提出了一种新型TRIPLE RESURF 结构的LDMOS器件，与普通的TRIPLE RESURF结构不同的是埋层采用了分区注入，即在靠近源端一侧采用较高注入剂量，在靠近漏端一侧则采用较低的注入剂量。因而会降低漏端表面电场峰值，提高了击穿电压。利用SILVACO TCAD软件分析了各个参数对击穿电压和比导通电阻的影响，与普通的TRIPLE RESURF结构相比，在比导通电阻不变时，击穿电压则提高了15 V。

首先考虑脊高对注入载流子密度的影响。我们这里考虑到脊高是图1中刻蚀掉的深度矽。为了保证单模条件，这个深度一定要小于6.5/2=3.25 gm，所以我们在图1中假设了3.2pm，这个深度对光场的限制较强；用Silvaco进行模拟，并给出模拟结果， 　　下面我们考虑保证单模条件下将莎值减小到2pm。利AA线和BB线的结果分别如图1和图2所示。 　　图1  垂直方向载流子浓度的变化 　　图2   水平方向载流子浓度的变化 　　由图1可以看出，沿AA方向的载流子密度受脊高的影响不大，即使

件建模的目的就是在一定的限定条件下，通过模拟优化，使器件性能满足我们的要求。因为器件的特性不可能全部得到优化，它们之间存在相互制约的关系，所以在进行建模之前，我们首先要根据实际需要，确定设计目标，比如说我们是想要更快的速度还是要更小的功耗，等等。对于利用等离子色散效应的调制器来说，建模是一个比较复杂的问题。因为它不仅是电学或光学的模型，而是一个光电混合的模型。对于这类器件，没有现成的软件包，需要利用电学或光学的软件来分别模拟其电特性和光特性，然后对其进行一些分析计算，得出自己想要的结果。 　　

我们在Silvaco的ATLAS仿真平台上报告了基于氮化镓（GaN）的共振隧穿二极管（RTD）的仿真，其中氮化铝铟（InAlN）作为阻挡层。 结果表明，当将实验获得的深能级俘获中心分别以0.351和0.487 eV的活化能引入极化的InAlN / GaN / InAlN量子中时，可以实现极好的负微分电阻（NDR）特性重现性。好吧。 理论分析表明，具有较强的自发极化和较弱的压电极化的晶格匹配InAlN / GaN异质结构可以降低陷阱中心的激活能级，抑制陷阱中心电离的可能性，从而最大程度地降低NDR