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  1. 基于结终端扩展的4H-SiC肖特基势垒二极管研制

  2. 碳化硅半导体材料与器件,主要研究了4H-SiC利用终端扩展技术制作肖特基势垒二极管的相关内容
  3. 所属分类:专业指导

    • 发布日期:2013-12-23
    • 文件大小:372kb
    • 提供者:u013256033
  1. SiC光导开关特性分析.pdf

  2. 光导开关因其具备开关速度快、传输功率大、同步精度高、触发抖动小、器件结构简单、使用寿命长、近乎完美的光电隔离和不受电磁干扰等优良特性在超宽带脉冲,超快电子等领域表现出诱人的发展潜力和应用前景。   本文首先对光导开关的发展历史做了简要回顾,概述了光导开关的发展状况,介绍了光导开关的两种主要的工作模式,同时对用于制作光导开关的半导体材料进行了简要分析。在对光导开关材料分析的基础上,提出了一种新的异质结碳化硅光导开关器件结构。该结构可以把碳化硅材料的优良特性与光导开关的杰出优点有机结合,可以增大光
  3. 所属分类:其它

  1. 光伏逆变器之高效SiC技术的介绍和分析.doc

  2. 随着电力电子变换系统对于效率和体积提出更高的要求,SiC(碳化硅)将会是越来越合适的半导体器件。尤其针对光伏逆变器和UPS应用
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2019-09-05
    • 文件大小:750kb
    • 提供者:weixin_38743481
  1. AQG324_Rel_02_1_2019_15May2019电动汽车试验标准.pdf

  2. AQG324标准是机动车辆电力电子转换器单元(PCU)功率模块的测试标准 本标准定义了功率模块所需验证的测试项目、测试要求以及测试条件,适用范围包括电力电子模块的使用寿命和基于分立器件的等效特殊设计,例如用于高达3.5吨机动车辆的电力电子转换器单元(PCU)。 标准中定义的测试项目是基于当前已知的模块失效机制和机动车辆功率模块的特定使用说明文件进行编写的。 本标准列出的测试项目、测试要求以及测试条件,大体上适用于Si基功率半导体模块。后续发行版本将涉及替代半导体技术,如 SiC或GaN
  3. 所属分类:交通

    • 发布日期:2020-03-11
    • 文件大小:2mb
    • 提供者:didiaoc51
  1. 高效SiC技术的介绍和分析

  2. 随着电力电子变换系统对于效率和体积提出更高的要求,SiC(碳化硅)将会是越来越合适的半导体器件。尤其针对光伏逆变器和UPS应用,SiC器件是实现其高功率密度的一种非常有效的手段。本文主要介绍SiC技术优点、缺点及目前应用层面的一些瓶颈。
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-08-05
    • 文件大小:84kb
    • 提供者:weixin_38631329
  1. 全SIC模块技术的应用

  2. sic器件半导体具有耐高压耐低温的独特优越性,为了最大限度的发挥这些优势,对新结构进行了发挥,创造了sic模块,用于各种电力电子器件。
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-08-09
    • 文件大小:188kb
    • 提供者:weixin_38701407
  1. LED照明中的LED照明技术的专业解读

  2. 发光二极管(s)的最新进展使得照明行业快速增长。目前,固态照明技术逐步渗透到不同细分市场,如汽车照明、室内及、医疗应用、以及生活用品。LED装置是一个复杂的多组分系统,可根据特定需求调整性能特征。以下章节将讨论白光LED及其他应用。LED的发展之路(Leading the way to LEDs)无机材料中电致发光现象是LED发光的基础,HenryRound和Oleg Vladimirovich Losev于1907年和1927年分别报道LED发光现象——电流通过使得碳化硅(SiC)晶体发光。这
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-10-15
    • 文件大小:240kb
    • 提供者:weixin_38705014
  1. SiC 与 GaN 的兴起与未来 行业分析报告

  2. 行业深度分析报告,SiC 与 GaN 的兴起与未来 ,具有很强的参考价值,值得行业相关人员借鉴,包括宽禁带半导体材料,技术、行业现状 投资建议、风险提示等
  3. 所属分类:制造

