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  1. 智能手环是如何追踪人们的健康数据？

  2. 2014年9月9日，在万众瞩目的iPhone6发布会上，苹果公布了他们的一款智能手表APPLE WATCH。这款智能手表拥有蓝宝石屏幕，有接打电话、Siri 语音、收发信息等功能，它被苹果公司首席执行官库克定义为“一款革命性的产品”。能打电话，能收信息，这样一个功能齐全的手表，戴着一定很炫酷。 　　等一下，这不就是一个手机么？除了这些功能，难道就没有其他值得大家去关心的、有实用价值的功能么？ 　　APPLE WATCH当然不只是一个手表与手机的结合体，它还是一个智能手环，现在市面上智能手环的

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-01-19
    • 文件大小：107520
    • 提供者：weixin_38746951

  1. 苹果能否为无线充电撑出一片天空？拭目以待

  2. 9月，是苹果将熟的季节，备受期待的苹果6代手机，也被确认将在9月份上市。面纱待揭之时，有关iPhone6将搭载何种新技术的猜测也接踵而至，蓝宝石、金属、陶瓷、NFC、iBeacon、镜头等迎来新的投资机会。 　　如果仅是外观的简单改变，并不符合苹果一贯的风格。iPhone6与可穿戴产品iwatch或将搭载无线充电应用的消息传出时，引发了市场对无线充电概念的充分关注。业内人士分析，一旦iPhone6或iwatch搭入无线充电功能，有望刺激无线充电产业的迅速崛起，引发新一轮的智能设备创新潮。 　

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-01-19
    • 文件大小：111616
    • 提供者：weixin_38715048

  1. LED外延片介绍

  2. LED外延生长的基本原理是：在一块加热至适当温度的衬底基片（主要有蓝宝石和SiC，Si）上，气态物质In,Ga,Al,P有控制的输送到衬底表面，生长出特定单晶薄膜。目前LED外延片生长技术主要采用有机金属化学气相沉积方法。 　　外延片的生产制作过程是非常复杂，展完外延片，接下来就在每张外延片随意抽取九点做测试，符合要求的就是良品，其它为不良品（电压偏差很大，波长偏短或偏长等）。良品的外延片就要开始做电极（P极，N极），接下来就用激光切割外延片，然后百分百分捡，根据不同的电压，波长，亮度进行全

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-01-19
    • 文件大小：58368
    • 提供者：weixin_38723027

  1. 首款采用 CLCC-6/CLCC-6 扁平陶瓷封装的SMD LED（Vishay）

  2. 日前，Vishay Intertechnology, Inc.推出业界首款采用 CLCC-6 及 CLCC-6 扁平陶瓷封装的高强度白光功率 SMD LED --- VLMW63.. 系列和VLMW64.. 系列。上述系列器件均提供基于蓝宝石 InGaN/TAG 技术、2240mcd 至 5600mcd 的高光功率。 　　新型 VLMW63.. 系列采用 CLCC-6 封装且具有低达 50k/W 的低热阻，而采用 CLCC-6 扁平封装的 VLMW64.. 系列则具有 40k/W 低热阻及

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    • 发布日期：2021-01-19
    • 文件大小：50176
    • 提供者：weixin_38689041

  1. 采用Si衬底利用AIN做缓冲层的光导型探测器

  2. Khan等人[25]在1992年报道了支高质量GaN材料光电导探测器，它以蓝宝石为衬底通过金属有机化学气相淀积（MOCVD）方法生长而成。光响应波长为200～365 nm，在365nm处增益达6×103。在5 V的偏压下响应度可达2000 A/W。随后，由于51材料成熟的工艺技术且易于集成等优点，人们试图将GaN材料生长在Si衬底上以利于和电子器件的集成。Stevens等人⒓刨在51衬底上生长P型GaN薄膜，但光响应度较低，在14V偏压下响应度只有30 A/W。由于Si和GaN之间大的晶格失配（

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-01-19
    • 文件大小：62464
    • 提供者：weixin_38717579

  1. GaN PIN光电探测器结构

  2. 为了提高工作速度和响应度，往往采用PIN结构。PIN结构GaN紫外光电探测器具有以下优点：（1）由于高的势垒，因此有较低的暗电流；（2）工作速度高；（3）高阻抗适于焦平面阵列读出电路；（4）通过调整本征层的厚度可以调整其量子效率和工作速度；（5）器件可以在低偏压下或者零偏压下工作[12]。在PIN结构中，本征层起到了至关重要的作用，其厚度需要认真优化，因为它既影响了效率又影响了器件速度。图3－25是一种常见的GaN ΠN光电探测器结构四，首先在600°C下淀积⒛nm厚的低压缓冲层到蓝宝石称底，接

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-01-19
    • 文件大小：88064
    • 提供者：weixin_38716556

