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  1. 工业电子中的晶闸管智能控制模块的应用

  2. 1引言     硅晶闸管自20世纪50年代问世以来,在功率半导体器件研究工作者的不懈努力下取得了令人瞩目的成就。硅晶闸管由普通晶闸管(PCT)逐渐演变出门极可关断晶闸管(GTO)、集成门极换向晶闸管(IGCT)、绝缘栅双极晶体管(IGBT)、MOS门控晶闸管(MCT、BRT、EST)。晶闸管以其高电压、大电流的特性,在许多电力电子系统中大显身手。   随着功率集成技术与新材料、新工艺的不断进步与成熟,科技工作者又利用陶瓷覆铜(DCB)技术将晶闸管及其移相触发电路、自动调节电路与SMT表面
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-12-13
    • 文件大小:93184
    • 提供者:weixin_38682254
  1. 具有双极电荷传输特性的吩噻嗪-四氰基喹二甲烷共晶微丝的制备

  2. 具有双极电荷传输特性的吩噻嗪-四氰基喹二甲烷共晶微丝的制备
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2021-03-25
    • 文件大小:925696
    • 提供者:weixin_38626080
  1. Dy3+对NaLaF4_Yb3+_Er3+_Dy3+双功能纳米晶的上转换发光及顺磁性调制作用

  2. Dy3+对NaLaF4_Yb3+_Er3+_Dy3+双功能纳米晶的上转换发光及顺磁性调制作用
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2021-03-25
    • 文件大小:1048576
    • 提供者:weixin_38502916
  1. 带重入约束的双集束型晶圆制造设备调度算法

  2. 带重入约束的双集束型晶圆制造设备调度算法
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2021-03-19
    • 文件大小:367616
    • 提供者:weixin_38503483
  1. 不同晶格失配衬底上生长的ZnO基双异质结发光二极管电致发光的比较研究

  2. 我们已经比较研究了非对称p-Mg0.05Zn0.95O / i-ZnO / n + -GaN和p-Mg0.05Zn0.95O / i-ZnO / n + -Si双异质结发光二极管的电致发光(EL)性能(LED)生长在不同的晶格失配基板上。 I–V曲线测量显示出清晰的整流特性,p-Mg0.05Zn0.95O / i-ZnO / n + -GaN和p-Mg0.05Zn0.95O / i-ZnO / n +的阈值电压分别为3.8和6 V -Si双异质结,分别。在小晶格不匹配的n + -GaN衬底上生长
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2021-03-19
    • 文件大小:1048576
    • 提供者:weixin_38547151
  1. 分层结构的纳米晶体光阳极:自组装的双功能TiO2,可提高光伏性能

  2. 我们报告了一种简单的策略,对具有结构层次(hn电极)的纳米晶体光阳极,同时增强了染料的负载能力和电子传导性。 hn电极完全由TiO2纳米微晶(5-20​​ nm)构成,包括两个主要部分:纳米晶基质和双功能TiO2介观结构(BF-TiO2)。 BF-TiO2是通过普通的胶体凝胶,常温干燥和退火Craft.io获得的,并用非常高的H2O / Ti比(48.9:1)和六亚甲基四胺添加剂进行了改性。在BF-TiO2中发现了两种形态:高表面积中Kong纳米颗粒聚集体,以及由锐钛矿型TiO2和缺氧的Ti6O
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2021-03-19
    • 文件大小:3145728
    • 提供者:weixin_38569675
  1. 基于双开短路技术的CMOS毫米波晶圆上测量的分布式去嵌入解决方案

  2. 基于双开短路技术的CMOS毫米波晶圆上测量的分布式去嵌入解决方案
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2021-03-18
    • 文件大小:701440
    • 提供者:weixin_38752897
  1. 320×256元InAs/GaSb II类超晶格中波红外双色焦平面探测器

