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半导体器件物理-施敏
微电子经典之作! 译者序前言导言第1部分半导体物理第1章半导体物理学和半导体性质概要1.1引言1.2晶体结构1.3能带和能隙1.4热平衡时的载流子浓度1.5载流子输运现象1.6声子、光学和热特性1.7异质结和纳米结构1.8基本方程和实例第2部分器件的基本构件第2章p-n结二极管2.1引言2.2耗尽区2.3电流-电压特性2.4结击穿2.5瞬变特性与噪声2.6端功能2.7异质结第3章金属-半导体接触3.1引言3.2势垒的形成3.3电流输运过程3.4势垒高度的测量3.5器件结构3.6欧姆接触第4章金
所属分类:
C
发布日期:2010-01-06
文件大小:13631488
提供者:
andreas_fan
二极管建模及其特性研究
针对PIN雪崩光电二极管结构的特殊性.以载流子速率方程为基础‘进行适当的假设和拟介.将光、电子量和转化过程完全用数学模型表示‘并在Matlab中进行了模拟计算.其结果与实验数据符介较好.该模型可用于对PIN一A PD进行自流、交流、瞬杰等分析和性能预测.
所属分类:
其它
发布日期:2010-05-04
文件大小:685056
提供者:
sduwangkai
光纤通信 光源和光检测器
4.1 光源 3.1.1 半导体激光器工作原理和基本结构 3.1.2 半导体激光器的主要特性 3.1.3 分布反馈激光器 3.1.4 发光二极管 3.1.5 半导体光源一般性能和应用 4.2 光检测器 3.2.1 光电二极管工作原理 3.2.2 PIN 光电二极管 3.2.3 雪崩光电二极管(APD) 3.2.4 光电二极管一般性能和应用
所属分类:
专业指导
发布日期:2011-01-20
文件大小:2097152
提供者:
fei_zxf
雪崩光电二极管的工作原理
概念 在激光通信中使用的光敏元件。在以硅或锗为材料制成的光电二极管的P-N结上加上反向偏压后,射入的光被P-N结吸收后会形成光电流。加大反向偏压会产生“雪崩”(即光电流成倍地激增)的现象,因此这种二极管被称为“雪崩光电二极管”。 主要特性 ①雪崩增益系数M(也叫倍增因子),对突变结式中V为反向偏压,VB为体雪崩击穿电压;n与材料、器件结构及入射波长等有关,为常数,其值为1~3。 ②增益带宽积,增益较大且频率很高时,M(ω)·ω式中ω为角频率;N为常数,它随离化系数比缓慢变化;W为耗尽
所属分类:
其它
发布日期:2020-07-12
文件大小:118784
提供者:
weixin_38747025
雪崩光电二极管原理结构
雪崩光电二极管是一种p-n结型的光检测二极管,其中利用了载流子的雪崩倍增效应来放大光电信号以提高检测的灵敏度。其基本结构常常采用容易产生雪崩倍增效应的Read二极管结构(即N+PIP+型结构,P+一面接收光),工作时加较大的反向偏压,使得其达到雪崩倍增状......
所属分类:
其它
发布日期:2020-07-18
文件大小:36864
提供者:
weixin_38614825
模拟技术中的浅析直接探测多普勒测风激光雷达总体结构及其各部分的功能
0 引 言 激光雷达用激光器作为发射光源,采用光电探测技术手段的主动遥感设备。激光雷达是激光技术与现代光电探测技术结合的先进探测方式。由发射系统 、接收系统 、信息处理等部分组成。发射系统是各种形式的激光器,如二氧化碳激光器、掺钕钇铝石榴石激光器、半导体激光器及波长可调谐的固体激光器以及光学扩束单元等组成;接收系统采用望远镜和各种形式的光电探测器,如光电倍增管、半导体光电二极管、雪崩光电二极管、红外和可见光多元探测器件等组合。激光雷达采用脉冲或连续波2种工作方式,探测方法按照探测的原理不同
所属分类:
其它
发布日期:2020-10-22
文件大小:243712
提供者:
weixin_38612648
显示/光电技术中的光电APD探测器
虽然PIN结构通过扩展空间电荷区有效地提高了工作速度和量子效率,但是它无法将光生载流子放大,因此信噪比和灵敏度还不够理想。为了能探测到微弱的入射光,我们希望光电探测器具有内部增益,即少量的光生载流子在倍增电场作用下能产生较大的光生电流。雪崩光电二极管就是这样一种光电探测器,它是一种具有内部增益、能将探测到的光电流进行放大的有源器件。APD的工作原理为雪崩电离效应,即在+n结附近有一高电场,光生电子和空穴在该区中被加速,获得很高的能量。如果载流子能量足够大则它将会去碰撞晶格原子,使束缚的电子电离,
所属分类:
其它
发布日期:2020-11-14
文件大小:92160
提供者:
weixin_38630463
