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开发技术下载,其它下载列表 第55443页

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[其它] Jogo-Snake-Final-源码

说明:Jogo-Snake-Final
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[其它] 利用电流重用技术设计3.1-10.6GHz超宽带CMOS低噪声放大器

说明:本文介绍了一种采用特许0.18 m RFCMOS技术设计的新型低复杂度超宽带3.1–10.6 GHz低噪声放大器(LNA)。 超宽带LNA仅由两个连接了级间电感器的简单放大器组成。 利用电阻电流重用和双重电感退化技术的第一阶段用于获得宽带输入匹配和低噪声。 带有电感峰值技术的通用源放大器作为第二级放大器,可实现高平坦增益,并同时扩大整个放大器的-3 dB带宽。 实施的超宽带LNA的最大功率增益为15.6 dB,反向隔离度为-45 dB,在3.1–频率范围内,良好的输入/输出回波损耗优于-10 d
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[其它] DuotrigesimalWS2811:用于驱动Teensy 4.1中的32个像素串的电路板。 与OctoWS2811相似,但具有32个输出-源码

说明:十二指肠WS2811 用于从Teensy 4.1驱动32个像素串的板。 与OctoWS2811相似,但具有32个输出。 该评估板与Teensy 4.1相连,旨在使用OctoWS2811库来驱动32串LED。
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[其它] python专案-源码

说明:python专案
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[其它] 铜添加剂对(CoPt)1-xCux薄膜结构和磁性的影响

说明:铜添加剂对(CoPt)1-xCux薄膜结构和磁性的影响
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[其它] 用于2.4 GHz无线通信的低压CMOS电流模式集成发送器前端

说明:本文介绍了一种采用特许0.18mm CMOS技术制造的,用于2.4 GHz无线通信应用的低压低功耗电流模式发射机前端。 直接上变频是通过采用新型输入驱动器级的电流模式混频器实现的,该混频器可以显着改善线性度并消耗少量的直流电流。 驱动器放大器将互阻放大器用作第一级放大器,并采用了级间电容*叉耦合技术,可提高功率转换增益和高线性度。 测量结果表明,在2.4 GHz频率下,发射机前端可提供15.5dB的功率转换增益,3dBm的输出P-1dB,以及以输出为参考的三阶交调点(OIP3)功耗为13.8d
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[其它] 半绝缘Si/SiO_2超晶格结构在交流电场下的电致发光特性

说明:本文研究了SiO2和Si层的厚度分别为2-8nm和1.5-3nm的Si/SiO2超晶格在交流电场下的电致发光特性。以超晶格中SiO2层内加速的过热电子碰撞激发纳米Si层中密集的硅量子点,获得了Si/SiO2超晶格蓝绿色交流电致发光。Si/SiO2超晶格的电致发光亮度随电压升高呈现指数增强,最高发光亮度可达到1.4cd/m2。随着Si层厚度的增加,Si/SiO2超晶格电致发光谱的低能侧发光峰相对增强,可以归结为纳米Si层厚度对其中硅量子点尺寸分布的限制作用。当超晶格中SiO2层厚度小于过热电子的平
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[其它] n型掺杂Fe的In2O3铁磁薄膜的磁性和输运性质

说明:n型掺杂Fe的In2O3铁磁薄膜的磁性和输运性质
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[其它] 共掺杂ZnO薄膜中铁磁性的掺杂浓度和退火温度依赖性

说明:共掺杂ZnO薄膜中铁磁性的掺杂浓度和退火温度依赖性
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[其它] 文件:设置镜像-源码

说明:档案 设置镜子
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[其它] StarUp_-源码

说明:StarUp_
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