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  1. IR2110中文资料

  2. 介绍了IR2110的内部结构和特点，高压侧悬浮驱动的原理和自举元件的设计。针对IR2110的不足 提出了几种扩展应用的方案，并给出了应用实例。

  3. 所属分类：专业指导

    • 发布日期：2010-05-19
    • 文件大小：912kb
    • 提供者：zqihyy

  1. 基于UCC3809设计的反激变换器（50W）.pdf

  2. 基于UCC3809设计的反激变换器（50W）pdf,UCC3809设计反激变换器（50W）在反激变换器中,变压器实际上是一个多绕组的耦和电感,变压器磁芯提 供耦合及隔离,而电感量给出储能大小,储存在空气隙中的电感的能量如下式 E Lp·(PEAK 2 (2) 此处,E为焦耳,Lp为初级电感,单位为享利。 Ipeak为初级电流,单位安 培。当开关导通时,D1反向偏置,没有电流流过二次绕组,初级绕组中流过斜 率如下式的电流 IN(min)v Rds(on) △t P (3) 此处,V1N(min)与

  3. 所属分类：其它

  1. 绝缘栅型场效应管之图解1

  2. 绝缘栅型场效应管是一种利用半导体表面的电场效应，由感应电荷的多少改变导电沟道来控制漏极电流的器件，它的栅极与半导体之间是绝缘的，其电阻大于1000000000Ω。图解1

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-07-17
    • 文件大小：34kb
    • 提供者：weixin_38506182

  1. (多图)基于电荷泵改进型CMOS模拟开关电路

  2. 要减小开关导通电阻，可以通过采用大宽长比的器件和提高栅源电压的方法，可是调节器件的物理尺寸不可避免地会带来一些不必要的寄生效应，比如增大器件的宽度会增加器件面积进而增加栅电容，脉冲控制信号会通过电容耦合到模拟开关的输入和输出，在每个开关周期其充放电过程中会消耗更多的电流，时间常数t=RC, 充放电时间取决于负载电阻和电容，使得开关的速度变慢，同时增大宽长比也增加了器件的成本。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-07-13
    • 文件大小：587kb
    • 提供者：weixin_38529123

  1. 一种减少VDMOS寄生电容的新结构

  2. 分析影响VDMOS开关特性的各部分电容结构及参数,为了减少寄生电容,提高开关速度,在此提出一种减少VDMOS寄生电容的新型结构。该方法是部分去除传统VDMOS的neck区多晶硅条,并利用多晶硅作掩模注入P型区,改变VDMOS栅下耗尽区形状,减小寄生电容。在此增加了neck区宽度,并增加了P阱注入。利用TCAD工具模拟,结果表明:这种新型结构与传统VDMOS相比,能有效减小器件的寄生电容,减少栅电荷量,提高开关时间,提高器件的动态性能。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-07-28
    • 文件大小：68kb
    • 提供者：weixin_38668274

  1. 嵌入式系统/ARM技术中的使用于嵌入式功率系统的先进100V MOSFET器件

  2. 高效的AC/DC SMPS与DC/DC转换器是现代功率架构的主干，用於驱动诸如电信或计算机此类系统。为了满足市场对这些转换器的需求，英飞凌科技推出了全新的100V MOSFET系列器件。该系列器件以电荷平衡为基础，可大幅度降低导通电阻。通过结合应用低栅电荷、高开关速度、卓越的抗雪崩能力以及改进的体内二极体（body-diode）特性，这些器件适用於多种不同的应用。 　　简介 　　今天，电信与计算系统中的嵌入式功率系统面临着功率密度日益增加带来的挑战。尽管功率要求不断提高，但功率系统空间且保持不变

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-23
    • 文件大小：223kb
    • 提供者：weixin_38652196

  1. 一种低压开关电荷泵的设计

  2. 设计了一款应用于亚微米工艺的传输只读存储器的编程高压的单阈值开关电荷泵。随着亚微米和深亚微米工艺的应用，N+／PWLL结反向击穿电压和栅氧击穿电压都明显降低，用于只读存储器传送编程电压的两阈值开关电荷泵应用存在着极大的风险。单阈值开关电荷泵能实现内部高压结点只高于编程一个阈值电压，使开关电荷泵在传送高压时能安全工作。电路在TSMC 0．35μm工艺得到仿真验证。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-20
    • 文件大小：175kb
    • 提供者：weixin_38695452

