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搜索资源列表

  1. Low temperature deposition of p-type nc-Si:H thin films for superstrate a-Si:H based p-i-n solar cells

  2. 低温沉积p型氢化纳米硅与非晶硅pin顶衬太阳电池，胡志华，Shi Qingnan，Boron doped nc-Si:H p-layers were deposited by PECVD technique at a low substrate temperature (~60 0C) with various hydrogen dilution ratio of 150, 100 and 50 respectively. Transmi

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-03-14
    • 文件大小：429056
    • 提供者：weixin_38719564

  1. Theoretical analysis of the double-layer emitter with different doping concentrations for a-Si:H/c-Si heterojunction sol

  2. a-Si:H/c-Si 晶硅异质结太阳电池的高-低掺杂双层发射极结构的模拟研究，黄海宾，高江，由不同掺杂浓度的双层a-Si:H薄膜构成的新型发射极结构用以改进a-Si:H/c-Si异质结太阳电池的性能。根据AFORS-HET软件模拟优化的结果，这种�

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-03-13
    • 文件大小：401408
    • 提供者：weixin_38623000

  1. GaAs/Si（100）和GaAs/Si（100)4º异质外延的比较研究

  2. GaAs/Si（100）和GaAs/Si（100)4º异质外延的比较研究，冯建友，任晓敏，采用金属有机化学汽相沉积法（MOCVD）在Si衬底上外延生长GaAs层，对比了晶向为（100）面无偏角和（100）面向[011]方向偏4º的Si衬底,并�

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-03-05
    • 文件大小：388096
    • 提供者：weixin_38532139

  1. Si－TiNx和TiNx－Cu界面反应驱动力热力学分析

  2. Si－TiNx和TiNx－Cu界面反应驱动力热力学分析，李长荣，李维君，在半导体硅片(Si)－扩散阻挡层(TiNx)－金属互连材料(Cu)构成的体系中，Si和TiNx之间和TiNx和Cu之间各构成一对扩散偶。本文将从热力学的角�

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-03-05
    • 文件大小：443392
    • 提供者：weixin_38744526

  1. H3C E126-SI以太网交换机 安装手册

  2. H3C E126-SI以太网交换机（以下简称E126-SI）是汇聚和接入级二层线速以太网交换产品，主要定位于教育网的应用。E126-SI提供1个Console口、24个普通10/100Base-TX自适应以太网端口和2个千兆上行端口。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-03-05
    • 文件大小：633856
    • 提供者：weixin_38747444

  1. H3C E126-SI 以太网交换机用户手册

  2. H3C E126-SI以太网交换机（以下简称E126-SI）是针对教育行业构建高弹性、高智能网络需求而设计的新一代以太网交换机产品。E126-SI提供1个Console口、24个10/100Base-TX自适应以太网端口和2个千兆上行端口。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-03-05
    • 文件大小：1036288
    • 提供者：weixin_38747216

  1. H3C S5500-SI系列以太网交换机快速入门

  2. 本书介绍H3C S5500-SI系列交换机整机安装方法、模块安装方法、电源连接方法、地线连接方法及配置口电缆连接方法。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-03-04
    • 文件大小：2097152
    • 提供者：weixin_38694699

  1. H3C S5500-SI系列以太网交换机安装手册

  2. 《H3C S5500-SI系列以太网交换机 安装手册》主要介绍了H3C S5500-SI系列以太网交换机的硬件特性及交换机的安装、配置和维护。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-03-04
    • 文件大小：2097152
    • 提供者：weixin_38657102

  1. H3C S5500-SI 系列 10G接口模块安装指南

  2. H3C S5500-SI系列交换机是华为3Com公司自主开发的全千兆三层以太网交换机产品，具备丰富的业务特性，提供IPv6转发功能以及最多4个10GE扩展接口，支持PoE功能。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-03-04
    • 文件大小：494592
    • 提供者：weixin_38717574

  1. 脉冲激光烧蚀制备纳米Si晶粒的动力学研究

  2. 脉冲激光烧蚀制备纳米Si晶粒的动力学研究，李红伟，苏威，本文采用准分子激光器在10Pa氩气环境中烧蚀单晶硅靶，用扫描电子显微镜观察了沉积物的表面形貌，可以得到衬底上晶粒面密度及平均�

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-03-04
    • 文件大小：248832
    • 提供者：weixin_38711041

