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搜索资源列表

  1. TCAD教程中文版

  2. TCAD教程：将向读者介绍如何使用 SILVACO 公司的 TCAD 工具 ATHENA 来进行工艺仿真以 及 ATLAS 来进行器件仿真。假定读者已经熟悉了硅器件及电路的制造工艺以及 MOSFET 和 BJT 的基本概念

  3. 所属分类：专业指导

    • 发布日期：2015-03-03
    • 文件大小：3145728
    • 提供者：sinat_26299187

  1. silvaco用户手册 中文版

  2. 半导体工艺和器件仿真工具__Silvaco_TCAD_实用教程.pdf

  3. 所属分类：讲义

    • 发布日期：2019-03-13
    • 文件大小：3145728
    • 提供者：sunsfun

  1. 研究论文-高性能非平面沟道场效应晶体管.pdf

  2. 半导体器件的高速化、集成化要求其特征尺寸不断缩小，不可避免地导致短沟道效应，从而使得器件性能退化。提出了一种非平面沟道晶体管，利用二维半导体器件仿真软件SILVACO对其阈值电压退化、亚阈值特性和衬底电流进行了研究，并通过能带图、电势分布图和电场分布图探讨了其物理机理。研究表明非平面沟道晶体管可以很好地抑制阈值电压退化，改善器件的亚阈值特性，降低漏电流和衬底电流，提高击穿电压，从而抑制短沟道效应，提高器件的可靠性。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2019-08-07
    • 文件大小：1048576
    • 提供者：weixin_39840387

  1. silvco学习资料.pdf

  2. silvaco学习资料，很基础，适合初学者。因为毕业设计要用到这个软件，找了所有的资源发现很难找到学习资料。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-04-22
    • 文件大小：2097152
    • 提供者：PJJ121414

  1. 晶体管场环终端技术的优化设计及应用

  2. 主要研究晶体管中浮空场环的技术原理和设计优化及其在实际应用中对晶体管耐压性能的影响。在实际产品版图设计中采用了浮空场环设计并通过优化场环间距来满足晶体管的高耐压要求,并通过Silvaco软件进行工艺和器件仿真。根据仿真结果及理论计算进行浮空场环优化设计，并通过实际流片验证浮空场环对晶体管耐压性能的提高效果。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-16
    • 文件大小：524288
    • 提供者：weixin_38618094

  1. 显示/光电技术中的器件建模光小目位调制器

  2. 件建模的目的就是在一定的限定条件下，通过模拟优化，使器件性能满足我们的要求。因为器件的特性不可能全部得到优化，它们之间存在相互制约的关系，所以在进行建模之前，我们首先要根据实际需要，确定设计目标，比如说我们是想要更快的速度还是要更小的功耗，等等。对于利用等离子色散效应的调制器来说，建模是一个比较复杂的问题。因为它不仅是电学或光学的模型，而是一个光电混合的模型。对于这类器件，没有现成的软件包，需要利用电学或光学的软件来分别模拟其电特性和光特性，然后对其进行一些分析计算，得出自己想要的结果。 　　

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-13
    • 文件大小：79872
    • 提供者：weixin_38518668

  1. 显示/光电技术中的脊宽和脊高对载流子密度的影响

  2. 首先考虑脊高对注入载流子密度的影响。我们这里考虑到脊高是图1中刻蚀掉的深度矽。为了保证单模条件，这个深度一定要小于6.5/2=3.25 gm，所以我们在图1中假设了3.2pm，这个深度对光场的限制较强；用Silvaco进行模拟，并给出模拟结果， 　　下面我们考虑保证单模条件下将莎值减小到2pm。利AA线和BB线的结果分别如图1和图2所示。 　　图1  垂直方向载流子浓度的变化 　　图2   水平方向载流子浓度的变化 　　由图1可以看出，沿AA方向的载流子密度受脊高的影响不大，即使

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-13
    • 文件大小：100352
    • 提供者：weixin_38747818

  1. Silvaco TCAD视频教程.rar

  2. 学习TCAD。

  3. 所属分类：制造

    • 发布日期：2020-12-03
    • 文件大小：210763776
    • 提供者：weixin_43517633

  1. EDA/PLD中的模拟/数.模混合信号电路设计EDA工具

  2. 分类 产品名 制造商 模拟电路Simulator（仿真工具） T-Spice Pro 美国Tanner Research公司 SmartSpice 美国Silvaco International公司 Eldo 美国Mentor Graphics公司 混合信号・Simulator（仿真工具） ICAP/4 美国intusoft公司 混合信号・Simulator（仿真工具），RF电路Simulator（仿真工具），Analog Macro Library ADV

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-12-09
    • 文件大小：20480
    • 提供者：weixin_38706747

  1. EDA/PLD中的LSI Layout设计EDA工具

  2. 分类 产品名 制造商 寄生电容/阻抗提取工具 DISCOVERY 美国Silvaco International公司 寄生电容/寄生阻抗提取工具，延迟计算工具 SWIM/InterCal 美国Aspec Technology公司 寄生电容/阻抗提取工具，回路Simulator（仿真工具），Layout变换工具 Spicelink，Ansoftlinks 美国Ansoft公司 Model Generator CLASSIC-SC 美国Cadabra Design

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-12-09
    • 文件大小：24576
    • 提供者：weixin_38623366

  1. EDA/PLD中的AC/DC设计、工艺模拟、器件模拟的EDA工具

  2. 分类 产品名 制造商 AC/DC设计・解析工具 MotorExpert 韓国jasontech公司 工艺・Simulator（仿真工具） ATHENA 美国Silvaco International公司 器件・Simulator（仿真工具） ATLAS 美国Silvaco International公司 器件模拟工具 工艺模拟工具 Medici Davinci TSUPREM Avanti公司   