  1. ST发布650V最新最先进超结MOSFET

  2. 意法半导体（STMicroelectronics,简称ST的最新超结 （super-junction） 功率MOSFET满足家电、低能源照明系统以及太阳能微逆变器厂商对电源能效的要求，同时提供更高可靠性的最新且满足高功率密度的封装。 　　MDmesh M2系列产品拥有最新最先进的超结晶体管技术，取得了比上一代产品更低的导通电阻 （RDS（ON）），以及更低的栅电荷量 （QGD）和输入/输出电容（Ciss/Coss）。此外，这些产品更进一步降低了能耗和热耗散（heat dissipation），

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-19
    • 文件大小：72kb
    • 提供者：weixin_38612909

  1. 模拟技术中的基于电荷泵改进型CMOS模拟开关电路

  2. 当前VLSI 技术不断向深亚微米及纳米级发展，模拟开关是模拟电路中的一个十分重要的原件，由于其较低的导通电阻，极佳的开关特性以及微小封装的特性，受到人们的广泛关注。模拟开关导通电阻的大小直接影响开关的性能，低导通电阻不仅可以降低信号损耗而且可以提高开关速度。要减小开关导通电阻，可以通过采用大宽长比的器件和提高栅源电压的方法，可是调节器件的物理尺寸不可避免地会带来一些不必要的寄生效应，比如增大器件的宽度会增加器件面积进而增加栅电容，脉冲控制信号会通过电容耦合到模拟开关的输入和输出，在每个开关周期其

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-19
    • 文件大小：267kb
    • 提供者：weixin_38697659

  1. 一种高性能CMOS电荷泵的设计

  2. 设计了一种用于电荷泵锁相环的CMOS电荷泵电路。电路中采用3对自偏置高摆幅共源共栅电流镜进行泵电流镜像，增大了低电压下电荷泵的输出电阻，实现了上下两个电荷泵的匹配。为消除单端电荷泵存在的电荷共享问题，引入了带宽幅电压跟随的半差分电流开关结构，使电荷泵性能得以提高。设计采用0．18μm标准CMOS工艺。电路仿真结果显示，在0．35～1．3 V范围内泵电流匹配精度达0．9％，电路工作频率达250 MHz。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-24
    • 文件大小：177kb
    • 提供者：weixin_38677046

  1. 新工艺减少栅泄漏

  2. 新工艺减少栅泄漏 作者：Peter Singer, Semiconductor International 肯塔基大学（University of Kentucky）的研究人员展示了一种比较简单的快速热处理（RTP）和退火措施，可以延长常规栅介质的寿命，缓和对高k栅介质的需求。当栅介质变得越来越薄时，栅泄漏成为主要问题，以致于某些晶体管处于关态时的能耗几乎与处于开态时相当。可靠性的退化也是一个问题。 高k材料提供较大的电容和高有效氧化物厚度，使电荷更容易地从栅迁移到源/漏区。遗憾的是

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-12-13
    • 文件大小：73kb
    • 提供者：weixin_38687904

  1. MONOS型非易失性存储器中作为电荷存储层的ZnO量子点的特性

  2. 长期以来，人们一直在研究以量子点（QD）作为电荷存储层（CSL）的MONOS型非易失性存储设备，以取代传统的多晶硅浮栅存储器，因为它具有以下优点：工作电压较小，编程/擦除速度更快，更小的尺寸，更好的耐用性以及更高的位存储密度。 作为关键部分，已经广泛研究了不同类型的半导体量子点，例如GeError！ 找不到参考源。，SiCError！ 找不到参考源。，SiGeError！ 找不到参考源。InP和ZnO。 在这项工作中，已研究了不同的溅射厚度和沉积后退火（PDA）温度对ZnO QDs形成尺寸的影响

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-03-25
    • 文件大小：450kb
    • 提供者：weixin_38611877

  1. 具有双向电荷氧化沟道的高品质SOI MOSFET

  2. 提出了一种新型的具有高品质因数（FOM）的绝缘体上硅（SOI）金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）。 该器件具有双面电荷氧化物沟槽（DCT）和延伸至掩埋氧化物的沟槽栅。 首先，氧化物沟槽在漂移区中引起多维耗尽，这不仅提高了电场（电场）强度，而且还增强了减小的表面场效应。 第二，在DCT中收集了自适应电荷，这增强了沟槽氧化物的电场强度。 第三，氧化物沟槽沿垂直方向折叠漂移区，从而减小了器件单元的间距。 第四，DCT区域的一侧充当p阱的体接触，以进一步减小单元间距和比导通电阻（R-on，R-

