提出了一种新型的低比导通电阻（R-on，R-sp）横向双扩散金属氧化物半导体（LDMOS），其具有掩埋的改进超结（BISJ）层。超结层埋在漂移区中，P柱分为两个掺杂浓度不同的部分。首先，掩埋的超结层引起多方向辅助的耗尽效应。因此，BISJ LDMOS的漂移区掺杂浓度远高于常规LDMOS。其次，掩埋的超结层提供了大体积的低导通电阻路径。两者都大大降低了R-on，R-sp。第三，由阶梯掺杂的P柱引入的新的电场峰值的电场调制效果改善了击穿电压（BV）。 BISJ LDMOS的BV为300 V，R-on

提出了一种新型的具有超低比导通电阻（R-on，R-sp）的高压沟槽横向双扩散金属氧化物半导体（LDMOS）。 该结构具有双栅极（DG LDMOS）：在氧化物沟槽中插入了平面栅极和沟槽栅极。 首先，双栅极可以提供双传导通道并显着降低R-on，R-sp。 其次，漂移区中的氧化物沟槽可调节电场分布并减小单元间距，但仍可保持相当的击穿电压（BV）。 仿真结果表明，与传统LDMOS等效BV相比，DG LDMOS的单元间距可以减小50％。 此外，由于较小的单元间距和双栅极，DG LDMOS的R-on（sp）

提出了一种新型的具有表面改进的超结（SISJ）层的低比导通电阻（Ron，sp）可集成功率金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）。 在漂移区的表面上实现了超结层，并且将超结层中的P柱分成了掺杂浓度不同的两部分。 首先，超结层引起多方向耗尽效应。 因此，SISJ LDMOS的漂移区掺杂浓度显着增加。 其次，超结层提供了表面上的低导通电阻路径。 第三，由P柱的掺杂浓度的变化引入的新的电场峰值调节了表面电场分布，从而提高了击穿电压（BV）。 对于特定的BV容量，它可以减小器件间距。 所有这些人都使

具有降低的击穿电压的新型降低导通电阻的LDMOS

报告了具有衬底偏置的新型高压硅LDMOS结构（SB S-LDMOS）。 当将正衬底偏压施加到SB S-LDMOS时，垂直导电路径被双p（-）/ n（+）层衬底阻挡。 漂移区中的整体电场由于衬底偏置而重新分布，并且漏极下的耗尽区所维持的垂直电压显着降低，这对于薄型漂移区功率器件而言尤其重要。 数值结果表明，与传统的LDMOS相比，该器件的击穿电压提高了94％，同时保持了较低的导通电阻。