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  1. 微电子制造工艺讲义！！

  2. 里面介绍了：扩散 非光学光刻技术 光刻胶 光学光刻 刻蚀 离子注入 热氧化 真空科学和等离子体 等知识！！

  3. 所属分类：制造

    • 发布日期：2009-11-11
    • 文件大小：1mb
    • 提供者：bn813

  1. 实训报告计算机网络方面

  2. 计算机网络基础设计实训报告和知道思想，实验原理 在具有压阻效应的半导体材料上用扩散或离子注入法，摩托罗拉公司设计出X形硅压力传感器如下图所示：在单晶硅膜片表面形成4个阻值相等的电阻条。并将它们连接成惠斯通电桥，电桥电源端和输出端引出，用制造集成电路的方法封装起来，制成扩散硅压阻式压力传感器。 扩散硅压力传感器的工作原理：在X形硅压力传感器的一个方向上加偏置电压形成电流 ，当敏感芯片没有外加压力作用，内部电桥处于平衡状态，当有剪切力作用时，在垂直电流方向将会产生电场变化 ，该电场的变化引起电位变

  3. 所属分类：网管软件

    • 发布日期：2011-12-14
    • 文件大小：660kb
    • 提供者：dubaocai521

  1. 台积电0.35毫米工艺详解.rar

  2. 处理技术 模式转换 光刻和蚀刻 层的增长 氧化和沉积 掺杂剂的介绍 扩散离子注入 技术模块 0.35毫米1P3M聚酰亚胺技术 过程特性 工艺流程 集成设备 设计规则

  3. 所属分类：其它

  1. 元器件应用中的高精度电阻、电容形成技术

  2. 吴晓鸫 徐 政 何 磊(中国电子科技集团公司第58研究所，江苏 无锡 214035)摘 要：本文介绍了几种集成电路物工艺中高精度电阻和电容的制作方法。关键词：掺杂；扩散；注入；溅射中图分类号：TN305．2 文献标识码：A1 前言在集成电路的工艺中，为了提高器件性能，提高集成度，电阻和电容也集成在器件之中。随着线宽不断缩小，对电阻和电容的精度要求也越来越高。本篇介绍了几种制作高精度电阻和电容的制作工艺。2 高精度电阻的制作2．1 掺杂法集成电路中用掺杂法制作电阻,一般采用扩散电阻法和离子注入法。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-12-10
    • 文件大小：117kb
    • 提供者：weixin_38562329

  1. 扩散和离子注入

  2. 离散二极管和晶体管能在晶体生长的时候在硅ingot里形成结而生产出来。假设硅ingot开始的时候是P型晶体。经过短暂的生长后，通过加入控制量的磷melt被反向掺杂。继续的晶体生长会产生一个嵌入ingot的PN结。连续的反掺杂能在晶体里产生多个结，这样就能生产grown-junction晶体管。集成电路不能生长出来，因为没办法在不同的wafer区生产不同的掺杂区。即使生产简单的grown-junction晶体管都很困难，因为grown junction的厚度和planarity很难控制。每个反掺杂

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-12-09
    • 文件大小：39kb
    • 提供者：weixin_38733733

  1. 离子注入相关知识介绍

  2. 由于传统扩散技术的限制性，现代工艺大量使用了离子注入。 离子注入机是一种特殊的粒子加速器，用来加速杂质原子，使他们能穿透硅晶体到达几微米的深度。（16 注入深度和注入能量有关。 本节讨论的注入涉及到的能量不超过几百keV。一些现代CMOS工艺使用multi-MeV注入来达到更深的地方（5－10μm））。离子注入不需要高温，所以一层光刻胶也能作为注入杂质的mask。注入比传统的沉积扩散有更好的杂质浓度和特性控制。但，大注入也需要相应的长注入时间。离子注入机是很复杂且昂贵的器件。许多工艺使用扩散和注

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-12-09
    • 文件大小：71kb
    • 提供者：weixin_38562130

