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  1. 2015 年全国大学生电子设计竞赛双向 DC-DC 变换器论文

  2. 本系统以 TI 公司的 MSP430F5529 单片机为核心，设计了一套高效率的双向 DC-DC 变换器。通过闭环控制实现了恒流充电，放电，过充保护以及自动切换 工作模式的功能，效率高，精度高。该设计应用同步整流技术和准方波零电压软 开关技术使效率明显提高。单片机输出带死区的互补 PWM 来控制 MOSFET 的 导通与关断，驱动电路使用 TI 公司的 UCC27211 驱动芯片驱动 TI 公司的导通电 阻极小的 CSD19506 功率 MOSFET，采用自举升压、浮地驱动的方式驱动高侧 MO

  3. 所属分类：专业指导

    • 发布日期：2017-07-20
    • 文件大小：606kb
    • 提供者：qq_39359210

  1. 实现高功率密度的工业电源.pdf

  2. 实现高功率密度的工业电源pdf,工业电源必须满足一些特殊的要求，如低能耗、高功率密度、高可靠性和高耐用性，以及其他在普通电源中不常见的特性。的电阻/电容网络可对输入电压进行样。电感之后是带栅板保护电路的 电源开关,PFC整流器为 StealthTM二极管。接下来使用一个电阻分压 器来感测和调节PFC级的输出电压,反馈回路至此结束。总线电容也如 图2所示,而二极管D1是一个额外的保护器件。 图2PFC级的原理小意图 这里采用的控制器是FAN4810,该器件包含了先进的半均电流“升 压”型功率因薮校

  3. 所属分类：其它

  1. 开关电源测流电阻应放置的6个位置.pdf

  2. 开关电源测流电阻应放置的6个位置pdf,电流模式控制由于其高可靠性、环路补偿设计简单、负载分配功能简单可靠的特点，被广泛用于开关模式电源。电流检测信号是电流模式开关模式电源设计的重要组成部分，它用于调节输出并提供过流保护。图1显示了 ADI LTC3855同步开关模式降压电源的电流检测电路。LTC3855是一款具有逐周期限流功能的电流模式控制器件。检测电阻RS监测电流。在这种配置中,电流检测可能有很高的噪声,原因是顶部 MOSFET的导通边沿 具有很强的开关电压振荡。为使这种影响最小,需要一个较

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2019-09-14
    • 文件大小：519kb
    • 提供者：weixin_38743737

  1. 新手必看 L6562完全中文详细解释.pdf

  2. 新手必看 L6562完全中文详细解释pdf,新手必看 L6562完全中文详细解释压用来给芯片内供电,但是输出驱动M0STT是由vcc直接供电。另外,一个 苧隙电路产生一个精准的2.5V内部参考电压(2.5V+1%),用于环路控制,以此 来获得—一个稳定的调节。 在图片2中可以看到,一个欠电压锁死迟滞比较器,用来保证只有当输入电压足 够高,芯片才运行,以此保证芯片运行在可靠的条件下。 图片2.内部供电模块 UVLO REF D773 差分放大器和过压检测模(见图片3和4) 差分放大器(EA)的反向

  3. 所属分类：其它

  1. 低压低功耗全摆幅CMOS运算放大器设计与仿真.pdf

  2. 低压低功耗全摆幅CMOS运算放大器设计与仿真pdf,ABSTRACT In recent years, more and more electronic products with battery supply are widely used, which cries for adopting low voltage analog circuits to reduce power consumption, therefore low voltage, low power analog circu

  3. 所属分类：其它

  1. R8103非隔离降压型LED驱动IC.pdf.pdf

  2. R8103非隔离降压型LED驱动IC.pdfpdf,R8103非隔离降压型LED驱动IC.pdfSiRise 功能框图 稳压源 输 出 系统控制器 驱 动 前沿消隐 图 功能框图 典型应用图 DI-ED x火 火 H]3 R810 ENP 数据手册 矽瑞微电子有限公司版权所有 SiRise 应用信息 R8103是非隔离降压型恒流驱动器,内部集成高压600 V MOSFET,采用DIP8封装,LED电流可以输 出高达350mA:R8103采用谷底开关模式,自适应电感感量和输出电压的变化,只需要很

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2019-09-14
    • 文件大小：810kb
    • 提供者：weixin_38744435

  1. LED基础知识及恒流恒压电路汇总.pdf.pdf

  2. LED基础知识及恒流恒压电路汇总.pdfpdf,LED基础知识及恒流恒压电路汇总.pdfLED的效率提升得很快:目前大功率白光平均光输出为60~80流明每瓦(lmW),2008年底有 望达到120lmW。LED的长寿命让固态照明非常有吸引力。机械上SSL也比白炽灯和荧光灯 更坚固。目前固态照明还未能实现家用,因为丕需要电源转换,而且比较昂贵,尽管成本正 在下降。闪光LED日前已经广泛应用了。 白炽灯泡丰常便宜,但效率也很低,家用钨丝灯为6Im/W,卤素灯大约为22lmW。荧光 灯效率很高,50到

