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  1. 22nm光刻技术前景

  2. 综述了当前最为先进的22nm光刻技术,并且对总的集成电路设计流程进行了介绍!
  3. 所属分类:硬件开发

    • 发布日期:2012-05-25
    • 文件大小:296kb
    • 提供者:lujin0808
  1. 微电子光刻技术

  2. 超大规模集成电路工艺技术中的光刻技术,涵盖了光刻个方面的问题。
  3. 所属分类:教育

    • 发布日期:2013-03-08
    • 文件大小:1mb
    • 提供者:wangming056336
  1. 光刻技术工艺及应用

  2. 单的说用一定波长的波刻蚀材料就是光刻技术,集成电路制造中利用光学- 化学反应原理和化学、物理刻蚀方法
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-08-26
    • 文件大小:78kb
    • 提供者:weixin_38686245
  1. 一款基于软光刻技术的液态金属天线

  2. 提出一种新型的频率可重构的微带贴片天线,以液态金属合金和高度可拉伸的弹性体分别作为辐射贴片和介质基板。液态金属使用的是由质量比为75% 的镓和25% 的铟组成的共晶镓铟合金(EGaIn),弹性体为聚二甲基硅氧烷(PDMS),通过实验测量了PDMS在3种配比下的拉伸量,当质量比为10:1时,PDMS的粘性较低,拉伸性较好。采用软光刻技术制备天线的PDMS模型,然后进行表面处理,使其能够更好地封装,最后将EGaIn包裹在PDMS中形成天线。在PDMS的拉伸极限内,通过对微带天线进行轴向拉伸,随着长度
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-10-15
    • 文件大小:494kb
    • 提供者:weixin_38521169
  1. 下一代光刻技术突破传统的光刻技术障碍

  2. EUV蚀刻技术使最小线宽达30nm 全球第一款利用远紫外线(extreme ultra vio-let EUV)蚀刻技术制造计算机芯片的完整设备原型机近日在美国问世。这个命名为:“工程试验支架”(ETS)的原型机是由美国能源部下属的3个实验室和EUV LLC的半导体企业联盟共同开发的。 目前芯片制造商普遍使用深紫外线光刻技术,而且已有很多芯片制造商转向0.131xm的芯片制造工艺,但这种深度紫外线蚀刻工艺在理论上仅能使印刷电路的最小尺寸为0.11xm,当印刷电路的最小线宽达到0.1
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-12-10
    • 文件大小:58kb
    • 提供者:weixin_38556668
  1. 应用于PHEMT器件的深亚微米T形栅光刻技术

  2. 谢常青,陈大鹏,李兵,叶甜春(中国科学院微电子中心,北京,100010)摘要:PHEMT器件和基于它的高频单片集成电路广泛应用于现代微波/毫米波系统。当PHEMT器件的栅长缩短到足够短的时候,沿着栅宽方向的寄生电阻会影响PHEMT器件的性能。为了解决这个问题,一种具有大截面面积而底部长度却很小的T形栅结构通常被用于制作PHEMT器件,因为这种结构可以有效地减少由于栅寄生电阻而引起的晶体管噪声。对几种常用的制作深亚微米T形栅的三种光刻技术即光学光刻、电子束光刻、X射线光刻技术进行了比较分析。对于光
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-12-10
    • 文件大小:106kb
    • 提供者:weixin_38721811
  1. 简单解释一下主流光刻技术

  2. -光刻是指将集成电路图形从掩膜版上转移到硅片上的工艺过程光刻技术是集成电路的关键技术之一   在整个产品制造中是重要的经济影响因子,光刻成本占据了整个制造成本的35%   光刻也是决定了集成电路按照摩尔定律发展的一个重要原因,如果没有光刻技术的   进步,集成电路就不可能从微米进入深亚微米再进入纳米时代。。 光刻系统的组成:     光刻机(曝光工具)     掩膜版     光刻胶 主要指标:     分辨率W(resolution)-> 光刻系统所能分辨和加工的最小线条尺寸     焦
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-12-10
    • 文件大小:146kb
    • 提供者:weixin_38695159
  1. 193nm光刻技术延伸面临的选择

  2. 摘要: 就象上一代248nm光刻技术一样,193nm光刻可能会继续拓展和延伸,其使用极限将远远超出人们的预计。随着强烈相位移和浸入式光刻以及其它一些技术的应用,193nm光刻至少可以维持到45nm工艺时代,甚至更远。 尽管以前没有考虑过次波长光刻,但是现在人们逐渐接受了这样一个事实:采用任何波长的光源都可以得到分辨率为三分之一波长的特征图形。因此,将193nm光刻设备用于65nm工艺时代必定是可行的(图1)。 图1 为130nm工艺制作的193nm扫描光刻机二进制掩模版。相
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-12-09
    • 文件大小:138kb
    • 提供者:weixin_38512781
  1. 其它光刻技术简介