    • 发布日期:2020-10-09
    • 文件大小:3mb
    • 提供者:fox0329
  1. 模拟技术中的SiC宽带功率放大器模块设计分析

  2. 摘 要:功率放大器是射频前端中的关键部件, 宽带是目前功率放大器的主要发展趋势。基于碳化硅( SiC) 宽禁带功率器件, 利用ADS 仿真软件, 依据宽带功率放大器的各项指标进行电路的设计、优化和仿真, 制作了500 ~2 000MHz波段宽带功率放大器, 并对放大器进行了性能测试和环境实验。测试结果表明利用该方法设计宽带功率放大器是可行的, SiC 宽禁带功率器件具有较宽的工作带宽。   0  引言   随着现代技术的发展, 功率放大器已成为无线通信系统中一个不可或缺的部分, 特别是宽带大
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-10-23
    • 文件大小:246kb
    • 提供者:weixin_38711740
  1. 模拟技术中的一种S波段宽带GaN放大器的设计

  2. 摘 要: 氮化镓功率管的宽带隙、高击穿电场等特点, 使其具有带宽宽, 高效特性等优点。为了研究GaN 功率放大器的特点, 使用了Ag ilent ADS 等仿真软件, 进行电路仿真设计, 设计制作了一种S 波段宽带GaN 功率放大器。详述了电路仿真过程, 并对设计的宽带GaN 功率放大器进行测试, 通过测试的实验数据表明, 设计的宽带放大器在S 波段宽带内可实现功率超过44 dBm 的功率输出, 验证了GaN 功率放大器具有宽带的特点。   新一代半导体功率器件主要有SiC 场效应晶体管和Ga
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-10-23
    • 文件大小:292kb
    • 提供者:weixin_38607864
  1. ROHM提供最新功率元器件产品阵容

  2. 全球知名半导体制造商ROHM利用多年来在消费电子领域积累的技术优势,正在积极推进面向工业设备领域的产品阵容扩充。在支撑“节能、创能、蓄能”技术的半导体功率元器件领域,ROHM实现了具有硅半导体无法得到的突破性特性的碳化硅半导体(SiC半导体)的量产。另外,在传统的硅半导体功率元器件领域,实现了从分立式半导体到IC全覆盖的融合了ROHM综合实力的复合型产品群。下面介绍这些产品中的一部分。   已逐步渗透到生活中的SiC功率元器件   SiC功率元器件是以碳和硅组成的化合物半导体碳化硅(Sili
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-10-19
    • 文件大小:275kb
    • 提供者:weixin_38655987
  1. 显示/光电技术中的概述LED芯片生产过程与MOCVD知识

  2. LED外延片(外延片)   LED芯片产生前的LED外延片生长的基本原理是:在一块加热至适当温度的衬底基片(主要有蓝宝石和、SiC、Si)上,气态物质InGaAlP有控制的输送到衬底表面,生长出特定单晶薄膜。目前LED外延片生长技术主要采用有机金属化学气相沉积(MOCVD)方法。   MOCVD   金属有机物化学气相淀(Metal-Organic Chemical Vapor Deposition,简称 MOCVD), 1968年由美国洛克威尔公司提出来的一项制备化合物半导体单品薄膜的新
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-11-11
    • 文件大小:58kb
    • 提供者:weixin_38669881
  1. 电源技术中的PWM DC/DC转换器肖特基二极管(SBD)

  2. 肖特基(Schottky)二极管是将金属层沉积在N型硅的薄薄外延层上,利用金属和半导体之间的接触势垒获得单向导电作用,相当于PN结。这个接触面称为“金属半导体结”。肖特基二极管的全名应为肖特基势垒二极管(Schottky Barrier Diode,SBD)。现有的大多数肖特基二极管都是用硅(51)半导体材料,新材料碳化硅(SiC)的SBD也已被应用。   1)硅SBD的特点   正向压降比PN结二极管低,约为后者的1/2~1/3,典型值为0.45~0.55V,新型低压的可以低达0.32V;
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-11-16
    • 文件大小:38kb
    • 提供者:weixin_38648396
  1. sic半导体技术

  2. ——即将腾飞的新一代半导体技术 Silicon Carbide Semicondutor Technology: ——A new generation of semiconductors is about to take off 电源设计者们仿佛正在目睹一个新的半导体技术的诞生。随之而来的新一代功率半导体器件远远优于现有的硅技术。SiC材料可以让器件具有迄今为止设计工程师们梦寐以求却不能得到的出色特性。其最重要的优点包括以下几个方面: ● 工作结温高达225℃,而相应的漏电流只有适度的增加。由
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-12-09
    • 文件大小:93kb
    • 提供者:weixin_38713061
  1. PCB技术中的金属封装材料的现状及发展(下)