  3. 所属分类：其它

  1. 电源管理指南中文版.pdf

  2. 电源管理指南中文版pdf,本选型指南，包括设计因素、特色产品、产品组合展示图例以及技术参数表。可携式和插线电源解决方案 插线电源解决方案 隔离式电源解决方案 普通负载点解决方案 负载 交流线 入电源MUX 功率因数 线性稳压器 PWM 控制和保护 正或 保护 A0c控制器热插技厂带集成工的 外设 Dc/Dc转换器 流和 系统电压 替代能源|:隔离电源 MOSFET/:/ ORing\;模数DC/DC控制器 NexFET TM FPGA ASIC 模块驱动器 控制 功率 MOSFETS 模拟电路

  3. 所属分类：其它

  1. 功率MOSFET驱动保护电路设计与应用

  2. 分析了对功率 MO S F E T器件的设计要求； 设计了基于 E XB 8 4 1 驱动模块的功率 MO S F E T驱动保护电路。该电路具有结构简单， 实用性强， 响应速度快等特点。在电涡流测功机励磁线圈驱动电路中的实际应用证明， 该电路驱动能力及保护功能效果良好。

  3. 所属分类：教育

    • 发布日期：2013-01-24
    • 文件大小：150kb
    • 提供者：chenbing2013

  1. 基于TOPSwitchⅡ的开关电源设计

  2. TOPSwitch Ⅱ系列芯片是Power Integration 公司生产的开关电源专用集成电路,他将脉宽调制电路与高压MOSFET 开关管及驱动电路等集成在一起,具备完善的保护功能。使用该芯片设计的小功率开关电源,可大大减少外围电路,降低成本,提高可靠性。介绍其内部结构和工作原理,给出几种应用于反激式功率变换电路的典型用法,并给出一种反激式开关电源的实用电路。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-22
    • 文件大小：205kb
    • 提供者：weixin_38718434

  1. 元器件应用中的MOSFET的驱动保护电路的设计与应用

  2. 摘要：率场效应晶体管由于具有诸多优点而得到广泛的应用；但它承受短时过载的能力较弱，使其应用受到一定的限制。分析了MOSFET器件驱动与保护电路的设计要求；计算了MOSFET驱动器的功耗及MOSFET驱动器与MOSFET的匹配；设计了基于IR2130驱动模块的MOSFET驱动保护电路。该电路具有结构简单，实用性强，响应速度快等特点。在驱动无刷直流电机的应用中证明，该电路驱动能力及保护功能效果良好。 　　功率场效应晶体管（Power MOSFET）是一种多数载流子导电的单极型电压控制器件，具有开关

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-21
    • 文件大小：238kb
    • 提供者：weixin_38580959

  1. 基于CPLD技术的MOSFET器件保护电路的设计方案

  2. 导读：介绍了一种基于CPLD技术的MOSFET器件保护电路的设计与实现。该电路设计方案具有抗干扰能力强、响应速度快和通用性好的优点。通过试验验证了该方案的正确性和可行性。 　　1.概述 　　功率MOSFET最初是从MOS集成电路发展起来的，它通过增加源漏横向距离提高器件耐压，从而实现集成电路中高压驱动[1].功率MOSFET已大量应用于电力电子，消费电子、汽车电子和水声工程等领域。虽然功率MOSFET具有效率高、结构简单、便于数字化控制等优点，但是其采用的电力电子器件对过压过流的承受能力较差

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-20
    • 文件大小：440kb
    • 提供者：weixin_38714509

  1. 单片机与DSP中的IR 2通道120W D类音频放大器参考设计IRAUDAMP...

  2. IR推出D类音频功率放大器参考设计IRAUDAMP4。与典型的电路设计相比，新型参考设计可帮助设计人员为适用于家庭影院应用、专业放大器、乐器和汽车娱乐系统的所有中压范围的中高功率放大器节省50%的PCB占板面积。 与IR的200V数字音频驱动IC IRS20955和IRF6645 DirectFET数字音频MOSFET配合使用的IRAUDAMP4参考设计，是一种2通道、120W 半桥设计，在120W 、4Ω条件下可实现96%的效率。该设计也结合了多种关键保护功能，包括过流保护、过压保护、欠压保护

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-12-03
    • 文件大小：86kb
    • 提供者：weixin_38670433

  1. 基于CPLD技术的MOSFET器件保护电路的设计方案

  2. 导读：介绍了一种基于CPLD技术的MOSFET器件保护电路的设计与实现。该电路设计方案具有抗干扰能力强、响应速度快和通用性好的优点。通过试验验证了该方案的正确性和可行性。 　　1.概述 　　功率MOSFET初是从MOS集成电路发展起来的，它通过增加源漏横向距离提高器件耐压，从而实现集成电路中高压驱动[1].功率MOSFET已大量应用于电力电子，消费电子、汽车电子和水声工程等领域。虽然功率MOSFET具有效率高、结构简单、便于数字化控制等优点，但是其采用的电力电子器件对过压过流的承受能力较差，

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-01-20
    • 文件大小：431kb
    • 提供者：weixin_38722164