  1. GaN基肖特基结构紫外光电探测器

  2. GaN光电导型探测器的缺点是光电导的持续性，即光生载流子不会随入射光的消失而立刻消失，此效应增加了光响应时间降低了探测器工作速率。相比之下，GaN基肖特基结构紫外光电探测器有较好的响应度和更快的响应速度。支GaN基肖特基紫外光电探测器于1993年被提出四，它具有如图1（a）所示的结构：它也是在蓝宝石衬底上外延生长GaN，通过掺杂Mg实现P型掺杂，再淀积电极形成肖特基势垒和欧姆接触，图中Ti/Au为肖特基接触，Cr/Au为欧姆接触。零偏压下光响应是0.13A/W，响应时间大约为1uS，光谱响应也为

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    • 发布日期：2021-01-19
    • 文件大小：64512
    • 提供者：weixin_38537050

  1. LED衬底材料的选用

  2. 对于制作LED芯片来说，衬底材料的选用是首要考虑的问题。应该采用哪种合适的衬底，需要根据设备和LED器件的要求进行选择。目前市面上一般有三种材料可作为衬底： 　　·蓝宝石（Al2O3） 　　·硅 (Si) 　　·碳化硅（SiC） 　　蓝宝石衬底 　　通常，GaN基材料和器件的外延层主要生长在蓝宝石衬底上。蓝宝石衬底有许多的优点：首先，蓝宝石衬底的生产技术成熟、器件质量较好；其次，蓝宝石的稳定性很好，能够运用在高温生长过程中；，蓝宝石的机械强度高，易于处理和清洗。因此，大多数工艺一般都以

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    • 发布日期：2021-01-19
    • 文件大小：207872
    • 提供者：weixin_38663169

  1. 概述LED芯片生产过程与MOCVD知识

  2. LED外延片（外延片） 　　LED芯片产生前的LED外延片生长的基本原理是：在一块加热至适当温度的衬底基片（主要有蓝宝石和、SiC、Si）上，气态物质InGaAlP有控制的输送到衬底表面，生长出特定单晶薄膜。目前LED外延片生长技术主要采用有机金属化学气相沉积（MOCVD）方法。 　　MOCVD 　　金属有机物化学气相淀（Metal-Organic Chemical Vapor Deposition，简称 MOCVD）， 1968年由美国洛克威尔公司提出来的一项制备化合物半导体单品薄膜的新

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    • 发布日期：2021-01-19
    • 文件大小：57344
    • 提供者：weixin_38746926

  1. 基于Si衬底的功率型GaN基LED制造技术

  2. 0 引言 　　1993年世界上只GaN基蓝色LED问世以来，LED制造技术的发展令人瞩目。目前国际上商品化的GaN基LED均是在蓝宝石衬底或SiC衬底上制造的。但蓝宝石由于硬度高、导电性和导热性差等原因，对后期器件加工和应用带来很多不便，SiC同样存在硬度高且成本昂贵的不足之处，而价格相对便宜的Si衬底由于有着优良的导热导电性能和成熟的器件加工工艺等优势，因此Si衬底GaN基LED制造技术受到业界的普遍关注。 　　目前日本日亚公司垄断了蓝宝石衬底上GaN基LED技术，美国CREE公司垄断了S

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    • 发布日期：2021-01-19
    • 文件大小：217088
    • 提供者：weixin_38666753

  1. 利用湿式蚀刻工艺提高LED光萃取效率之产能与良率的方法

  2. 近几年来III族氮化物（III-Nitride）高亮度发光二极体（High Brightness Light Emission Diode; HB-LED）深获广大重视，目前广泛应用于交通号志、LCD背光源及各种照明使用上。基本上，GaN LED是以磊晶（Epitaxial）方式生长在蓝宝石基板（Sapphire Substrate）上，由于磊晶GaN与底部蓝宝石基板的晶格常数（Lattice Constant）及热膨胀系数（Coefficient of Thermo Expansion; CT

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    • 发布日期：2021-01-19
    • 文件大小：667648
    • 提供者：weixin_38646706

  1. 实验芯片大小和电极位置对GaN基LED特性的影响

  2. ＧａＮ基半导体材料近年来被广泛用于制造短波长的光电器件，如发光二极管（ＬＥＤｓ）和激光二极管（ＬＤｓ）。目前有关ＧａＮ材料生长报道和文献较多，有关芯片制造方面有少量报道还仅局限在ＧａＮ的刻蚀和欧姆接触，具体到工程设计方面的技术报道很少。本文研究讨论了芯片版图设计对ＧａＮ基ＬＥＤ性能的影响，可为针对不同性能要求选择芯片版图提供参考。 　　１ 实验 　　我们使用的材料为用ＭＯＣＶＤ方法在蓝宝石衬底上生长的蓝色ＧａＮ基ＬＥＤ外延片，外延片为多量子阱结构。芯片制造中，ｎ欧姆接触电极采用Ｔｉ／Ａｌ／Ｔ

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-01-19
    • 文件大小：55296
    • 提供者：weixin_38713801