  2. 报道了320×256元InAs/GaSb II类超晶格红外双色焦平面阵列探测器的初步结果.探测器采用PN-NP叠层双色外延结构,信号提取采用顺序读出方式.运用分子束外延技术在GaSb衬底上生长超晶格材料,双波段红外吸收区的超晶格周期结构分别为7 ML InAs/7 ML GaSb和10 ML InAs/10 ML GaSb.焦平面阵列像元中心距为30μm.在77 K时测试,器件双色波段的50%响应截止波长分别为4.2μm和5.5μm,其中N-on-P器件平均峰值探测率达到6.0×1010 cmH
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2021-03-17
    • 文件大小:735232
    • 提供者:weixin_38681301
  1. Sm(Mg1 / 2Sn1 / 2)O3双钙钛矿陶瓷的晶体结构,声子特性和固有性质

  2. 采用传统的固态合成方法制备了Sm(Mg1 / 2Sn1 / 2)O3(SMS)微波介电陶瓷。 通过X射线衍射(XRD),振动光谱(拉曼散射和远红外反射光谱)测试样品。 X射线衍射证实Sm(Mg1 / 2Sn1 / 2)O3钙钛矿为单斜晶,空间群为P21 / n。 拉曼振动模式由Lorentz函数拟合并指定。 为了计算固有特性,使用四参数半定量(FPSQ)模型拟合了具有七个活动模式的远红外光谱。 根据FPSQ计算的介电常数类似于从分子极化和Clausius方程获得的介电常数。 本征损耗是由阻尼因数
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2021-03-14
    • 文件大小:1048576
    • 提供者:weixin_38643141
  1. 用于低剂量X射线成像的非晶硅双栅极光电薄膜晶体管的数值研究

  2. 用于低剂量X射线成像的非晶硅双栅极光电薄膜晶体管的数值研究
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2021-03-13
    • 文件大小:1048576
    • 提供者:weixin_38656662
  1. Dy3+对NaLaF4:Yb3+/Er3+/Dy3+双功能纳米晶的 上转换发光及顺磁性调制作用

  2. Dy3+对NaLaF4:Yb3+/Er3+/Dy3+双功能纳米晶的 上转换发光及顺磁性调制作用
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2021-03-12
    • 文件大小:1048576
    • 提供者:weixin_38502292
  1. 具有双堆叠沟道层的氮掺杂非晶氧化物半导体薄膜晶体管

  2. 具有双堆叠沟道层的氮掺杂非晶氧化物半导体薄膜晶体管
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2021-03-11
    • 文件大小:1048576
    • 提供者:weixin_38747444
  1. 基于具有矩形晶格的三芯光子晶体光纤的偏振分束器

  2. 研究了基于共振隧穿效应的矩形格三芯光子晶体光纤中的偏振分离器通过有限元方法。 横向电(TE)模式偏振光仅限于发射的端口和由于大的双折射,横向磁(TM)模式偏振光可以定向耦合到另一个端口。 偏振分束器,耦合长度为2.592毫米,消光比为ERA = –151 dB,ERC = –22 dB, ILTE的插入损耗= 0.027 dB,ILTM = 2.89E-15和15 dB,通信时的带宽为29 nm 获得1550nm的波长。 设计的偏振分束器在以下条件下表现出良好的性能合理的制造公差。 偏振分束器的
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2021-03-10
    • 文件大小:659456
    • 提供者:weixin_38622962
  1. 在低功率强度下使用相变超材料快速调谐双法诺共振

  2. 在这项工作中,我们在数值上证明了基于金属/相变材料(PCM)/金属多层结构的鱼网超材料(MM)中的全光学可调谐Fano共振。 我们显示椭圆纳米Kong从其中心的位移可以将单个Fano共振(FR)拆分为双FR,表现出更高的品质因数。 具有三层对称性的三层鱼网MM通过在PCM(Ge2Sb2Te5)的非晶态和结晶态之间切换,在中红外(M-IR)范围内实现了宽广的调谐范围。 使用光热模型研究Ge2Sb2Te5薄膜的温度随时间变化,以显示通过光加热切换Ge2Sb2Te5的相的潜力。 在这种不对称结构中生成
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2021-03-10
    • 文件大小:1048576
    • 提供者:weixin_38516380
  1. 重铝掺杂ZnO薄膜双步生长过程中光学性质和电子结构的变化

