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搜索资源列表

  1. 用于提高光刻分辨率的光学成像算法的研究

  2. 王国雄a，王雪洁b （浙江大学a.超大规模集成电路设计研究所；b.城市学院信息与电子工程分院，杭州310027） 摘 要：通过对光刻系统中光学成像系统的模拟，提出了改善光刻分辨率的途径以及基于卷积核的计算光强的方法，并介绍了光学系统的传输交叉系数具体计算过程。建立准确描述由于掩模制造工艺、光刻胶曝光、显影、蚀刻所引起的光学邻近效应和畸变所导致的关键尺寸变化的光刻工艺模型，有助于开发由成品率驱动的版图设计工具，自动地实现深亚微米下半导体制造中先进的掩模设计、验证和检查等任务。 关键词：光刻

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-12-09
    • 文件大小：99328
    • 提供者：weixin_38748556

  1. 铁电场效应晶体管

  2. 王华　于军　周文利　王耘波　谢基凡　周东祥　朱丽丽 　　摘要：介绍了铁电场效应晶体管（FFET）的基本结构、存储机制、制作方法，综述其结构设计的改进、铁电薄膜在FFET中应用的进展情况，探讨围绕铁电薄膜材料、过渡层、结构设计、不同成膜方法及工艺对FFET存储特性的影响，对FFET的研究现状和存在的一些问题进行评述。　　关键词：铁电薄膜；铁电场效应晶体管；存储特性　　中图分类号：TN304.9　　文献标识码：A　　文章编号：1001-2028(2000)02-0019-03 　　铁电薄膜材料具有良

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-12-09
    • 文件大小：124928
    • 提供者：weixin_38694336

  1. 电源技术中的磁光效应传感器

  2. 现代电测技术日趋成熟，由于具有精度高、便于微机相连实现自动实时处理等优点，已经广泛应用在电气量和非电气量的测量中。然而电测法容易受到干扰，在交流测量时，频率响应不够宽及对耐压、绝缘方面有一定要求，在激光技术迅速发展的今天，已经能够解决上述的问题。   　　 磁光效应传感器就是利用激光技术发展而成的高性能传感器。激光，是本世纪60年代初迅速发展起来的又一新技术，它的出现标志着人们掌握和利用光波进入了一个新的阶段。由于以往普通光源单色度低，故很多重要的应用受到限制，而激光的出现，使无线电技术和光学技

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-12-06
    • 文件大小：63488
    • 提供者：weixin_38708707

  1. IZO薄膜中局部和非局部非线性光学折射效应的研究

  2. IZO薄膜中局部和非局部非线性光学折射效应的研究

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-03-20
    • 文件大小：1048576
    • 提供者：weixin_38608688

  1. 斯塔克效应和量子阱厚度对InGaN激光二极管光学性能的影响

  2. 斯塔克效应和量子阱厚度对InGaN激光二极管光学性能的影响

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-03-18
    • 文件大小：337920
    • 提供者：weixin_38690149

  1. 通过尖端增强效应对高分辨率近场光学平版印刷术进行三次谐波产生的数值研究

  2. 通过尖端增强效应对高分辨率近场光学平版印刷术进行三次谐波产生的数值研究

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-03-18
    • 文件大小：125952
    • 提供者：weixin_38566180

  1. 基于液晶光学相控阵阵列的相干光束组合效应研究

  2. 基于液晶光学相控阵阵列的相干光束组合效应研究

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-03-17
    • 文件大小：378880
    • 提供者：weixin_38699830

  1. 激光诱导的光学材料损伤的引发和生长

  2. 光学组件的寿命由激光诱导的损伤引发概率和后续激光射击过程中的损伤传播速率共同决定。 本文回顾了光学表面上激光诱导的损伤引发和生长的理论和实验研究。 损伤机理通常被认为是热吸收和电子雪崩，它们在不同的激光脉冲持续时间中起主要作用。 实验中观察到的部件表面的典型损伤形态也与损伤机理密切相关。 可以通过热扩散模型估算的热吸收过程中的损坏弹坑是典型的变形，熔化和烧蚀碎屑，通常由熔化的材料流动和再固化引起边缘升高。 但是，由电子雪崩引发的损坏通常伴随着等离子体，挤压和破裂的产生，这可以用热爆炸模型来解释。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-03-17
    • 文件大小：917504
    • 提供者：weixin_38672739