  2. 课程内容: 1 常规光刻技术存在的问题 1.1 常规曝光技术存在的问题 1.2 常规腐蚀技术存在的问题 2 其它曝光技术 2.1 投影曝光技术 2.2 电子束曝光技术 2.3 x射线曝光技术 2.4 共模复印曝光技术 3 其它刻蚀技术 3.1 圆桶型等离子体刻蚀 3.2 平板型等离子体刻蚀技术 课程重点:本节介绍了其它光刻技术。首先讨论了上述几节介绍的常规光刻技术存在的问题,如常
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-12-09
    • 文件大小:34kb
    • 提供者:weixin_38599545
  1. 限散射角电子束光刻技术及其应用前景

  2. (江苏大学电气信息工程学院,江苏 镇江 212013)摘 要:在下一代光刻(NGL)技术中,限散射角电子束光刻(SCALPEL)技术工艺简单、成本较低,因此是集成电路生产厂家首选的光刻方案之一。本文论述了SCALPEL的工作原理、加工工艺和方法、SCALPEL系统等,并对比分析了SCALPEL在NGL研发中的技术优势及其应用要点。 关键词:超大规模集成电路,纳米CMOS器件,电子束光刻,散射,技术优势,应用前景 中图分类号:TN305.7;TN47 文献标识码:A 文章编号:1003-353X(
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-12-09
    • 文件大小:134kb
    • 提供者:weixin_38650150
  1. 光刻技术概况

  2. 光刻技术是集成电路的关键技术之一   在整个产品制造中是重要的经济影响因子,光刻成本占据了整个制造成本的35%   光刻也是决定了集成电路按照摩尔定律发展的一个重要原因,如果没有光刻技术的   进步,集成电路就不可能从微米进入深亚微米再进入纳米时代。 所以说光刻系统的先进程度也就决定了光刻工程的高低,光刻系统的组成:     光刻机(曝光工具) (光刻工程的核心部分,其造价昂贵.号称世界上最精密的仪 器,目前世界是已有7000万美金的光刻机.)     掩膜版     光刻胶(常伴随着
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-12-09
    • 文件大小:53kb
    • 提供者:weixin_38704830
  1. 使用基于DMD的光刻技术快速制造弯曲微透镜阵列

  2. 使用基于DMD的光刻技术快速制造弯曲微透镜阵列
  3. 所属分类:其它

  1. 基于DMD的实时无掩模光刻技术制造连续浮雕微光学元件

  2. 基于DMD的实时无掩模光刻技术制造连续浮雕微光学元件
  3. 所属分类:其它

  1. 使用纳米压印光刻技术和低压热粘合方法制造尺寸可控的SU-8纳米通道

  2. 使用纳米压印光刻技术和低压热粘合方法制造尺寸可控的SU-8纳米通道
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2021-03-17
    • 文件大小:293kb
    • 提供者:weixin_38670297
  1. 使用基于DMD的剂量调制光刻技术制作六角形复眼微透镜阵列

  2. 使用基于DMD的剂量调制光刻技术制作六角形复眼微透镜阵列
  3. 所属分类:其它

  1. 室温纳米压印光刻技术制造TiO2亚波长相位延迟器

  2. 室温纳米压印光刻技术制造TiO2亚波长相位延迟器
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2021-03-14
    • 文件大小:703kb
    • 提供者:weixin_38526823
  1. 相模原子力显微镜光刻技术制备亚微米级MoS2薄膜晶体管

  2. 相模原子力显微镜光刻技术制备亚微米级MoS2薄膜晶体管
  3. 所属分类:其它

  1. 两项颇有希望的纳米光刻技术

  2. 两项颇有希望的纳米光刻技术
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2021-03-05
    • 文件大小:700kb
    • 提供者:weixin_38682790
  1. GaN纳米结构的大规模制备和发光特性的软紫外固化纳米压印光刻技术

  2. GaN纳米结构的大规模制备和发光特性的软紫外固化纳米压印光刻技术
  3. 所属分类:其它

  1. 混合电子束和多图案光刻技术的布局分解协同优化

  2. 混合电子束和多图案光刻技术的布局分解协同优化
  3. 所属分类:其它

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