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搜索资源列表

  1. 半导体技术的飞速发展推动 SoC s设计进入到片上网络时代 。针对片上网络设计所

  2. 半导体技术的飞速发展推动 SoC s设计进入到片上网络时代 。针对片上网络设计所 面临的挑战性难题 ,提出了一种新的基于组件的分层设计方法 。该方法遵循垂直的设计流程 ,为组 件复用以及可靠的网内互连提供了良好的支持 。其中详细讨论了片上网络从下到上各个层次设计 所面临的问题 ,并提出了相应的解决策略 。最后 ,简单阐述了片上网络有待研究和解决的问题 。

  3. 所属分类：网络基础

    • 发布日期：2009-10-19
    • 文件大小：214016
    • 提供者：sxxaczh

  1. 半导体激光器的设计和工艺

  2. 中科院半导体所的激光器资料，不错。。。。。。

  3. 所属分类：专业指导

    • 发布日期：2009-12-11
    • 文件大小：1048576
    • 提供者：leisle

  1. 半导体所专业课考博试题

  2. 半导体所 考博 专业课 试题 有梦想就有希望！

  3. 所属分类：专业指导

    • 发布日期：2010-02-20
    • 文件大小：32768
    • 提供者：wangdexiao

  1. 半导体光电子技术

  2. 半导体光子学：以半导体材料为介质的光子学。研究半导体中光的产生传输、控制和探测特性。从物理学的角度看，光子学是研究光子的产生和运动特性、光子同物质的相互作用及其应用的一门前沿学科。从工程技术的角度看，光子学是研究作为信息和能量载体所赋予的特性、运动行为及其应用的一门工程技术。

  3. 所属分类：专业指导

    • 发布日期：2008-05-11
    • 文件大小：9437184
    • 提供者：cs110pym

  1. 半导体所.广域智能红外体温监测设备系统场景解决方案.pdf

  2. 如何在机场、火车站、地铁、商场、学校等人流密集的公共场 所，监控并识别可能的患者个体具有迫切需求。病毒性传染病的一个普遍特征是人体发热，因此，借 用科学技术手段快速筛查体温异常目标，减少交叉感染，适用于密集场所的红外体温检测设备需求大 增

  3. 所属分类：制造

    • 发布日期：2020-05-11
    • 文件大小：3145728
    • 提供者：weixin_47718932

  1. 波函数重构效应在计算半导体靶材引起的电子跃迁中的作用

  2. 在标准平面波（PW）和伪电势计算方案的框架下，由亚GeV暗物质（DM）引起的半导体中电子激发的物理学已被广泛讨论。 在本文中，我们研究了全电子（AE）重建对DM诱导的电子跃迁事件发生率的估计的影响。 作为基准研究，我们首先基于投影仪增强波（PAW）框架内的AE和伪（PS）方案来计算硅和锗块状晶体中的波函数，然后对由此获得的激发事件率进行比较。 两种方法。 事实证明，在动力学上允许大动量传递的过程中，两个计算出的事件发生率可能相差几倍。 发现这种差异源于PS方案中忽略的高动量成分。 因此，隐含着从

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-04-21
    • 文件大小：1048576
    • 提供者：weixin_38594252

  1. 半导体双极量子流体力学模型稳态解的存在性

  2. 半导体双极量子流体力学模型稳态解的存在性，蒋卫祥，管平 ，本文在电子和空穴运动速度是无旋的假设条件下蒋所要讨论的半导体双极量子流体力学模型转化为一个二阶退化椭圆方程组，从而通过正

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-02-24
    • 文件大小：280576
    • 提供者：weixin_38729269

  1. 有机半导体器件有序薄膜制备方法

  2. 有机半导体器件有序薄膜制备方法，庄浩，周乾豪，有机半导体是一类新型半导体材料，它结合了无机半导体材料的传统特性和有机材料可塑性好，易加工和结构可调等无机材料所不具备的

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-01-07
    • 文件大小：1048576
    • 提供者：weixin_38628310

