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搜索资源列表

  1. 3d-rram 存储技术

  2. NAND闪存在25nm工艺之后出现了严重的性能下滑、寿命缩短问题，RRAM则可以一路走到5nm甚至更远。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2014-06-03
    • 文件大小：6mb
    • 提供者：shookesky

  1. Circuit Design, Architecture and CAD for RRAM-based FPGAs

  2. 《Circuit Design, Architecture and CAD for RRAM-based FPGAs》

  3. 所属分类：专业指导

    • 发布日期：2019-03-01
    • 文件大小：10mb
    • 提供者：qq_33304345

  1. 新兴的非易失性内存体系结构的高速缓存优化方法：一项调查

  2. 随着半导体Craft.io的发展，处理器集成的片上缓存越来越大，传统存储器件的漏电引起的问题日益严峻，如何设计高能效的片上存储架构已成为重要挑战。为解决这些问题，大量研究为探索自转扭矩RAM（STT-RAM），相变存储器（PCM） ，电阻RAM（RRAM）和域壁内存（DWM）新型新型插入性存储器（非易失性存储器，NVM）架构缓存的方法，对比了其与传统存储器件的物理特性，讨论了其架构缓存的优缺点和适用性，重点分类并汇总了其架构缓存的优化方法和策略，分析了其中针对的新型插入性存储器写入高，写寿命有限

  3. 所属分类：其它

  1. 基于HfO2的RRAM的渐进式单极RESET过渡中的电压和功率控制机制

  2. 基于HfO2的RRAM的渐进式单极RESET过渡中的电压和功率控制机制

  3. 所属分类：其它

  1. 氧化物击穿渗滤模型启发的RRAM集合统计模型

  2. 氧化物击穿渗滤模型启发的RRAM集合统计模型

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-03-24
    • 文件大小：600kb
    • 提供者：weixin_38667835

  1. 用于高密度电阻存储应用的双极一二极管一电阻器集成

  2. 与常规的单极型1D-1R RRAM器件不同，提出了双极型1D-1R存储器件的概念，并通过将Ni / TiOx / Ti二极管和Pt / HfO2 / Cu双极RRAM单元集成在一起来成功抑制了不希望有的现象。在交叉点阵列中潜行电流。双极1D-1R存储器件不仅通过Ni / TiOx / Ti二极管的反向偏置电流实现了自兼容的电阻开关特性，而且还具有出色的双极性电阻开关特性，例如开关均匀，令人满意的数据保持能力和出色的可扩展性，这为高密度集成非易失性存储器应用提供了很大的潜力。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-03-20
    • 文件大小：607kb
    • 提供者：weixin_38690830

  1. RRAM-SPICE-Retention:使用SPICEVerilog-A模型进行RRAM保留建模-源码

  2. RRAM-SPICE-保留 使用SPICE / Verilog-A模型进行RRAM保留建模

  3. 所属分类：其它

  1. 基于带有印刷Ag电极的旋涂a-IGZO薄膜的RRAM器件的电阻开关特性

  2. 在这项工作中，主要基于基于溶液的合成方法制造了具有Ag / a-IGZO / ITO结构的存储器件。 具体地，通过旋涂IGZO墨水制备IGZO薄膜，并且通过喷墨印刷形成顶部Ag电极。 电气测量表明，Rorr / RoN比超过了两个数量级，并且器件的电阻可以保持高达105s，而不会劣化。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-03-13
    • 文件大小：296kb
    • 提供者：weixin_38631329

  1. 合并界面：电源； 基于RRAM交叉开关的混合信号计算系统的面积和精度协同优化

  2. 合并界面：电源； 基于RRAM交叉开关的混合信号计算系统的面积和精度协同优化

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-03-12
    • 文件大小：650kb
    • 提供者：weixin_38562392

  1. 通过导电丝的横向溶解来克服RESET电流和RRAM数据保持之间的难题

  2. 通过导电丝的横向溶解来克服RESET电流和RRAM数据保持之间的难题

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-03-11
    • 文件大小：905kb
    • 提供者：weixin_38685455