  3. 所属分类：其它

  1. 从亚阈值到强反转区域的环绕栅MOSFET的量子约束模型

  2. 针对短通道环绕栅MOSFET的量子约束效应，开发了一种新的分析模型。 本征能和波函数是通过求解具有精确的势能分布的薛定equation方程获得的。 势能分布从泊松方程的解导出，泊松方程既包含耗尽电荷，又包含自由电荷。 与其他两个量子约束模型相比，从我们的模型中获得的本征能分别使用平阱近似和抛物线阱近似作为势能分布。 并首次指出了本征能与势能分布之间的关系。 在此模型的基础上，推导了具有量子约束效应的电子密度，并基于平均电子密度定义了阈值电压。考虑了量子约束效应，阈值电压< br变得更大。

  3. 所属分类：其它

  1. 一种改进输入时钟的EEPROM电荷泵设计

  2. 介绍了RFID无源电子标签中EEPROM的基本结构与工作原理。分析了NMOS管Dickson电荷泵及其由NMOS管构成的栅压自举电荷泵的特点与不足。针对当前电荷泵存在的电荷倒流、体效应问题,设计了一种改进输入时钟的电荷泵电路。通过对比仿真后发现,改进设计的电荷泵能减少电荷倒流、提高传输效率。已成功应用于RFID芯片的EEPROM中。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-03-05
    • 文件大小：429kb
    • 提供者：weixin_38705252

  1. 基于电荷的模型增强，用于未掺杂的围栅MOSFET

  2. 基于电荷的模型增强，用于未掺杂的围栅MOSFET

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-02-24
    • 文件大小：164kb
    • 提供者：weixin_38690402

  1. 基于表面电势的非电荷表核心模型，用于未掺杂的围栅MOSFET

  2. 基于表面电势的非电荷表核心模型，用于未掺杂的围栅MOSFET

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-02-23
    • 文件大小：417kb
    • 提供者：weixin_38578242

  1. 透射虚栅计量法及其在液面微变形测量中的应用

  2. 提出了一种非接触式结构光测量液面微变形剖面曲线的方法。基于几何透射虚栅变形的原理，推导了液面离面变形与水底虚栅面内位移之间的数学关系。将一张单向几何光栅（频率为1~5 line/mm）置于盛有已发生变形的水的透明水槽下方，并在水槽上方布置电荷耦合器件(CCD)相机，记录下因液面离面变形而产生的透射虚栅变形图。使用条纹中心算法对所采集的变形栅图进行细化、赋级和插值运算，可得到该虚栅图的位移矢量场。将之代入所推导的数学关系式中，即可迭代求得液面的离面变形剖面曲线。运用该方法对一分硬币漂浮于水面时引起

  3. 所属分类：其它

  1. 加速栅电压对双级加速离子光学系统栅极性能的影响

  2. 离子推力器的加速栅电压对加速栅截获电流的大小有影响。目前，离子推力器加速栅电压值是通过实验多次调节确定的，理论计算只能给出加速栅电压最大值。针对兰州空间技术物理研究所研制的双级加速离子推力器开展了加速栅电压的优化设计，利用质点网格法和蒙特卡洛碰撞法(PIC-MCC)开展了8000 s比冲条件下5种加速栅电压(-150，-180，-200，-250，-300 V)对离子运动轨迹、束流发散角、交换电荷(CEX)截获的数量和能量以及加速栅溅射速率的影响研究，根据研究结果确定了最佳加速栅电压为-250

  3. 所属分类：其它

  1. 基于电荷泵改进型CMOS模拟开关电路

  2. 当前VLSI 技术不断向深亚微米及纳米级发展，模拟开关是模拟电路中的一个十分重要的原件，由于其较低的导通电阻，的开关特性以及微小封装的特性，受到人们的广泛关注。模拟开关导通电阻的大小直接影响开关的性能，低导通电阻不仅可以降低信号损耗而且可以提高开关速度。要减小开关导通电阻，可以通过采用大宽长比的器件和提高栅源电压的方法，可是调节器件的物理尺寸不可避免地会带来一些不必要的寄生效应，比如增大器件的宽度会增加器件面积进而增加栅电容，脉冲控制信号会通过电容耦合到模拟开关的输入和输出，在每个开关周期其充放

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-01-20
    • 文件大小：587kb
    • 提供者：weixin_38685173
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