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  1. Computer simulation of the effect of phosphorous doping

  2. Computer simulation of the effect of phosphorous doping

  3. 所属分类：电子政务

    • 发布日期：2014-09-10
    • 文件大小：244kb
    • 提供者：lx_lag123456

  1. 驱动PIN二极管：运算放大器方案.pdf

  2. PIN 二极管在重掺杂的 P 区和 N 区之间夹有一层轻掺杂的本征区 (I)，此类二极管广泛用于射频与微波领域。常见应用是要求高隔离度

  3. 所属分类：其它

  1. 以丝网印刷实现选择性发射极.pdf

  2. 选择性发射极太阳能电池包括一个在金属触指下的重掺杂区域，即选择性发射极区域。在其作用下，金属与硅的接触损失更低，使得更多

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2019-09-05
    • 文件大小：554kb
    • 提供者：weixin_38744435

  1. 重掺杂半导体表面等离子的设计

  2. 学校的毕设，为学弟学妹提供帮助，仅供参考，不要抄袭哦。

  3. 所属分类：专业指导

    • 发布日期：2015-05-24
    • 文件大小：2mb
    • 提供者：qq_17106127

  1. 半导体掺杂相关知识介绍

  2. 半导体的导电能力取决于他们的纯度。完全纯净或本征半导体的导电能力很低，因为他们只含有很少的热运动产生的载流子。某种杂质的添加能极大的增加载流子的数目。这些掺杂质的半导体能接近金属的导电能力。轻掺杂的半导体可能在每十亿中只有一小部分。由于在硅中杂质的有限的固体溶解性，即使重掺杂的半导体每百万中也只有几百个杂质而已。由于半导体对于杂质的极度敏感性，很难制造真正的本征物质。因此实际上半导体器件几乎都是由掺杂物质制造的。 掺有磷的半导体就是一种掺杂半导体。假设硅晶体中已掺入少量的磷。磷原子进入了原本该由

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-12-09
    • 文件大小：68kb
    • 提供者：weixin_38621150

  1. 具有平面和沟槽栅极集成的低导通电阻三重RESURF SOI LDMOS

  2. 提出了一种低导通电阻（Ron，sp）的可积硅绝缘体（SOI）n沟道横向双扩散金属氧化物半导体（LDMOS），并通过仿真研究了其机理。 LDMOS具有两个功能：平面栅极和扩展沟槽栅极（双栅极（DGs））的集成； N漂移区中的掩埋P层，形成三重减小的表面场（RESURF）（TR）结构。 三重RESURF不仅可以调节电场分布，而且还可以增加N漂移掺杂，从而导致截止状态下的比导通电阻（Ron，sp）降低，击穿电压（BV）改善。 DG形成双传导通道，而且，扩展的沟槽栅极扩大了垂直传导面积，这两者都进一步降

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-03-17
    • 文件大小：299kb
    • 提供者：weixin_38658982

  1. 在掺杂红荧烯的非晶膜中测量的单重态激子裂变，辐射和解离之间的竞争

  2. 在掺杂红荧烯的非晶膜中测量的单重态激子裂变，辐射和解离之间的竞争

  3. 所属分类：其它

  1. 有序体系与无序体系中单重态激子的裂变过程及其磁场效应

  2. 利用单重态激子的裂变机制, 被认为是提高有机光伏器件量子效率的一种可行途径. 然而, 在非晶态薄膜中有机分子的取向是杂乱的, 能否在排列杂乱的分子之间发生有效的激子裂变过程, 是制约这一方法的重要问题. 本实验中, 在室温下测量了红荧烯掺杂有机薄膜光致发光的磁场效应与光致发光的瞬态衰减, 由此计算出了薄膜中红荧烯分子间激子裂变速率的磁场效应. 基于Merrifield 的唯象理论, 研究了薄膜中分子排列有序与排列无序两种情况下激子裂变速率磁场效应的差异. 将实验数据与理论曲线相对比, 显示出掺杂

