异质结电池一般是以 N 型硅片为衬底，在正面依次本征富氢非晶硅薄膜和 N 型非晶硅 薄膜，然后在背面依次沉积本征非晶硅薄膜和 P 型非晶硅薄膜。在非晶硅薄膜两侧再沉 积 80-100nm 的透明导电氧化物薄膜 TCO，最后通过丝网印刷在两侧制备金属电极， 再烧结退火，这样就制成了异质结电池。 传统异质结电池以 P 层为入光面，近年来业内普遍改为 N 型作入光面，在电池结构上 形成 TCO-N-i-N-i-P-TCO 对称结构。异质结电池能否以 P 型硅片作衬底？理论上可以，但实际生产中普遍使用

通过分析光伏行业上一轮行情，我们发现光伏行业性牛市主要来源于供需的阶段性失衡，以及由此带来的价格超预期稳定甚至上涨。在光伏行业性牛市的大背景下，光伏牛股出现在具备技术领先优势从而导致成本优势明显的企业当中。 光伏产业链近年来快速发展的本质是技术驱动降本提效。把握这一主线，我们可以发现上一轮的技术变革主要由以下两因素驱动：（1）拉棒环节由 Cz 向 RCz 过渡，通过多次装料拉晶以及高拉速提高了单炉投料量和拉晶效率，进而降低了拉棒成本；（2）切片环节由砂浆切割向金刚线切割转换，通过减少损耗、减薄

P 型电池由于工艺简单且目前效率与 N 型差距不大但在成本上具有领先优势而具有明显的性价比，在市场中 有着绝对领先地位。2019 年全球 PERC 产能预计达到 100GW，而 2019 年全球的新增装机需求大概为 120GW 左 右，也就说明，PERC 技术是目前最常规的电池技术。 PECR 技术是在传统铝背场电池（在硅片背部制备铝膜，形成铝背场，减少少数载流子的复合速度同时充当金 属电极）的基础上，在硅片背面和背铝中间再加入一层电介质钝化层，同时通过在钝化层上激光刻蚀来实现 背铝与硅片的接触

在介电连续体和Loudon单轴晶体模型的框架内，讨论了纤锌矿型氮化硅核壳纳米线（CSNW）中取决于光子的组分和频率的存在条件，以获得InxGa1-xN / GaN中光子的色散关系和静电势CSNW。结果表明，由于声子色散各向异性，对于给定的三元混合晶体（TMC）分量，InxGa1-xN / GaN CSNW中可能存在四种类型的光子。该性质类似于纤锌矿平面异质结。在光学声子中，有两种类型的准约束光学（QCO）声子（分别命名为QCO-A和QCO-B），一种类型的界面（IF）声子和传播（PR）声子存在于