实现高功率密度的工业电源pdf,工业电源必须满足一些特殊的要求，如低能耗、高功率密度、高可靠性和高耐用性，以及其他在普通电源中不常见的特性。的电阻/电容网络可对输入电压进行样。电感之后是带栅板保护电路的 电源开关,PFC整流器为 StealthTM二极管。接下来使用一个电阻分压 器来感测和调节PFC级的输出电压,反馈回路至此结束。总线电容也如 图2所示,而二极管D1是一个额外的保护器件。 图2PFC级的原理小意图 这里采用的控制器是FAN4810,该器件包含了先进的半均电流“升 压”型功率因薮校

描述 　　LTC:registered:4444-5 是一款高频高电压栅极驱动器，可利用一个同步 DC/DC 转换器和高达 100V 的电源电压来驱动两个 N 沟道 MOSFET。强大的驱动能力降低了具高栅极电容 MOSFET 中的开关损耗。 　　LTC4444-5 针对两个与电源无关的输入进行配置。高压侧输入逻辑信号在内部被电平移位至自举电源，此电源可以在高出地电位达 114V 的电压条件下运行。 　　LTC4444-5 包含欠压闭锁电路，用于在器件启动时停用外部 MOSFET。LTC4

金属-氧化层-半导体-场效晶体管，简称金氧半场效晶体管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）是一种可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效晶体管（field-effect transistor）。 　　监管机构与终端客户对DC/DC电源效率的要求越来越高，也要求更低的导通阻抗，同时不能影响非钳位电感性开关（UIS）能力或者不增加开关损耗。屏蔽栅极MOSFET可为30～200V范围的DC/DC电源设计人员提供相关解决方

金属-氧化层-半导体-场效晶体管，简称金氧半场效晶体管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）是一种可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效晶体管（field-effect transistor）。 　　监管机构与终端客户对DC/DC电源效率的要求越来越高，也要求更低的导通阻抗，同时不能影响非钳位电感性开关（UIS）能力或者不增加开关损耗。屏蔽栅极MOSFET可为30～200V范围的DC/DC电源设计人员提供相关解决方

描述 　　LTC:registered:4444-5 是一款高频高电压栅极驱动器，可利用一个同步 DC/DC 转换器和高达 100V 的电源电压来驱动两个 N 沟道 MOSFET。强大的驱动能力降低了具高栅极电容 MOSFET 中的开关损耗。 　　LTC4444-5 针对两个与电源无关的输入进行配置。高压侧输入逻辑信号在内部被电平移位至自举电源，此电源可以在高出地电位达 114V 的电压条件下运行。 　　LTC4444-5 包含欠压闭锁电路，用于在器件启动时停用外部 MOSFET。LTC4