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搜索资源列表

  1. 一类具有饱和迁移率的时滞捕食-食饵生物控制模型

  2. 一类具有饱和迁移率的时滞捕食-食饵生物控制模型，郭志明， 段全恒，本文研究了一类捕食者具有饱和迁移率的捕食-食饵生物控制模型的动力学性质. 由于捕食者的捕食行为对其数量的变化有滞后效应,所以�

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-03-13
    • 文件大小：516kb
    • 提供者：weixin_38656989

  1. 弹性应变下单层TiS3的机械性质和迁移率

  2. 弹性应变下单层TiS3的机械性质和迁移率 ，陈乾，童一龙，单层三硫化钛是一个非常新奇的二维半导体材料，在力学性质上表现出很强的各向异性。单层三硫化钛的硬度与黑磷及二硫化钼相当，x�

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  1. ALV-J感染HD11细胞诱导功能性高迁移率族蛋白B1释放

  2. ALV-J感染HD11细胞诱导功能性高迁移率族蛋白B1释放，张杰，钱琨， 为了探索J亚群禽白血病病毒（ALV-J）感染家禽巨噬细胞系HD11细胞中鸡高迁移率族蛋白B1（chHMGB1）的功能，本研究在证实病毒能够感染HD11

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    • 发布日期：2020-02-12
    • 文件大小：465kb
    • 提供者：weixin_38602563

  1. 迁移率互异的漂流扩散模型的拟中性极限和混合层问题

  2. 迁移率互异的漂流扩散模型的拟中性极限和混合层问题，刘春迪，王术，本文主要研究了迁移率互异的漂流扩散模型在一维有界区域一般初边值条件下的拟中性极限和混合层问题. 首先, 利用密度函数变换把原�

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-02-03
    • 文件大小：256kb
    • 提供者：weixin_38645198

  1. 利用空间电荷限制电流方法计算MoO3:CBP的空穴迁移率

  2. 利用空间电荷限制电流方法计算MoO3:CBP的空穴迁移率，王振国，郝玉英，利用空间电荷限制电流方法计算MoO3:CBP的空穴迁移率，掺杂浓度范围是6%-20%， 当MoO3与CBP共蒸时，与未掺杂的CBP薄膜相比可以观察到电导�

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    • 发布日期：2019-12-29
    • 文件大小：472kb
    • 提供者：weixin_38689976

  1. 载流子迁移率

  2. 在2.5.6节提到过，在半导体材料中移动一个电子比空穴要容易。在电路中，我们对载流子（空穴和电子）移动所需能量和其移动的速度都感兴趣。移动的速度叫做载流子迁移率，空穴比电子迁移率低。在为电路选择特定半导体材料时，这是个非常值得考虑的重要因素 。 分类 电子 例子 导电率 1．导体 ====移动 金、铜、银 2．绝缘体 无法移动 玻璃、塑料 3．半导体a．本征的 有些可以移动 锗、硅、3到5族元素 B．掺杂的 受控的部分可以移动 N型半导体P型半导体 图2.12 材料的电分类 N型 P型 1．导电

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    • 发布日期：2020-12-10
    • 文件大小：28kb
    • 提供者：weixin_38623000

  1. n-Si和p-Si体内迁移率

  2. n-Si和p-Si表面有效迁移率还不到 体内迁移率的一半，并且与晶向有关。 具体数值与硅表面状况有关。MOS工艺常选用(100)晶向的单晶做衬底. 静态功耗的三种成因②动态（Dynamic）功耗 动态功耗Ps由三部分组成：A、电路逻辑操作所引起的状态改变所需功耗；B、P管与N管阈值电压重叠所产生的导通电流所需功耗；C、不同路径的时间延迟不同所产生的竞争冒险所需功耗。   

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    • 发布日期：2020-12-09
    • 文件大小：31kb
    • 提供者：weixin_38560107

  1. OTS处理提高有机TFT载流子迁移率

  2. 韩国庆熙大学日前通过将有机TFT面板的PVP栅绝缘膜进行OTS（Octadecyltrichlorosilane，十八烷基三氯硅烷）涂布处理，提高了载流子的迁移率。据说导通和截止时的电流比超过了10的8次方。 　　庆熙大学信息显示器/高级显示器研究中心负责人Jin Jang将在10月20～22日在日本横滨召开的“FPD International 2004”研讨会上，发表最新的开发进展情况。此次的演讲将就保护膜相关课题、电子墨显示器及主动阵距液晶等在柔性显示器方面的应用进行阐述。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-12-09
    • 文件大小：31kb
    • 提供者：weixin_38678022

  1. 什么是载流子迁移率及迁移率影响芯片的那些性能

  2. 迁移率是指载流子（电子和空穴）在单位电场作用下的平均漂移速度，即载流子在电场作用下运动速度的快慢的量度，运动得越快，迁移率越大；运动得慢，迁移率小。同一种半导体材料中，载流子类型不同，迁移率不同，一般是电子的迁移率高于空穴。如室温下，轻参杂硅材料中，电子的迁移率为1350cm^2/（VS），而空穴的迁移率仅为480cm^2/(VS)。 迁移率主要影响到晶体管的两个性能： 一是载流子浓度一起决定半导体材料的电导率（电阻率的倒数）的大小。迁移率越大，电阻率越小，通过相同电流时，功耗越小