  1. 硫化锡电子结构和光学性质的量子尺寸效应

  2. 基于密度泛函理论的第一性原理计算,系统研究了硫化锡(SnS)晶体、纳米单层及多层的结构稳定性、电子结构和光学性质.结果表明:由于相对弱的层间范德瓦尔斯力作用,SnS单层纳米片可以像石墨烯等二维材料一样从块体中剥离出来;受制于量子尺寸效应和层间相互作用的影响,SnS的结构稳定性随层数减少而逐渐减弱,其带隙随层数减少而逐渐增大;由于材料的本征激发和吸收取决于电子结构,因此改变SnS材料的层数可以到达调控其光学性质的目的;SnS块体和纳米结构的主要光学吸收峰起源于Sn-5s,5p和S-2p轨道之间的电

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-03-17
    • 文件大小：831488
    • 提供者：weixin_38603936

  1. 在大气压下通过化学气相沉积法制备的单层MoS2场效应晶体管的低温载流子传输研究

  2. 通过大气压下的化学气相沉积法成功地生长了大尺寸的单层二硫化钼（MoS2）。 在低温下研究了所制造的背栅单层MoS2场效应晶体管（FET）的电传输特性。 达到59 cm（2）V-1 s（-1）的峰值场效应迁移率。 借助于低温下的拉曼测量，这项工作确定了单层MoS2 FET的迁移率限制因素：低温下的同极性声子散射和室温下的电子极性光学声子散射。 （C）2015 AIP Publishing LLC。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-03-14
    • 文件大小：2097152
    • 提供者：weixin_38621897

  1. 无自吸收效应的光学薄激光诱导击穿光谱研究与性能评估

  2. 无自吸收效应的光学薄激光诱导击穿光谱研究与性能评估

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-03-13
    • 文件大小：1048576
    • 提供者：weixin_38518006

  1. 掺Te的GaSb退火后的电学和光学性质

  2. GaSb是GaSb系统混合半导体外延生长中最合适的衬底。在这项工作中，将具有不同掺杂浓度的Te掺杂的GaSb块状晶体在环境锑中于550℃退火100小时。 通过霍尔效应测量，红外（IR），光透射，辉光放电质谱（GDMS）和光致发光（PL）光谱对退火样品进行了研究。 退火后，掺Te的GaSb样品表现出载流子浓度的降低和迁移率的增加，以及低于间隙IR透射率的改善。 原生受体相关的电补偿分析表明，能量水平较高的供体缺陷形成。 讨论了缺陷变化的机理及其对材料性能的影响。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-03-13
    • 文件大小：435200
    • 提供者：weixin_38663169

  1. 图案化BaTiO3 / La0.67Sr0.33MnO3异质结构中与方向有关的光磁电效应

  2. 光学磁电效应已被广泛研究，但是在室温下获得大且可调的光学磁电效应仍然是一个巨大的挑战。 我们在这里设计具有不同方向的铁电/铁磁异质结构，它们由钛酸钡BaTiO3和氧化锰La0.67Sr0.33MnO3组成。 这种人工双层结构具有室温铁电和铁磁特性。 在双层薄膜上对4μm光栅结构进行构图后，通过布拉格衍射法系统地研究了近红外光的光磁电效应。 对于（100）-和（111），n阶1的衍射光强度的相对变化与薄膜的磁化和极化有很大关系，无论超晶格是在反射还是透射几何中照射的。取向的样品均显示出室温的光磁电

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-03-13
    • 文件大小：2097152
    • 提供者：weixin_38700240

  1. 奇偶时间对称光学晶格中具有竞争立方和五阶非线性效应的孤子的稳定性

  2. 奇偶时间对称光学晶格中具有竞争立方和五阶非线性效应的孤子的稳定性

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-03-12
    • 文件大小：949248
    • 提供者：weixin_38612095

  1. 镧掺杂BaSnO3 薄膜的电学和光学特性

  2. 利用射频磁控溅射法在(LaAlO3)0:3(SrAl0:5Ta0:5O3)0:7 (001) 单晶基底上生长了镧掺杂BaSnO3 外延薄.膜. 通过Hall 效应和热电势测量证实了镧掺杂BaSnO3 薄膜具有n 型简并半导体特征, 并且基于载流子浓度.和Seebeck 系数计算出电子的有效质量为0.31m0 (m0 为自由电子质量). 镧掺杂BaSnO3 薄膜在可见波段具.有良好的透明性(透过率大于73%). 基于介电模型对薄膜的透过率曲线进行拟合, 从拟合结果中不仅得到了.薄膜的厚度为781.

