[其它] 在GaN Gunn二极管的缺口区域中使用AlGaN

说明：通过基于负差迁移率模型的仿真研究了以氮化铝镓（AlGaN）为发射器的纤锌矿型氮化镓（GaN）Gunn二极管。 仿真表明，在偶极子域模式的自激振荡下，具有两步渐变的AlGaN发射极结构的二极管在基本振荡时可产生最大1.95 W的rf功率和1.72％的dc / rf转换效率。频率约为215 GHz。 这种没有低掺​​杂Craft.io的耿氏二极管结构方便了精确控制GaN外延生长的掺杂剂浓度。
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[其它] 基于InP高Q值微碟谐振腔原理分析及应用

说明：基于InP高Q值微碟谐振腔原理分析及应用
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[其它] 溶胶-凝胶法制备TiO

说明：采用电极火花放电法和溶胶-凝胶法制备了直径均为206 μm的SiO2微球腔和TiO2-SiO2混合微球腔，测得它们在1550 nm处的品质因子分别为2.15×107和1.36×106。宽带谐振透射谱显示，与相同尺寸的SiO2微球腔相比，混合腔中高阶回音壁模式的谐振峰吸收深度比增大，有效激发了高阶模式; 另外，谐振波长平均红移了0.706 nm，对应的自由光谱范围减小了0.020 nm，表明TiO2薄膜能有效调节SiO2微球腔的谐振特性。直径为134 μm的微球腔的谐振波长平均红移量和自由光谱范围
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[其它] 基于柱面透镜Otto结构SPR效应的金属薄膜厚度测量方法

说明：基于柱面透镜修正Otto结构产生的表面等离子体共振（SPR）效应，提出一种测量金属薄膜厚度的方法。该方法无需用s偏振光提取背景光强，可直接利用在p偏振光入射条件下得到的单幅SPR吸收图像拟合背景光强，进而得到竖直方向上的归一化反射率曲线。从而建立光学薄膜模型并拟合了反射率曲线，反演出待测金属薄膜的厚度参数。实验对一个纳米级厚度的Au膜样品进行测量，测量结果表明，Au膜的平均厚度与商用光谱椭偏仪的测量结果之差为0.1 nm，验证了该方法的有效性。
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[其它] 圆碟中回音壁模式的耦合条件

说明：圆碟中回音壁模式的耦合条件
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[其它] podman：Podman：一种用于管理OCI容器和Pod的工具-源码

说明：Podman：一种用于管理OCI容器和Pod的工具 Podman（POD MANager）是一种工具，用于管理容器和图像，安装在这些容器中的体积以及由容器组制成的容器。 Podman基于libpod，libpod是一个用于容器生命周期管理的库，该库也包含在其中。 libpod库提供用于管理容器，pod，容器映像和卷的API。 Windows的最新远程客户端 MacO的最新远程客户端 最新Linux静态远程客户端 持续集成： 概述和范围 从高层次上讲，Podman和libpod的范围如下：
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[其它] 生长压力对GaN薄膜生长速率和结构特性的影响

说明：生长压力对GaN薄膜生长速率和结构特性的影响
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[其它] docs-源码

说明：要求 Reqover是一种语言不可知的工具，它提供了有关基于Open API（Swagger）的API覆盖范围的图片。 用法示例： 对于基本示例，您可以使用 docker run -p 3000:3000 \ -e API_SERVICE_URL='https://petstore.swagger.io' \ -e SWAGGER_SPEC_URL='https://petstore.swagger.io/v2/swagger.json' \ spirogov/swagger-coverag
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[其它] nestx-amqp：提供AMQP连接作为NestJS模块。 内部使用amqp-connection-manager-源码

说明：nestx-amqp 提供AMQP连接作为NestJS模块。 内部使用 。 特征 提供一个AmqpModule创建异步的AmqpConnectionManager 在Global处提供可注射的amqp连接管理器 提供PublishQueue和SubscribeQueue类的装饰器作为方法装饰器，以简化使用 安装 yarn add nestx-amqp 例子 注册模块异步 import { Module } from 'nestjs/common' import { AmqpModule }
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[其它] 行动-源码

说明：行动 GitHub动作 执照 该项目已获得
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[其它] 曾经：流行的移动应用程序“ been”的网络克隆-源码

说明：是
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[其它] Ar等离子体处理对GaAs纳米线发光特性的影响

说明：采用Ar等离子体处理GaAs纳米线，通过光致发光测试研究了等离子体偏压功率对GaAs纳米线发光性能的影响。在不同测试温度和不同激发功率密度下，研究了发光光谱各个发光峰的来源和机制。研究结果表明：随着功率增加，GaAs自由激子发光逐渐消失，束缚激子发光强度先减小后增大；当功率增加到200 W时，出现施主-受主对(DAP)发光。通过对比不同样品在283 ℃下的发光光谱，得到了等离子体处理过程中GaAs纳米线的结构变化：当处理功率较小时，Ar等离子体在消除表面态的同时将空位缺陷引入GaAs中；当处理功
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