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行业下载,制造下载列表 第256页

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[制造] 人工智能在电气自动化控制中应用.txt

说明:人工智能在电气自动化控制中应用.txt
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[制造] 非晶合金材料变压器的发展和特点

说明:非晶合金材料变压器的发展和特点
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[制造] Simulink单关节运动控制PID调节

说明:Simulink单关节运动控制PID调节
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[制造] abb robot studio与python/C/Matlab等的接口 open_abb-fuerte-devel.rar

说明:abb robot studio接口
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[制造] 工程伦理课后习题答案_李正风版工程伦理_整理版

说明:李正风版工程伦理的课后习题答案整理版本
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[制造] RENA前后清洗工艺

说明:太阳电池是利用光生伏特效应,把光能直接转换成电能的一种器件。 它的工作原理可以概括成下面几个主要过程:第一,必须有光的照射,可以是单色光,太阳光或我们测试用的模拟太阳光源。第二,光子注入到半导体后,激发出电子—空穴对。这些电子空穴对必须有足够的寿命保证不会在分离前被附和。第三,必须有个静电场(PN结),起分离电子空穴的作用。第四,被分离的电子空穴,经电极收集输出到电池体外,形成电流。
<jfkj2021> 在 上传 | 大小:1048576

[制造] SiC基芯片背面通孔刻蚀工艺研究

说明:通过对感应耦合等离子体(ICP)设备装片夹具进行改进,提高了背氦的导热效率,减小了下电极基底与晶圆表面之间的温度差,提高了冷却效果。对装片夹具改进前后进行了对比实验,并分析了射频功率、ICP功率、下电极基底温度、腔室压力等参数对SiC背面通孔的刻蚀速率、选择比、倾斜角及侧壁光滑度的影响。通过装片夹具改进及工艺条件优化,开发出刻蚀速率为1μm/min、SiC与Ni的选择比大于60∶1、倾斜角小于85°、侧壁光滑的SiC通孔工艺条件,可用于SiC基GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)、SiC金属半导
<jfkj2021> 在 上传 | 大小:772096

[制造] STL格式的手机支架

说明:简易的手机支架,3D打印的简易模型
<Neo_MuMu> 在 上传 | 大小:55296

[制造] Ethernet/IP协议简介.pdf

说明:Ethernet/IP协议简介.pdf
<qq_42938682> 在 上传 | 大小:512000

[制造] 1553B总线噪声抑制测试判据分析.pdf

说明:1553B总线作为高可靠性军用总线的经典之作,其设计、测试、验证有着完善的标准。本文针对1553B总线“噪声抑制测试”的判据以图表的方式分析。 不知道怎么更新已上传文件。所以新上传了本文件的2.0版本,添加了各测试判据的统计置信度参数。
<innovationcjs> 在 上传 | 大小:216064

[制造] LIN总线从基础学习资料

说明:原厂LIN总线学习资料,覆盖拓扑结构,协议层讲解,帧组成,状态机,网络管理,硬件实现,API函数,工作流,LIN描述性文件等内容
<LAJIJIUSHICIWANGZHAN> 在 上传 | 大小:1048576

[制造] 2006 三维机器视觉及其应用.pdf

说明:2006 三维机器视觉及其应用.pdf
<shushengzheng> 在 上传 | 大小:7340032
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