教授预测，在电容、电阻和电感之外，还存在第四种基本元件：记忆电阻（Memristor）。这种电阻能够通过施加不同方向、大小电压，改变其阻值。由于可以使用不同阻值代表数字信号，忆

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-23
    • 文件大小：64kb
    • 提供者：weixin_38650629

  1. 一种基于ReRAM的新型图形计算内存处理架构

  2. 一种基于ReRAM的新型图形计算内存处理架构

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-02-26
    • 文件大小：855kb
    • 提供者：weixin_38694699

  1. 不同退火温度的ZnO基ReRAM的电阻开关特性

  2. 不同退火温度的ZnO基ReRAM的电阻开关特性

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-02-24
    • 文件大小：627kb
    • 提供者：weixin_38629939

  1. Performance Improvement of AmorphousIndium-Gallium-Zinc Oxide ReRAM with SiO2 Inserting Layer

  2. Performance Improvement of AmorphousIndium-Gallium-Zinc Oxide ReRAM with SiO2 Inserting Layer

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-02-10
    • 文件大小：840kb
    • 提供者：weixin_38651273

  1. 富士通业内密度8Mbit ReRAM将量产

  2. 富士通电子元器件（上海）有限公司今日宣布，推出业内密度8Mbit ReRAM（注１）---“MB85AS8MT”，此款ReRAM量产产品由富士通与松下电器半导体（Panasonic Semiconductor Solutions Co. Ltd.）（注2）合作开发，将于今年9月开始供货。MB85AS8MT是采用SPI接口并与带电可擦可编程只读存储器 （EEPROM） 兼容的非挥发性内存，能在1.6至3.6伏特之间的广泛电压范围运作。其一大特色是极低的平均电流，在5MHz工作频率下仅需0.15mA

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-01-20
    • 文件大小：53kb
    • 提供者：weixin_38722588

  1. 为什么ReRAM会成为物联网芯片主流内存解决方案？

  2. 物联网应用若要全面普及，势必需要在人类生活环境中部署大规模传感器等基础设施，这些设备若能拥有愈长的电池续航力当属愈好，一来可节省维护成本、二来有助提高物联网基础设施可持续性。 　　现阶段业界也在寻找可大幅降低物联网设备能源消耗的办法，为此业界发现物联网芯片中内嵌“可变电阻式内存”(ReRAM)，有助达成此一节能目标。 　　据Embedded Computing Design网站报导，若要达到物联网应用的能源采用要求，需要导入各式节能策略，即使多数物联网设备设计成可休眠或待命的模式，但再怎么说

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-01-19
    • 文件大小：92kb
    • 提供者：weixin_38707217