  2. (续) 2.2 Al基复合材料由于Al的CTE比Cu还大,为使其CTE与Si、Ge、GaAs等半导体材料相近,常常不得不采用高体积分数的增强体与其复合,添加量甚至高达70%,但如果用作与玻璃相匹配的封装材料,添加量则可以少一些。铝基复合材料不仅具有比强度、比刚度高的特点,而且导热性能好、CTE可调、密度较低。常用的增强体包括C、B、Si、金刚石、碳化物(如SiC、TiC)、氮化物(如AlN、Si3N4)和氧化物(如Al2O3、SiO2),基体合金则可为纯AL,或6061、6063、2024等铝合
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-12-09
    • 文件大小:106kb
    • 提供者:weixin_38625192
  1. 碳化硅( SiC) 器件制造工艺中的干法刻蚀技术

  2. 摘要:简述了在SiC材料半导体器件制造工艺中,对SiC材料采用干法刻蚀工艺的必要性.总结了近年来SiC干法刻蚀技术的工艺发展状况.
  3. 所属分类:制造

    • 发布日期:2020-12-30
    • 文件大小:215kb
    • 提供者:jfkj2021
  1. SiC宽带功率放大器模块设计分析

  2. 摘 要:功率放大器是射频前端中的关键部件, 宽带是目前功率放大器的主要发展趋势。基于碳化硅( SiC) 宽禁带功率器件, 利用ADS 仿真软件, 依据宽带功率放大器的各项指标进行电路的设计、优化和仿真, 制作了500 ~2 000MHz波段宽带功率放大器, 并对放大器进行了性能测试和环境实验。测试结果表明利用该方法设计宽带功率放大器是可行的, SiC 宽禁带功率器件具有较宽的工作带宽。   0  引言   随着现代技术的发展, 功率放大器已成为无线通信系统中一个不可或缺的部分, 特别是宽带大
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2021-01-20
    • 文件大小:276kb
    • 提供者:weixin_38530202
  1. 安森美半导体的碳化硅(SiC)功率模块将支持台达的太阳能光伏逆变器

  2. 推动高能效创新的安森美半导体(ON Semiconductor,美国纳斯达克上市代号:ON),推出一款适用于太阳能逆变器应用的全SiC功率模块,该产品已被的电源和热管理方案供应商台达选用,用于支持其M70A三相光伏组串逆变器。  NXH40B120MNQ系列全SiC功率模块集成了一个1200 V、40 mΩ SiC MOSFET和具有双升压级的1200 V,40 A SiC升压二极管。 SiC技术的使用提供了实现太阳能逆变器等应用中所要求高能效水平所需的低反向恢复和快速开关特性。  安森美半导体
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2021-01-20
    • 文件大小:51kb
    • 提供者:weixin_38629206
  1. SiC功率器件的封装技术

  2. 具有成本效益的大功率高温半导体器件是应用于微电子技术的基本元件。SiC是宽带隙半导体材料,与Si相比,它在应用中具有诸多优势。由于具有较宽的带隙,SiC器件的工作温度可高达600℃,而Si器件的工作温度局限在175℃。SiC器件的高温工作能力降低了对系统热预算的要求。此外,SiC器件还具有较高的热导率、高击穿电场强度、高饱和漂移速率、高热稳定性和化学惰性,其击穿电场强度比同类Si器件要高。   传统的功率半导体封装技术是采用铅或无铅焊接合金把器件的一个端面贴合在热沉衬底上,另外的端面与10-2
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2021-01-19
    • 文件大小:136kb
    • 提供者:weixin_38612811
  1. Microsem美高森美宣布推出专门用于SiC MOSFET技术的极低电感SP6LI封装

  2. 实现高电流、高开关频率和高效率   将于6月5日至7日在PCIM欧洲电力电子展的6号展厅318展台   展示采用全新低电感封装的五个标准模块的完整产品线   致力于在功耗、安全、可靠性和性能方面提供差异化的半导体技术方案供应商美高森美公司(Microsemi Corporation,纽约纳斯达克交易所代号:MSCC ) 发布专门用于高电流、低导通阻抗(RDSon) 碳化硅 (SiC) MOSFET功率模块的极低电感封装 这款全新封装专为用于公司SP6LI 产品系列 而开发,经设计提供适用于
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2021-01-12
    • 文件大小:72kb
    • 提供者:weixin_38695471
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