  1. 茂铁炔基桥联二羧酸分子/无机半导体纳米杂化材料的制备与表征

  2. 茂铁炔基桥联二羧酸分子/无机半导体纳米杂化材料的制备与表征，吴凯强，袁耀锋，本文设计合成了两个茂铁炔基桥联的端基二羧酸分子，并将它们转化为二羧酸钾盐、二羧酸镉盐和二羧酸铅盐，利用所合成的茂铁炔基桥

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-01-07
    • 文件大小：860160
    • 提供者：weixin_38600017

  1. 半导体变流技术.pdf

  2. 半导体变流技术pdf,半导体变流技术2.晶涧管承受正向阳极电压时,只有门极也承受正间电压晶闸管才能导通 3.晶闸管在导通情况下,只要仍承受一定的正向阳极电压,不论门极电压有无也不管是 正向还是反向,品闸管仍然导通。 λ·品管在导通情况下,当主电路的忠流减小到一定程度时(通过滑线电阻RP达到)晶 闸管就关断。 实验表明,品闸管具有单向导电性和正向导诵的可控性。单向导电性是指品闸管导通时, 电流只能从阳极流到阴极。欲使晶阐管导通,需要同时具螽两个条俨:晶阐管的阳极-阴极之 间加正向电压,②门极加正向

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2019-10-14
    • 文件大小：7340032
    • 提供者：weixin_38743506

  1. 硅的性质及有关半导体基础理论.pdf

  2. 硅的性质及有关半导体基础理论pdf,本文主要讲了有关硅的性质及有关半导体基础理论。1)硅在地壳中的含量仅次于氧 氧48.60 硅26.30 钾247% 铝7.73 镁2.00% 铁4.75% 氢0.76% 钙3,45% 其他1.20 钠2.74% (2)硅以化合态形式存在 (氧化物及硅酸盐) 硅的物化性质 1、硅晶伓是灰色的硬而相当脆的晶体,密度为2.4g/cm3,熔点为 1420℃,沸点为2360℃。 2、硅在常温下,仅与氟发生作用,在高温下硅能与氯、氧、水蒸 气等作用,生成sicl4、si

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2019-09-14
    • 文件大小：2097152
    • 提供者：weixin_38744270

  1. 半导体存储器的工作原理.pdf

  2. 半导体存储器的工作原理pdf,本文介绍了ROM存储器，RAM的结构及工作原理，TMS4116的刷新，4116芯片的读、写周期时序等内容。存储器芯片 A n-1~0 D m-1~0 R/ 电源 CS 地线 内部存储结构:字片式、位片式 字片式结构的存储器(64字×8位) wo 存佬单元 A0 0.0 037 Al WI 42 址 A3-> 地址寄存器 线 存佬 盘4 63 阵列 鸟5 630 53 63.7 时序挖制 读写电路 读写电路 读写电踣 Rr CS D DI D? 挖制线 嫩据线

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2019-09-14
    • 文件大小：1048576
    • 提供者：weixin_38744207

  1. 半桥LLC谐振电路知识详解-半桥LLC谐振转换器的设计考虑及安森美半导体解决方案.pdf

  2. 半桥LLC谐振电路知识详解-半桥LLC谐振转换器的设计考虑及安森美半导体解决方案.pdf转换器的工作频率取决于功※需求。功率需求较低时,工作频率相当高,超 出谐振点。相反,功率需求较高时,控制环路会降低廾关频牽,使其中一个谐振频 率提供负载所需大小的电流。总的来看,转换器工作在种不同的工作状 态,分别是:在和之间;直接谐振在 高于;在和 之间过载;低于。 与分立储能电路解决方案相比,集成储能电路解决方案的行为特性不同,如漏电感 米自于变压器耦合,且仅在变压器初级和次级之间存在能量转换时参与谐 振

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2019-09-03
    • 文件大小：526336
    • 提供者：weixin_38743481

  1. 合科泰刚刚入驻立创，3月份成绩斐然(感恩立创）-半导体产品目录.pdf

  2. 合科泰刚刚入驻立创，3月份成绩斐然(感恩立创）-半导体产品目录.pdfm:: 305 303 要深证F∴sC 产分表 用领 305 产分类 DF卜 I 2 555I 251 道不一吸雪 B1ABF91箏s11 331 规要汗二F二[B BABF60260512 有规要泽二二[ 产分类 DF卜鞍 立所样 m恤;十 书餐二呀作=50D-12F s0D.123F nP下 55 201551 过长管 mF下 首整二资 5130 DL00710011305:1 - 43511 FF下款 RS1K 快复二