  2. 我们研究了在重掺杂Al的ZnO(AZO)薄膜在生长过程中的光学性能和电子结构的变化,这些薄膜的形成是通过首先在富含O-2-的气氛中创建Zn空位,然后在其中填充Zn原子来形成的。锌蒸气气氛。 第一步之后,高电阻AZO薄膜具有与名义上未掺杂的ZnO相同的光学带隙,这表明尽管Al原子被掺入了ZnO晶格中,但基本带隙的变化几乎可以忽略不计。 在第二步之后,一旦自由电子通过Zn填充进入晶格,由于带填充效应,光学跃迁能发生蓝移。 X射线吸收精细结构测量表明,Zn填充过程减少了导带的未占据状态,但没有提高导带
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2021-03-05
    • 文件大小:998400
    • 提供者:weixin_38570519
  1. 非晶Fe

  2. 在相同激光扫描速度(20 mm/s)和不同激光功率(150 W,200 W,250 W,300 W)工艺条件下,利用CO2激光对铁磁Fe73.5Cu1Nb3Si13.5B9非晶带进行了辐照处理,诱导非晶带样品发生纳米晶化。应用穆斯堡尔(Mossbauer)谱(MS)、透射电镜(TEM)和X射线衍射(XRD)对实验样品的晶化工艺、纳米晶相的组织结构、晶化量和纳米晶化机理等进行了研究。结果表明,晶化析出相是α-Fe(Si)单相固溶体,具有4种超精细结构;其晶粒尺寸约为10~20 nm;纳米晶均匀分布
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2021-03-05
    • 文件大小:934912
    • 提供者:weixin_38711333
  1. 双折射调谐器设计的等色图原理

  2. 提出双折射调谐器设计的等色图方法,给出原理。分析表明当晶片光轴处在以折射光线为轴线、顶角为45°的圆锥面上时,双折射调谐器具有最快的波长调谐速率;当光轴位于过折射光线并与入射面成45°或135°的平面内时,调谐器抑制非所需波长的能力最强。由此给出光轴相对晶片表面的两个优化取向,对石英晶片它们分别为18.712°和59.922°。文中还给出了三块晶片组合的调谐器的设计例子,对其调谐特性进行了简要的讨论。
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2021-03-05
    • 文件大小:1048576
    • 提供者:weixin_38737630
  1. 生物球晶中双马尔特十字的形成机理

  2. 生物球晶属于溶致液晶,大量存在于动、植物体中,例如脑、神经、肌肉、血液、胆汁等与生命密切相关的主要组织中。对鸡胆汁、鱼胆汁、薰蚊草汁和樱桃汁用偏光显微镜拍照了140多张球晶照片,发现了生物球晶的双马尔特十字。从物理实质出发,根据球晶外部高分子有序晶层和内部高分子无序聚集态粘滞系数的不同,从物理上建立了“抛物线光轴”模型,由此揭示了双马尔特十字是球晶内部高分子无序聚集态在外部有序晶层的作用力下形成的。根据液晶易流动性质和抛物线光轴变化规律,对球晶施加微小外力,可能对诊断生命体患病前的信息比其他诊断
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2021-03-05
    • 文件大小:1048576
    • 提供者:weixin_38513669
  1. 双电荷涡旋光束在负缺陷光子晶格中的传播

  2. 双电荷涡旋光束在负缺陷光子晶格中的传播
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2021-03-04
    • 文件大小:1048576
    • 提供者:weixin_38645865
  1. 平面外磁等离子体与晶格共振之间的相互作用,以改善双纳米粒子阵列中的共振线形和近场增强

  2. 摘要:二维双纳米粒子(DNPs)阵列在理论上被证明支持平面外磁等离子体激元和平面晶格共振的相互作用,这可以通过调整纳米粒子的高度或阵列来实现。
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2021-03-04
    • 文件大小:2097152
    • 提供者:weixin_38625098
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