  1. RRAM基氧化物材料的TID效应

  2. RRAM在TID辐射下表现出高度稳定的特性。 但是辐射不同效果在基于RRAM的不同氧化物中显示。 基于RRAM的辐射效应对HfO2和SiO2进行了测试和分析。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-03-06
    • 文件大小：539kb
    • 提供者：weixin_38552305

  1. 重离子辐射对Pt / HfO2 / Ti电阻开关记忆的影响

  2. 在此概述中，研究了具有Pt / HfO2 / Ti结构的电阻式随机存取存储器（RRAM）在辐射环境中的应用。 使用HIRFL（兰州的重离子研究设施）的重离子86Kr26 +作为辐射源。 86Kr26 +的能量为25 MeV / u，LET的能量为37.6 MeV /（cm2 / mg），辐射后获得5e11的能量密度。 在辐射之前和之后比较Pt / HfO2 / Ti的基本电性能。 辐射后的原始电阻值显示出明显的降低，并且不再需要形成过程。 辐射后，HRS，LRS，过渡电压和耐力仍然稳定。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-03-06
    • 文件大小：342kb
    • 提供者：weixin_38629362

  1. RRAM的氧空位与金属细丝机制SPM的比较

  2. RRAM的氧空位与金属细丝机制SPM的比较

  3. 所属分类：其它

  1. 通过导电丝的横向溶解来克服RESET电流和RRAM数据保持之间的难题

  2. 具有低开关电流的电阻式开关存储器对于低功耗应用至关重要。 在这封信中，我们成功地演示了具有超低开关电流的四端电阻RAM器件。 该设备通过一对电极设置，并通过另一对电极重置。 导电丝的断裂过程可以由侧向电场主导的电化学React引起。 因此，在RESET过程中，没有电流流过灯丝，从而导致超低开关电流。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-03-03
    • 文件大小：970kb
    • 提供者：weixin_38530202

  1. 使用RRAM刺激神经网络：我们可以将其用于实际应用吗？

  2. 使用RRAM刺激神经网络：我们可以将其用于实际应用吗？

  3. 所属分类：其它

  1. Energy Efficient RRAM Spiking Neural Network for Real Time Classification

  2. Energy Efficient RRAM Spiking Neural Network for Real Time Classification

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-02-22
    • 文件大小：770kb
    • 提供者：weixin_38656103

  1. First principle simulations on the effects of oxygen vacancy in HfO2-based RRAM

  2. First principle simulations on the effects of oxygen vacancy in HfO2-based RRAM

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-02-22
    • 文件大小：13mb
    • 提供者：weixin_38624557

  1. Testing of 1TnR RRAM arraywith sneak path technique

  2. Testing of 1TnR RRAM arraywith sneak path technique

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-02-11
    • 文件大小：137kb
    • 提供者：weixin_38699724

  1. 基于RRAM的混合存储模型

  2. 传统的DRAM受其存储密度、工艺尺寸限制已不能满足大数据时代对海量信息存储的需求。针对这一问题，提 出一种混合存储模型。在传统内存结构的基础上，引入阻变存储器 （RRAM）作为同级存储设备，利用其存储密度高、扩 展性强、非易失性等特性提高内存系统的容量和可靠性。通过构建混合内存控制器，合理分发请求，利用DRAM快速的 写效率特性弥补新型存储器写延迟的缺点。在测试集PARSEC下对混合内存系统的读写性能进行测试与分析，验证了混合 存储模型有效性。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-02-07
    • 文件大小：927kb
    • 提供者：weixin_38534352

  1. 基于HfO2的单极RRAM器件中的逐周期固有RESET统计信息

  2. 基于HfO2的单极RRAM器件中的逐周期固有RESET统计信息

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-03-20
    • 文件大小：602kb
    • 提供者：weixin_38590567
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