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2019-09-03
    • 文件大小：1048576
    • 提供者：weixin_38744153

  1. 2019年全球半导体行业展望.pdf

  2. 毕马威出品，半导体行业：互联世界的脊梁，前途一片光明 毕马威出品，半导体行业：互联世界的脊梁，前途一片光明关于报告 目录 谨此发布第14期毕马威《全球半导体行业调查》年度报 1关于报告 告。本报告旨在识别,目前影响全球半导体公司的趋势、 新兴趋势和问题,并提供一项指数,反映行业领先者对 3引言 收入、盈利能力、人员数量增长、开支和其他因素的预 期。2018年第四季度,毕马威与全球半导体联盟(GSA 4详细发现 共同对来自全球半导体企业的149名高管进行了网络调 4信心分化:大公司遭遇阻力,新兴

  3. 所属分类：电信

    • 发布日期：2019-07-13
    • 文件大小：1048576
    • 提供者：kg_loveyou2

  1. BC3193半导体综合测试仪使用所明书

  2. BC3193半导体综合测试仪使用所明书 全套说明。很详细的官方资料。

  3. 所属分类：硬件开发

    • 发布日期：2020-06-04
    • 文件大小：2097152
    • 提供者：qcyggzz

  1. 基于半导体制冷技术的高精度温控仪的研制

  2. 本文 中 所 设计的温控仪由模拟驱动模块、单片机控制模块、通信模块组 成。模拟驱动部分采用模拟和数字电路相结合的方法，设计了一种脉宽调制 电路，实现了对半导体制冷器的输出功率进行快速调节和微动调节，从而提 高了系统的控制精度和响应速度。 在控 制 部 分，采用带有参数自整定的Fuzzy-PID的控制算法，一方面克 服了由系统模型变化所带来的温控效果变差的问题，提高了控制精度和响应 速度;另一方面减轻了由于手动调节参数所带来的不便，提高了仪器的自动 化性能。

  3. 所属分类：硬件开发

    • 发布日期：2010-12-06
    • 文件大小：2097152
    • 提供者：chenjiaoze

  1. 半导体所硅基集成光学导向逻辑器件研究取得系列进展

  2. 光学导向逻辑器件因其本征的高速和低损耗特性，有望在雷达、声纳信号处理等对计算速度要求很高的领域获得应用。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-21
    • 文件大小：80896
    • 提供者：weixin_38611388

  1. 元器件应用中的半导体器件的发热和散热

  2. 这里以半导体三极管为例进行介绍。半导体三极管的热量是由集电极和发射极的pN结产生的。由于集电结工作时加反向偏置电压，有很高的电阻，所以会产生很多的热量。实际上集电结产生的热量远远大于加正向偏压的发射结，因而可以将发射结产生的热量忽略。此时半导体三极管的耗散功率为:　　PD＝Ic·VCE　　式甲:PD--耗散功率;         　　Ic--集电极电流;         　　VC--集电极与发射极之司的电压。，　　耗散功率PD就是半导体三极管需要散发的热流。当热流遇到热阻时，就会使 三极管的温度

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-22
    • 文件大小：58368
    • 提供者：weixin_38586186

  1. 半导体材料研究的新进展

  2. 作者简介　王占国，1938年生，半导体材料物理学家，中科学院院士。现任中科院半导体所研究员、半导体材料科学重点实验室学委会主任和多个国际会议顾问委员会委员。主要从事半导体材料和材料物理研究，在半导体深能级物理和光谱物理研究，半导体低维结构生长、性质和量子器件研制等方面，取得多项成果。先后获国家自然科学二等奖、国家科技进步三等奖，中科院自然科学一等奖和科技进步一、二和三等奖及何梁何利科技进步奖等多项，在国内外学术刊物和国际会议发表论文180多篇，被引用数百次。　　摘　要　本文重点对半导体硅材料，G

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-12-09
    • 文件大小：185344
    • 提供者：weixin_38587705
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