  3. 所属分类：其它

  1. 重掺杂无结纳米线晶体管的表面累积层中的电荷俘获

  2. 我们研究了飞秒激光光刻在重n掺杂绝缘体上硅晶片上制造的无结纳米线晶体管表面累积层中的电导率特性。 当栅极电压比平带电压更正时，累积区域的电导率被完全抑制。 在积累层中提取的低场电子迁移率估计为1.25 cm2V1s1。 随时间变化的漏极电流。在6 K下测得，可预测带隙内Si-SiO2界面处存在复杂的陷阱态。 由于存在大密度的界面带电陷阱而产生的大库仑散射，可以很好地描述积聚层的受抑制的漏电流和相当低的电子迁移率。 界面态的电荷俘获和散射效应成为电子在积累区中迁移率降低的主要原因。

  3. 所属分类：其它

  1. 重铝掺杂ZnO薄膜双步生长过程中光学性质和电子结构的变化

  2. 我们研究了在重掺杂Al的ZnO（AZO）薄膜在生长过程中的光学性能和电子结构的变化，这些薄膜的形成是通过首先在富含O-2-的气氛中创建Zn空位，然后在其中填充Zn原子来形成的。锌蒸气气氛。 第一步之后，高电阻AZO薄膜具有与名义上未掺杂的ZnO相同的光学带隙，这表明尽管Al原子被掺入了ZnO晶格中，但基本带隙的变化几乎可以忽略不计。 在第二步之后，一旦自由电子通过Zn填充进入晶格，由于带填充效应，光学跃迁能发生蓝移。 X射线吸收精细结构测量表明，Zn填充过程减少了导带的未占据状态，但没有提高导带

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-03-05
    • 文件大小：975kb
    • 提供者：weixin_38570519

  1. 快速热退火对在不同衬底温度下沉积的重掺杂ZnO薄膜中电输运的影响

  2. 快速热退火对在不同衬底温度下沉积的重掺杂ZnO薄膜中电输运的影响

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-03-04
    • 文件大小：962kb
    • 提供者：weixin_38709816

  1. 由于更长的激子扩散长度，磷掺杂提高了双层有机太阳能电池的效率

  2. 我们在结构玻璃/ ITO / PEDOT：PSS / PtOEP：MEH-PPV / C-70 / Al中制造了双层有机太阳能电池（OSC），其中MEH-PPV掺杂了八乙基卟啉铂（PtOEP）。 通过将生成的单重态激子转换为三重态激子来实现增强的激子扩散长度（LD）。 基于转移矩阵模拟的研究表明，与OSC相比，掺杂施主层的激子LD导致短路电流密度（J（SC））和功率转换效率（PCE）有所提高。具有非掺杂的施主层。 由于LD增加，对于具有5wt％的PtOEP掺杂的25nm厚的供体层的器件，J（SC

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-03-04
    • 文件大小：579kb
    • 提供者：weixin_38620267

  1. 为高效的蓝色PHOLED构造低三重态能量主体：控制掺杂系统中的电荷和激子捕获

  2. 为高效的蓝色PHOLED构造低三重态能量主体：控制掺杂系统中的电荷和激子捕获

  3. 所属分类：其它

  1. 观察重掺杂p型SiGe的接触电阻率与肖特基势垒高度无关

  2. 观察重掺杂p型SiGe的接触电阻率与肖特基势垒高度无关

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-02-24
    • 文件大小：510kb
    • 提供者：weixin_38553791

  1. Yb / Tm / Ho三重掺杂碲酸盐玻璃的强烈红色上转换发射

  2. Yb / Tm / Ho三重掺杂碲酸盐玻璃的强烈红色上转换发射

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-02-24
    • 文件大小：403kb
    • 提供者：weixin_38575536