  1. LED芯片常用衬底材料选用比较

  2. 对于制作LED芯片来说，衬底材料的选用是首要考虑的问题。应该采用哪种合适的衬底，需要根据设备和LED器件的要求进行选择。目前市面上一般有三种材料可作为衬底： 　　1.  蓝宝石（Al2O3） 　　2.  硅 (Si) 　　3.  碳化硅（SiC） 　　蓝宝石衬底 　　通常，GaN基材料和器件的外延层主要生长在蓝宝石衬底上。蓝宝石衬底有许多的优点：首先，蓝宝石衬底的生产技术成熟、器件质量较好；其次，蓝宝石的稳定性很好，能够运用在高温生长过程中；，蓝宝石的机械强度高，易于处理和清洗。因此，

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    • 发布日期：2021-01-19
    • 文件大小：218112
    • 提供者：weixin_38548394

  1. 全LED灯丝灯驱动电源方案解析

  2. 什么是LED灯丝灯　　LED灯丝灯就是从外形上看用LED制作的白炽灯。以往LED光源要达到一定的光照度和光照面积，需加装透镜之类的光学器件，一方面影响光照效果，另一方面会降低LED应有的节能功效，而LED灯丝可以实现360°全角度发光，大角度发光且不需加透镜，就可实现立体光源，带来前所未有的照明体验。　　LED灯丝的生产技术　　LED灯丝是将无背镀的蓝光LED灯珠固晶在蓝宝石、透明陶瓷、荧光晶体、玻璃、金属等做成的基条上，再通过金线串联，以及涂覆荧光粉而制成［3］。其流程如下图所示。　　目前灯丝

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-01-12
    • 文件大小：288768
    • 提供者：weixin_38593738

  1. sapphire:dCache近线存储驱动程序实现，用于小文件聚合-源码

  2. dCache的蓝宝石插件 这是“S mallfile到rchive可p ACKING p lugin用于h IGH我ngest再搜索”插件用于数据缓存。 它由两部分组成，分别是dCache的驱动程序和独立于另一台机器上的dCache运行的（解包）部分。 将驱动程序与dCache一起使用 要将此插件与dCache一起使用，请将包含此文件的目录放在dCache池的/ usr / local / share / dcache / plugins /中。 重新启动池以加载插件。 要验证插件是否已加载，

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    • 发布日期：2021-03-31
    • 文件大小：28672
    • 提供者：weixin_42168555

  1. 依赖于温度的光致发光的高效InGaN / GaN纳米棒阵列

  2. 我们报告了具有高内部量子效率的InGaN / GaN多量子阱（MQW）纳米棒阵列的光致发光特性。 通过在c面蓝宝石衬底上进行有机金属化学气相沉积来生长InGaN / GaN MQW，然后通过电感耦合等离子体刻蚀和自组装Ni纳米颗粒掩模的低损伤刻蚀技术制造MQW纳米棒阵列。 纳米棒的典型直径为200nm至300nm，长度约为800nm，几乎没有位错。 与室温下的MQW结构相比，MQW纳米棒阵列在室温下的总集成光致发光强度提高了3.1倍。 根据与温度有关的光致发光测量，纳米棒结构的内部量子效率为59

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    • 发布日期：2021-03-31
    • 文件大小：619520
    • 提供者：weixin_38581992

  1. Sapphire-Website-源码

  2. 蓝宝石网站 这是我正在创建自己的网站的存储库！ 多么激动人心！

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    • 发布日期：2021-03-28
    • 文件大小：198656
    • 提供者：weixin_42131443

  1. 超薄势垒AlN / GaN高电子迁移率晶体管通过脉冲金属有机化学气相沉积在大大降低的生长温度下生长

  2. 通过使用铟作为表面活性剂的脉冲金属有机化学气相沉积（PMOCVD），在蓝宝石衬底上生长超薄势垒AlN / GaN异质结构，大大降低了830摄氏度的生长温度。优化生长参数后，电子迁移率为1398厘米对于4 nm厚的AlN势垒，获得了（2）/ V s和1.3 X 10（13）cm（-2）的二维电子气密度。 生长的结构的特征是排列整齐的平行原子台阶，在5 X 5μm（2）区域中，均方根粗糙度为0.15 nm，这是通过原子力显微镜图像揭示的。 最后，通过在直流操作AlN / GaN高电子迁移率晶体管下进

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    • 发布日期：2021-03-27
    • 文件大小：1048576
    • 提供者：weixin_38680957

  1. Mini LED行业报告

  2. 海外企业减产，LED 芯片产业链向中国大陆转移。海外 LED 芯片企业减产，三星、LG 关停部分产能，Cree 在高功率芯片上减产 25%，国外芯片企业将部分产品移交至中国大陆企 业进行代加工。2016 年下半年开始，LED 芯片供不应求，产业迎来上行周期，以三安光电、 华灿光电、乾照光电为代表的大企业大量扩产。根据高工 LED 的数据，2019 年中国大陆 LED 芯片行业产值规模达到 238 亿元，同比增长近 11%。2018 年底，经历了长时间的扩产周期， LED 芯片产能都已陆续释放，中

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-03-24
    • 文件大小：1048576
    • 提供者：weixin_38645373
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