过滤:成果类别发表年份。输入标题检索个人成果..成果:12,引用:8,专利:0,专利交易金额:0万元排序:发表葡萄酒添加成果。标题/作者/来源/收录。 ...具有浮动n阱区的TIGBT,具有高dV / dt可控性和低EMI噪声。 程俊吉陈星bi Chen,XB(*)。IEEE电子设备快报,2018.4,39(4):560〜563; SCIE。编辑...对电荷平衡超级结使用变化垂直掺杂的深沟道LDMOS的改进。成俊吉(#); 陈伟珍李平.IEEE电子设备学报,2018.4,65(4):1404〜1