  1. 具有三重RESURF结构的新型高压SOI LDMOS

  2. 提出了一种新颖的三重RESURF（T-surf）SOI LDMOS结构。 该结构具有P型掩埋层。 首先，耗尽层可以在P埋层的两侧延伸，用作三重RESURF，并导致高漂移掺杂和低导通电阻。 其次，在漂移区的高掺杂浓度下，P层可以减小漂移区中的高体电场，并增强漏极侧的垂直电场，这导致均匀的体电场分布和增强的BV。 所提出的结构首次在SOI设备中使用。 通过模拟在2μm厚的掩埋氧化物层上的6μm厚的SOI层上获得具有BV D 315V的T型表面SOI LDMOS，与双RESURF（相比，其Rsp从16

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-02-23
    • 文件大小：405kb
    • 提供者：weixin_38590738

  1. 高重频Ho:YAG激光器转换效率理论分析与计算

  2. Ho:YAG 晶体因其优良的机械性能及光谱特性，成为高重频2 μm 激光器的可选晶体之一。为获得高效率、高功率、高重频2 μm Ho:YAG 激光器，分析了单掺Ho3+激光器的发光机理，从速率方程出发建立了高重频Ho:YAG 激光器转换效率的计算模型，利用该模型分析了输出镜透射率、激光模式大小、抽运-激光模式比和离子掺杂浓度等参数对高重频Ho:YAG 激光器转换效率的影响，并提出了参数设计范围，通过实验对理论模拟结果进行了验证。

  3. 所属分类：其它

  1. N掺杂改善黄色磷光有机电致发光器件的效率滚降

  2. 制备结构为ITO/HAT-CN/TAPC/TCTA/POAPF∶PO-01/Bphen/LiF/Al的黄色磷光器件，其效率滚降特性符合三重态-极化子淬灭模型；接着设计了一组单电子和单空穴器件，实验结果表明：发光层内的空穴是多子且PO-01俘获空穴，被PO-01俘获的多余空穴引起的激子淬灭是导致器件在高电流密度下效率剧烈滚降的原因；采用N掺杂的方法增加电子注入，可减少发光区内多余的空穴，改善器件载流子的平衡状况，降低多余空穴引起的激子淬灭，进而改善效率滚降。

  3. 所属分类：其它

  1. 掺杂KNSBN晶体吸收对光强的依赖特性

  2. 研究了Co:KNSBN晶体和重还原Co:KNSBN晶体中光致吸收的变化特性。Co:KNSBN晶体的吸收系数随泵浦光强的增加而减小,吸收系数变化的最大值为3.2 cm-1,重还原Co:KNSBN晶体的吸收系数随泵浦光强的增加而增加,吸收系数变化的最大值为6.5 cm-1,在泵浦光关掉后,探测光频率很高的增幅振荡,然后呈现阻尼振荡。采用最近建立的双载流子(电子,空穴)和多重陷阱能级(两个深陷阱能级,两个浅陷阱能级)的光折变理论给以合理的解释,同时指出晶体的光致吸收变化特性在获得空间均匀光和非相干光放

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-02-11
    • 文件大小：887kb
    • 提供者：weixin_38651786

  1. 激光辐照固态Al膜制备p型重掺杂4H-SiC

  2. 通过激光辐照固态Al膜，制备了一种p型重掺杂4H-SiC，分析了Al膜厚度、激光脉冲个数对掺杂结果的影响，验证了不同工艺参数对p型掺杂层表面电学性能的调控作用。结果表明，当Al膜厚度为120 nm，脉冲个数为50时，掺杂试样的最大载流子浓度为6.613×1017 cm-3，最小体电阻率为17.36 Ω·cm，掺杂浓度(粒子数浓度)可达6.6×1019 cm-3。4H-SiC的Al掺杂改性机理为：在紫外激光作用下，Si—C键断裂，Al原子替代Si原子形成p型掺杂层。

  3. 所属分类：其它

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