文件名称:
Investigation of low-temperature cathodoluminescence mechanism of Er-doped GaN thick films by ion implantation
开发工具:
文件大小: 288kb
下载次数: 0
上传时间: 2021-02-23
详细说明：Er ions are implanted into the GaN thick films grown by hydride vapor phase epitaxy. The implantation energy is 200 keV and the implantation doses are 1×1013, 1×1014, 1×1015, and 5×1015 atom/cm2, respectively. The effects of the implantation dose and annealing temperature on the GaN band-edge lumine
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