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-12-09
    • 文件大小：18432
    • 提供者：weixin_38665193

  1. 倍增层厚度对In

  2. 利用Zn扩散方法制备了倍增层厚度为1.5,1.0,0.8 μm的In0.53Ga0.47As/InP雪崩光电二极管(APDs),研究了该器件特性。随着倍增层厚度的增加,器件的贯穿电压和击穿电压均呈现增大趋势。基于Silvaco模拟计算了APD器件的倍增层厚度对电场强度、电流特性、击穿电压与贯穿电压的影响规律,结果表明,随着倍增层厚度的增加,倍增层内电场强度减小,贯穿电压和击穿电压同时增大,与实验结果吻合。进一步研究发现,当倍增层的厚度小于0.8 μm时,击穿电压随着倍增层厚度的增加会先减小后增大

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-02-21
    • 文件大小：4194304
    • 提供者：weixin_38655347

  1. 场板SOI RESURF LDMOS表面势场分布解析模型

  2. 以往对SOI器件的建模基本上基于漂移区全耗尽的假设,且大多未考虑场板对表面势场分布的影响。通过分区求解二维泊松方程,建立了场板SOI RESURF LDMOS表面电势和表面电场分布解析模型。该模型同时考虑了栅场板和漏场板的作用,既适用于漂移区全耗尽的情况,也适用于漂移区不全耗尽的情况。利用此模型和半导体器件仿真工具Silvaco,详细探讨了器件在不同偏压下栅场板和漏场板对漂移区表面电势和电场分布的影响。解析模型结果与数值仿真结果吻合良好,验证了模型的准确性。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-02-20
    • 文件大小：762880
    • 提供者：weixin_38720173

  1. TCAD仿真MOSFET-源码

  2. TCAD仿真MOSFET 用Silvaco Athena / Atlas模拟MOSFET

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-02-14
    • 文件大小：7340032
    • 提供者：weixin_42122878

  1. 光电集成光接收机前端及限幅放大器的研制

  2. 基于国内的材料生产和半导体工艺条件,研制了10 Gb/s光电集成(OEIC)光接收机前端,并采用耗尽型赝配高电子迁移晶体管(PHEMT)设计并实现了限幅放大器。光接收机前端组成形式为金属-半导体-金属(MSM)光探测器和电流模跨阻放大器,借助模拟软件SILVACO建立并优化了器件模型,探测器光敏面50 μm×50 μm,带宽超过10 GHz,电容约3 fF/μm。研究并改进了腐蚀自停止工艺并实际应用于OEIC器件制作,芯片面积为1511 μm×666 μm。限幅放大器采用无源电感扩展带宽,并借助

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-02-10
    • 文件大小：2097152
    • 提供者：weixin_38611230

  1. 晶硅太阳电池上表面增透膜研究

  2. 利用传递矩阵法(TMM)优化设计多种介质膜材料的单层、双层增透膜结构。利用Silvaco 软件的ATLAS 器件仿真模块建立基于优化增透膜结构的二维晶硅太阳电池结构。对比分析了具有不同单层、双层增透膜结构的晶硅太阳电池的光谱响应情况。结果表明：在200~1100 nm 波长范围内，由多种不同介质材料组成的双层增透膜比单层增透膜具有更小的光反射损耗；双层增透膜结构可有效降低晶硅太阳电池的光谱响应损耗，且性能优于单层增透膜情况。其中MgF2/ZnS 双层增透膜减反效果最好，对380~1000 nm

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-02-05
    • 文件大小：3145728
    • 提供者：weixin_38668776

  1. 栅极宽度对IGBT通态压降的影响

  2. 利用silvaco软件对PT-IGBT的I-V特性进行了仿真，在同一电流密度下提取了不同栅极宽度IGBT的通态压降，得到了通态压降随栅极宽度变化的曲线，该仿真结果与理论分析一致。对于相同的元胞尺寸，栅极宽度存在最优值，只要合理地选取，可以有效地降低通态压降。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-01-31
    • 文件大小：698368
    • 提供者：weixin_38715831

  1.  N+缓冲层对PT-IGBT通态压降影响的研究

  2. N+缓冲层设计对PT-IGBT器件特性的影响至关重要。文中利用Silvaco软件对PT-IGBT的I-V特性进行仿真。提取相同电流密度下，不同N+缓冲层掺杂浓度PT-IGBT的通态压降，得到了通态压降随N+缓冲层掺杂浓度变化的曲线，该仿真结果与理论分析一致。对于PT-IGBT结构，N+缓冲层浓度及厚度存在最优值，只要合理的选取可以有效地降低通态压降。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-01-30
    • 文件大小：1028096
    • 提供者：weixin_38687277

  1.  一种适用于射频集成电路的抗击穿LDMOS设计

  2. 提出了一种具有深阱结构的RF LDMOS，该结构改善了表面电场分布，从而提高了器件的击穿电压。通过silvaco器件模拟软件对该结构进行验证，并对器件的掺杂浓度、阱宽、阱深、栅长进行优化，结果表明，在保证LDMOS器件参数不变的条件下，采用深阱工艺可使其击穿电压提升50%以上。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-01-30
    • 文件大小：1048576
    • 提供者：weixin_38562725

  1.  现代快恢复二极管设计方法的研究

  2. 基于改善快恢复二极管的的动态特性，通过对二极管的横、纵向参数来进行分析，理论上提出了快恢复二极管的设计方法，并且结合SILVACO-TCAD仿真软件进行验证；得出了现代快恢复二极管应降低阳极浓度、减小基区少子寿命，采用加缓冲层的结论；这种结构极大的改善了快恢复二极管的正向导通特性，达到了优化动态特性的目的。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-01-30
    • 文件大小：1048576
    • 提供者：weixin_38567813
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