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-03-12
    • 文件大小：509952
    • 提供者：weixin_38667581

  1. 无自吸收效应的光学薄激光诱导击穿光谱研究与性能评估

  2. 无自吸收效应的光学薄激光诱导击穿光谱研究与性能评估

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-03-12
    • 文件大小：1048576
    • 提供者：weixin_38731479

  1. 基于铌酸锂压电弹光双效应的单晶体弹光调制器

  2. 为了克服Kemp型弹光调制器调制效率低、加工工艺困难及体积大等缺点,提出了采用铌酸锂(LiNbO3)晶体压电弹光双效应的单晶体弹光调制器的设计思想;根据压电振动理论和晶体光学原理,分析了晶体各物理量随空间变换的特性,推导了调制电压-相位差-振幅之间的关系,并对晶体切型和通光方向进行了优化,所设计的晶体尺寸为41mm×7.7mm×17.1mm(x×y×z),切割角为0°(x切),通光方向z轴(光轴),通过在x-z面施加与晶体谐振基频一致的周期性电压,产生沿x方向,频率为73.71kHz的伸缩振动,

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-03-11
    • 文件大小：763904
    • 提供者：weixin_38601446

  1. 掠射角沉积可控制ZrO2薄膜的纳米结构和光学性质

  2. 本文采用掠射角沉积（GLAD）技术通过电子束蒸发制备了纳米结构的ZrO2薄膜。 由于自阴影效应和沉积原子的有限扩散，形成了在其间具有空隙的柱状膜。 随着基底旋转速度的增加，微观结构从倾斜的柱状结构发展为螺旋形和柱形结构。 柱的直径在30-50nm的范围内。 较高的旋转速度有利于较大的结节尺寸和较大的表面粗糙度。 由于多Kong结构，GLAD ZrO2薄膜的折射率n在1.75到1.80之间变化，低于块状材料的折射率。 在倾斜的柱状结构中获得双折射的最大值（Δn = 0.03），并讨论了双折射与微观

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-03-11
    • 文件大小：661504
    • 提供者：weixin_38698927

  1. 光学遥感图像变量分裂迭代快速复原算法

  2. 为了实现光学遥感图像的快速复原,分析了已有全变差正则化复原算法存在的问题,提出基于全变差正则化图像复原的代理代价函数模型,并将该模型转化为3个子问题优化过程,设计了一种快速解析迭代的变量分裂算法。同时为了克服"阶梯效应",考虑人眼对图像平坦区域和边缘区域噪声的感知特性,给出了迭代系统中正则化参数的自适应估计。实验结果表明:本文算法在信噪比改善和计算时间都优于Wiener滤波、约束最小二乘、基于全变差梯度下降和交错子空间投影等算法,保留了图像的细节信息,减少了"寄生波

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-03-10
    • 文件大小：689152
    • 提供者：weixin_38684806

  1. 通过电子束光刻中的图案辅助邻近效应校正来控制区域形状，以提高X射线光学器件的效率

  2. 控制菲涅耳带的形状是在X射线光学器件中实现高效成像的有效方法。 尽管在10纳米分辨率方面取得了重大进步，但封接效率仍然是一个巨大的挑战。 特别地，从电子束光刻的角度来控制用于使区域成形的抗蚀剂轮廓，迄今为止，报道极为有限。 我们的工作重点是通过一种称为图案邻近效应校正的方法来最优化最外面区域的抗蚀剂轮廓，以使抗蚀剂中的暴露电荷均匀化。 我们的研究表明，光刻条件可以刻意控制区域形状和占空比。 对于Au中的100 nm区域板，这项工作既实现了高达20/1的纵横比，又实现了0.9至1.7的占空比。 这

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-03-08
    • 文件大小：655360
    • 提供者：weixin_38638004
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