  1. 元器件应用中的集成电阻器

  2. 基区扩散电阻是最常用的电阻器 对一般图形电阻的阻值采用计算电阻公式(3-1) ，折叠图形电阻阻值的计算是各段相加，不过对端头电阻和拐角电阻要进行修正采用计算电阻公式(3-3) 。 集成电路中电阻--基区沟道电阻外延层电阻外延层沟道电阻 离子注入电阻 同样是掺杂工艺，由于离子注入工艺可以精确地控制掺杂浓度和注入的深度，并且横向扩散小，因此，采用离子注入方式形成的电阻的阻值容易控制，精度较高。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-12-09
    • 文件大小：33kb
    • 提供者：weixin_38571449

  1. 二氧化硅层的主要作用

  2. ①在MOS电路中作为MOS器件的绝缘栅介质，是MOS器件的组成部分 ②扩散时的掩蔽层，离子注入的(有时与光刻胶、Si3N4层一起使用)阻挡层 ③作为集成电路的隔离介质材料 ④作为电容器的绝缘介质材料 ⑤作为多层金属互连层之间的介质材料 ⑥作为对器件和电路进行钝化的钝化层材料   

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-12-09
    • 文件大小：25kb
    • 提供者：weixin_38678796

  1. 掺杂

  2. 掺杂是将特定量的杂质通过薄膜开口引入晶圆表层的工艺制程（图4.8）。它有两种工艺方法：热扩散（thermal diffusion）和离子注入（implantation），都在第十一章有详细阐述。 热扩散是在1000摄氏度左右的高温下发生的化学反应，晶圆暴露在一定掺杂元素汽态下。扩散的简单例子就如同除臭剂从压力容器内释放到房间内。汽态下的掺杂原子通过扩散化学反应迁移到暴露的晶圆表面，形成一层薄膜。在芯片应用中，热扩散也被称为固态扩散，因为晶圆材料是固态的。热扩散是一个化学反应过程。 离子注入是一

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-12-09
    • 文件大小：36kb
    • 提供者：weixin_38665822

  1. PCB技术中的集成电路工艺小结

  2. 前工序图形转换技术：主要包括光刻、刻蚀等技术薄膜制备技术：主要包括外延、氧化、化学气相淀积、物理气相淀积(如溅射、蒸发) 等掺杂技术：主要包括扩散和离子注入等技术 后工序划片封装测试老化筛选   

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-12-09
    • 文件大小：21kb
    • 提供者：weixin_38635975

  1. CMOS集成电路工艺体硅CMOS工艺设计中阱工艺的选择

  2. (1) p阱工艺 实现CMOS电路的工艺技术有多种。CMOS是在PMOS工艺技术基础上于1963年 发展起来的，因此采用在n型衬底上的p阱制备NMOS器件是很自然的选择。由于氧化层中正电荷的作用以及负的金属(铝)栅与衬底的功函数差，使得在没有沟道离子注入技术的条件下，制备低阈值电压(绝对值)的PMOS器件和增强型NMOS器件相当困难。于是，采用轻掺杂的n型衬底制备PMOS器件，采用较高掺杂浓度扩散的p阱做NMOS器件，在当时成为最佳的工艺组合。 考虑到

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-12-09
    • 文件大小：86kb
    • 提供者：weixin_38712092

  1. 离子注入和激光退火

  2. 近年来，激光退火与离子注入技术相结合已在半导体和金属物理领域中获得应用。讨论了激光与固体表面相互作的物理机制。报道了有关激光照射前放射性原子注入到表面的扩散的研究情况。本文报道了激光退火的现状，这种工艺过程对于辐射损伤无定形硅重结晶的重要性以及在半导体物理中的应用前景。

  3. 所属分类：其它

  1. 长波长HgCdTe光伏红外探测器暗电流机理的温度依赖性分析

  2. 在40-150 K的温度范围内测量形成128元件阵列的n-on-p Hg1-xCdx Te长波长红外光电二极管的电阻-电压曲线。通过同时模式非线性拟合程序拟合实验获得的特性。 RV曲线拟合的物理模型包括由扩散，生成重组，陷阱辅助隧穿，带间隧穿和串联电阻效应引起的暗电流机制。 从测量的RV曲线中提取了六个随温度变化的特征参数。 低温下提取的电流分量的特性表明隧穿效应的显着贡献，这是反向偏置大于约50 mV的主要泄漏电流机制。 汞空位诱导的陷阱陷阱在较高的温度下（通常大于120 K）趋向于转变为供体

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-02-24
    • 文件大小：254kb
    • 提供者：weixin_38522029