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制造
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薄膜中去除材料的技术
说明:在半导体器件的制造中,蚀刻是指将选择性地从衬底上的薄膜中去除材料的技术(在其表面上有或没有先有结构),并通过这种去除在衬底上形成该材料的图案。该图案由耐蚀刻工艺的掩模限定,该掩模的产生在光刻中详细描述。一旦放置好掩模,就可以通过湿化学或“干”物理方法蚀刻不受掩模保护的材料。图1显示了此过程的示意图。
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jfkj2021
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等离子体增强化学气相沉积-PECVD
说明:用于制造微电子器件的薄膜都是使用某种沉积技术形成的,该术语是指在基板上形成沉积物。在半导体器件制造中,以下沉积技术(及其常用的缩写)为:
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jfkj2021
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反应离子蚀刻(RIE)
说明:本文介绍了玻璃微加工的工艺,包括喷砂,湿法蚀刻,反应离子蚀刻(RIE)和玻璃回流技术。根据实验介绍并讨论了每种方法的优缺点。喷砂和湿法蚀刻技术是简单的工艺,但是在小而高纵横比的结构中却面临困难。演示了喷砂处理过的2 cm×2 cm Tempax玻璃晶片,其蚀刻深度约为150 µm。通过湿蚀刻工艺观察到具有蚀刻深度和侧面约20μm的Tempax玻璃结构。这项工作最重要的方面是开发RIE和玻璃回流焊技术。这些方法的当前挑战在此得到解决。深Tempax玻璃柱,表面光滑,垂直,通过RIE技术获得了直径为
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jfkj2021
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多孔硅通常根据孔径分为三类
说明:在1950年代,贝尔实验室的两名工程师试图开发一种成形和抛光硅和锗晶片的工艺。在将HF酸和溶剂与在硅表面上施加的电流混合的各种尝试之后,除了表面颜色从黑变红为棕以外,人们认为发生的事情不多。这些结果写在一份技术报告中,并被遗忘了约30年,直到Leigh Canham发现这些化学蚀刻层具有独特的量子约束性质,在某些情况下还显示出惊人的光致发光。
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jfkj2021
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KUKA.Ethernet KRL 3.0
说明:KUKA.Ethernet KRL 3.0手册:KUKA机器人Ethernet KRL功能配置及编程。For KUKA System Software 8.5
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weixin_46115285
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架构进出线导线拉力计算
说明:电力工程设计
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WJL1010126
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PDMS培训手册.pdf
说明:PDMS学习手册
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WJL1010126
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史陶比尔VAL3学习资料
说明:史陶比尔VAL3学习资料
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dengfeng714724
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OPC学习笔记
说明:OPC学习笔记啊啊
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icesky_ff
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OpcHda2TCP-master.zip
说明:OpcHda2TCP-master.zip
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icesky_ff
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大型变压器片式散热器散热效率分析与研究
说明:散热分析期刊论文
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Irene_Daisy
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油浸式变压器温度场分析与油流对内部温升影响因素研究_李大建.caj
说明:变压器温度场分析与油流对内部温升影响因素研究——期刊论文
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Irene_Daisy
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