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-12-09
    • 文件大小：31kb
    • 提供者：weixin_38552305

  1. 在低温下无结的纳米线晶体管的迁移率增强的调查

  2. 低温下无结纳米线晶体管迁移率增强的研究

  3. 所属分类：其它

  1. 体纤锌矿型AlGaN中的双模横向光学声子对AlGaN / GaN量子阱中电子迁移率的影响

  2. 体纤锌矿型AlGaN中的双模横向光学声子对AlGaN / GaN量子阱中电子迁移率的影响

  3. 所属分类：其它

  1. Al2O3 / AlGaN / GaN双异质结中的光子限制了电子迁移率

  2. Al2O3 / AlGaN / GaN双异质结中的光子限制了电子迁移率

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-03-24
    • 文件大小：614kb
    • 提供者：weixin_38624332

  1. 通过HCl和（NH4）2S表面钝化的高迁移率锗p-MOSFET

  2. 为了在高空穴迁移率Ge p-MOSFET应用中实现高质量的高k / Ge接口，引入了一种简单的化学清洗和表面钝化方案，并且有效沟道空穴迁移率高达665 cm2 / V s的Ge p-MOSFETs在Ge（111）衬底上进行了演示。此外，提出了一个物理模型，通过分析HCl和（NH4）2S钝化样品的电学特性来解释MOS界面上的偶极层形成。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-03-18
    • 文件大小：501kb
    • 提供者：weixin_38691220

  1. 4H_SiC PIN二极管的各向异性迁移率效应

  2. 对制造的单mesa终端4H-SiC PIN二极管,采用数值仿真和测试结果比对的方法,分析了各向异性迁移率效应对4H-SiC PIN二极管正向直流特性的影响.详细阐述了器件的正向直流仿真物理模型和参数选取,其中,迁移率的各向异性关系是在各向同性迁移率模型的基础上引入的,载流子寿命采用空间赋值的方法代入模型进行计算.对比结果显示,采用各向同性迁移率模型的仿真结果与实验值偏差较大,对迁移率模型进行各向异性修正后,仿真结果与实验结果符合得较好.研究表明,实际制造的4H-SiC PIN二极管在直流开态下,

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  1. 高电子迁移率晶体管的器件建模：小信号和噪声建模

  2. 高电子迁移率晶体管的器件建模：小信号和噪声建模

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-03-17
    • 文件大小：423kb
    • 提供者：weixin_38570459

  1. 低迁移率石墨烯薄膜中弱定位的室温观察

  2. 低迁移率石墨烯薄膜中弱定位的室温观察

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-03-17
    • 文件大小：512kb
    • 提供者：weixin_38593723

  1. 高迁移率掺Sm Bi2Se3铁磁拓扑绝缘体和鲁棒交换耦合

  2. 高迁移率掺Sm Bi2Se3铁磁拓扑绝缘体和鲁棒交换耦合

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-03-17
    • 文件大小：993kb
    • 提供者：weixin_38603924

  1. 直流磁控溅射ZnO：Al2O3陶瓷靶材制备Al-N-掺杂P型ZnO薄膜中高载流子迁移率的实现

  2. 在这项研究中，Al-N共掺杂型氧化锌（ZnO）薄膜在N2和O2气体与陶瓷ZnO：（2 wt％Al2O3）的溅射靶中使用DC-沉积在Si和均质缓冲层模板上磁控溅射。 双θ衍射的X射线衍射光谱表明，所有膜均具有ZnO纤锌矿结构的主要（002）峰。 随着N2和O2混合气体中N2含量的增加，场发射二次电子显微镜显示出Si上共掺杂膜的表面外观从光滑结构到纹理结构变化。 所述p型ZnO薄膜显示该rangeof载流子浓度1.5×10 15 -2.93×10 17 cm -3时，resistivityin的13

  3. 所属分类：其它

  1. dftb-mobility-pkg:该软件包使用DFTB +计算电子迁移率-源码

  2. dftb-mobility-pkg 使用状态密度和透射率/ 执行电子迁移率计算的软件包 有关使用和分发的条款，请参阅许可。 /！\ 警告 /！\ 目前，仅测试移动性文件。 有关如何使用此软件包的更多说明将在未来几周内发布。 不包括Slater Koster文件。 自动化仅使计算电阻率的过程自动化。 您仍然需要手动运行mobility 。 安装 该软件包使用 ， ， 和来确保已安装它们，并且它们的目录在您的可执行路径中。 要安装dftb-mobility-pkg，只需将bin文件粘贴到

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    • 发布日期：2021-03-15
    • 文件大小：35kb
    • 提供者：weixin_42099987

  1. ICP氟等离子体处理增强型AlGaN / GaN纳米线沟道高电子迁移率晶体管

  2. ICP氟等离子体处理增强型AlGaN / GaN纳米线沟道高电子迁移率晶体管

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