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  1. 一种基于深刻蚀的硅基周期波导微腔

  2. 研究了一种基于深刻蚀的硅基周期波导一维光子晶体微腔，采用时域有限差分(FDTD)方法对设计的微腔结构进行了模拟分析；讨论了深刻蚀对微腔品质因数的影响，计算表明采用深刻蚀可有效地保持高Q 值并能保证微腔的机械强度。采用电子束光刻(EBL)结合感应耦合等离子体(ICP)刻蚀制作了绝缘硅(SOI)的周期波导微腔，使用扫描电子显微镜(SEM)和原子力显微镜(AFM)对器件形貌进行表征，观察到深刻蚀的衬底二氧化硅高度约为80 nm。通过波导光栅耦合光纤输入宽带光源信号对微腔器件进行光学表征，传输光谱测试表

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-02-13
    • 文件大小：2097152
    • 提供者：weixin_38569675

  1. SiO光子晶体缺陷腔的折射率传感特性

  2. 为了提高光子晶体折射率传感器的灵敏度和品质因数，提出了一种基于表面波谐振原理的缺陷态光子晶体棱镜耦合传感结构。通过分层传输矩阵法对该结构建立传感理论模型，得出古斯汉欣位移与谐振波长的变化关系，从而建立谐振波长与待测样本折射率的关系模型。以SiO2-Al2O3-SiO2作为缺陷腔来代替传统表面等离子体共振(SPR)传感器中的金膜，构成折射率敏感层；采用Al2O3作为吸收层，从而在反射光谱中得到谐振缺陷峰，通过缺陷峰值的漂移实现待测样本折射率的动态监测；以乙二醇溶液为待测样本，对该折射率传感结构的Q

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-02-05
    • 文件大小：3145728
    • 提供者：weixin_38693528

  1. 浏览器语言环境：从访问者的浏览器中获取最喜欢的语言环境-源码

  2. BrowserLocale 从访问者的浏览器中获取最喜欢的语言环境。 每个浏览器都有一个首选网站区域设置。 这可以通过PHP读取，通常使用$_SERVER["HTTP_ACCEPT_LANGUAGE"]变量。 $_SERVER["HTTP_ACCEPT_LANGUAGE"]将返回用逗号分隔的语言代码列表。 每个语言代码都可以附加一个“相对质量因数”（“ nl; q = 0.8”），它决定了优先顺序。 例如： nl-NL,nl;q=0.8,en-US;q=0.6,en;q=0.4 。 如果不

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-02-04
    • 文件大小：10240
    • 提供者：weixin_42157567

  1. 新技术在开关电源中的应用

  2. 随着电子技术的快速发展以及人们环保意识的不断增强，对电源产品在尺寸，效率，可靠性，寿命及舒适性方面的要求越来越高，传统的开关电源技术已经很难再满足这些要求。在70W - 500W交流-直流电源中，采用LLC谐振变换技术的开关电源效率要高于传统拓扑开关电源，因此LLC谐振变换技术在电源产品中的运用越来越广泛。下图所示为一个典型的半桥LLC谐振变换器电路：其等效电压传输关系为：fr1 为谐振腔的谐振频率x 为开关频率相对谐振频率的归一化值k 为变压器励磁电感量与谐振电感量的比值Zr 为谐振腔特征阻抗

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-01-20
    • 文件大小：178176
    • 提供者：weixin_38586942

  1. 基于有源电感的连续时间带通Sigma-Delta调制器设计

  2. 带通Sigma-Delta调制器因能对窄带射频信号直接数字化而越来越受到人们的重视，目前连续时间带通Sigma-Delta调制器大多采用LC电路作为谐振器，但这导致了在集成电路的实现上占据了较大的空间，例如螺旋电感器在集成电路的实现中占据了整体电路的一半以上，另一个缺点就是限制了谐振器的品质因数。为了使调制器有较大的动态输出范围有必要增加谐振器的品质因数，因此文中采用高Q值的有源电感来组成谐振器去设计一个连续时间带通Sigma-Delta ADC，在Simulink中构建该仿真模型，最后测试的S

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-01-13
    • 文件大小：1048576
    • 提供者：weixin_38626943

  1. 基于5G通信的硅基IPD滤波器研究与验证

  2. 随着5G通信的逐步发展，系统对于高密度、小体积、低成本提出了更高的要求。硅基集成无源器件（IPD）因其尺寸小、设计工艺与CMOS工艺相兼容，而被广泛应用于系统级封装（SIP）。为提高电容密度，增大电感品质因数，提高整体滤波器的性能，结合硅基薄膜技术、半加成工艺分别制备电容、电感，设计了基于5G通信的双零点电容耦合带通滤波器。该滤波器具有低成本、小尺寸（1.1 mm*0.68 mm）、低带内插损（-1.87 dB4.75 GHz）和较好的带外抑制（零点位置：-48.5 dB2.5 GHz和-34

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-01-12
    • 文件大小：1048576
    • 提供者：weixin_38673694
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