  1. Si含量对TiSixNy超硬涂层结构和性能的影响

  2. Si含量对TiSixNy超硬涂层结构和性能的影响，陆永浩，李明星，本文采用四靶（2个Ti靶和2个Si靶）非平衡磁控溅射沉积工艺，在氮氩混合气氛和500℃基体温度下，通过调节硅靶溅射电流在单晶Si（100）�

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-03-04
    • 文件大小：425984
    • 提供者：weixin_38747566

  1. 利用SrMnO3缓冲层实现Si（001）衬底上La0.7Sr0.3MnO3薄膜择优取向的生长

  2. 利用SrMnO3缓冲层实现Si（001）衬底上La0.7Sr0.3MnO3薄膜择优取向的生长，代红云，王波，本文采用单层SrMnO3（SMO）作为缓冲层，在传统半导体Si(001)衬底上成功制备出具有（110）面择优取向的La0.7Sr0.3MnO3（LSMO）薄膜。SMO/Si异质�

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-03-03
    • 文件大小：422912
    • 提供者：weixin_38546622

  1. 利用不锈钢渣制备Si-Fe-Cr合金和微晶玻璃

  2. 利用不锈钢渣制备Si-Fe-Cr合金和微晶玻璃，周雪麟，束奇峰，本文提出了一种新的方法在实现不锈钢渣解毒的同时利用不锈钢渣制备硅铁合金和微晶玻璃。使用Si粉还原不锈钢渣使Si-Cr-Fe合金与玻璃�

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-03-01
    • 文件大小：649216
    • 提供者：weixin_38609720

  1. 电针对SI-PHT大鼠肾脏CXCR-2、MCP-1表达的影响

  2. 电针对SI-PHT大鼠肾脏CXCR-2、MCP-1表达的影响，郭文，朱华超，目的：本研究运用实时荧光定量聚合酶链式反应技术（Real-time RT-PCR）,采用应激性高血压前期大鼠模型，观察电针对应激性高血压前期模�

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-03-01
    • 文件大小：503808
    • 提供者：weixin_38699724

  1. Si端面β-SiC(001)表面的原子结构随温度变化的分子动力学模拟

  2. Si端面β-SiC(001)表面的原子结构随温度变化的分子动力学模拟，马梨，赵耀林，本文采用了Tersoff/ZBL势对不同温度下Si端面的β-SiC(001)表面的原子结构进行了分子动力学（MD）模拟研究。模拟发现，各温度下Si端面的β-Si

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-02-29
    • 文件大小：912384
    • 提供者：weixin_38679277

  1. Al-Si合金凝固组织的三维模拟及预测

  2. Al-Si合金凝固组织的三维模拟及预测，张华，倪红卫，用有限元商业软件PROCAST中的CA-FÉ（Cellular Automaton-Finite Element）模型，对不同工艺条件下Al-Si合金A104的凝固组织进行了三维模拟及预�

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-02-28
    • 文件大小：592896
    • 提供者：weixin_38577648

  1. TiO2/p+-Si异质结的电致发光

  2. TiO2/p+-Si异质结的电致发光，章圆圆，马向阳，利用磁控溅射法在重掺硼硅片（p+-Si）衬底上沉积Ti薄膜，然后通过热氧化制备了TiO2薄膜，从而形成TiO2/p+-Si异质结。研究发现，该异质结

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-02-28
    • 文件大小：638976
    • 提供者：weixin_38751016

  1. 硅衬底上径向a-Si:H(P)/c-Si(N)异质结的制备

  2. 硅衬底上径向a-Si:H(P)/c-Si(N)异质结的制备，孙艳平，刘艳红，首先，在n/N+外延硅衬底上利用化学刻蚀法完成大面积均一硅纳米线的刻蚀，再利用热丝化学气相淀积法（HWCVD）沉积p型非晶硅薄膜，从�

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-02-28
    • 文件大小：267264
    • 提供者：weixin_38550146

  1. Si-RF Technology by Ayan Karmakar, Kamaljeet Singh

  2. Si-RF Technology by Ayan Karmakar, Kamaljeet Singh .pdf

  3. 所属分类：讲义

    • 发布日期：2020-02-27
    • 文件大小：8388608
    • 提供者：weixin_40465777

  1. TiO2修饰Si/Fe2O3纳米线阵列电极的光电化学性能研究

  2. TiO2修饰Si/Fe2O3纳米线阵列电极的光电化学性能研究，李艳芳，林仕伟，为了进一步改善Si纳米线阵列/Fe2O3（SiNWs/Fe2O3）复合光电极的光电化学性能，采用原子层沉积技术在SiNWs/Fe2O3样品表面均匀的包覆一层TiO2�

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-02-26
    • 文件大小：748544
    • 提供者：weixin_38535221
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