硅单光子雪崩光电二极管上锗的Geiger模近室温工作的晶片键合结构设计
硅单光子雪崩光电二极管上锗的Geiger模近室温工作的晶片键合结构设计
所属分类:
其它
发布日期:2021-03-26
文件大小:1048576
提供者:
weixin_38722721
GaN雪崩光电二极管的电场分布和器件设计
我们研究了在不同的反向偏置值下,pin型和独立吸收与倍增(SAM)型GaN雪崩光电二极管中电场的分布。 我们还分析了每一层参数(包括宽度和浓度)对电场分布(尤其是击穿电压)的影响。 发现较高的p-GaN浓度(高于1x10(18)cm(-3))和较低的i-GaN载流子浓度(低于5x10(16)cm(-3))有助于限制电场并降低击穿电压。 在SAM(PININ)结构,合适的选择应为浓度与中间的n-GaN层的厚度,以恶化为销结构降低击穿电压和防止设备制成。 最后,提出了各层材料的优化参数。
所属分类:
其它
发布日期:2021-03-17
文件大小:610304
提供者:
weixin_38606019
InGaAs/InAlAs雪崩光电二极管仿真设计
设计了一种InGaAs/InAlAs雪崩光电二极管(APD),并利用MEDICI软件进行了模拟仿真。器件采用背入射探测方式。雪崩增益区采用埋层设计,省略了保护环等结构;并使用双层掺杂,有效降低了增益区电场的梯度变化。由于结构简单,因此仅需要利用分子束外延(MBE)生长精确控制每层结构即可。由于InAlAs材料的空穴与电子的离化率有较大的差异,因此器件具有较低的噪声因子。
所属分类:
其它
发布日期:2021-02-13
文件大小:1048576
提供者:
weixin_38748382
基于雪崩光电二极管的光子计数成像实验研究
采用固态结构的雪崩光电二极管,利用其工作在盖革模式下的单光子探测能力,构建了光子计数成像实验系统。通过实验验证,该系统在10-3lx环境照度下,借助VC++开发的数据采集平台,通过点扫描方式将离散为12×12的二维图像信号输出为144个采样点对应的144组光子计数频率。按照统计光学中光场随机涨落存在的统计规律,求取每组光子计数频率的期望并组成12×12的二维数字矩阵。根据每一采样点的光子计数频率值与图像的灰度值成正比的关系,实现了将光子计数频率矩阵恢复为二维图像的过程。该实验系统的全固态结构不但
所属分类:
其它
发布日期:2021-02-10
文件大小:1048576
提供者:
weixin_38747592
一种基于光纤器件的表面增强拉曼散射光谱检测系统
报道了一种基于表面增强拉曼散射(SERS)效应的结构简单、成本低的近红外拉曼光谱探测系统。该系统采用近红外半导体激光器作为激发光源。通过提高激发光源的输出背景抑制比,抑制激发光光纤传输产生的光纤拉曼信号,采用光纤型波分复用器滤除剩余激发光,利用光子计数模式的铟镓砷雪崩光电二极管作为探测器代替昂贵的近红外光电倍增管或近红外电荷耦合器件,实现了对4-胺苯并噻吩表面增强拉曼光谱的检测。该近红外光纤型检测系统具有结构简单、小型化、成本低廉以及远程检测等优势。
所属分类:
其它
发布日期:2021-02-09
文件大小:2097152
提供者:
weixin_38626943
波长1.06微米处激光通讯所用的高灵敏度光学接收器
国际罗克韦尔科学中心已研制成一种高灵敏度的光学接收器,它能用于1.06微米波长处的激光通讯,并以1.4千兆位/秒之速率运转。这项研制是响应美囯空军需要适于空中应用的激光通讯系统而制定的。这种光学接收器采用了一种新的倒置的同质结构GaAs-Pb雪崩型光电二极管,该二极管在1.06微米波长处的量子效率为96%。
所属分类:
其它
发布日期:2021-02-08
文件大小:266240
提供者:
weixin_38735782
浅析直接探测多普勒测风激光雷达总体结构及其各部分的功能
0 引 言 激光雷达用激光器作为发射光源,采用光电探测技术手段的主动遥感设备。激光雷达是激光技术与现代光电探测技术结合的先进探测方式。由发射系统 、接收系统 、信息处理等部分组成。发射系统是各种形式的激光器,如二氧化碳激光器、掺钕钇铝石榴石激光器、半导体激光器及波长可调谐的固体激光器以及光学扩束单元等组成;接收系统采用望远镜和各种形式的光电探测器,如光电倍增管、半导体光电二极管、雪崩光电二极管、红外和可见光多元探测器件等组合。激光雷达采用脉冲或连续波2种工作方式,探测方法按照探测的原理不同
所属分类:
其它
发布日期:2021-01-20
文件大小:239616
提供者:
weixin_38718415
光电探测器多量子阱MQW结构APD
由于51的电子空穴离化率之比很高,用它制作的的雪崩二极管噪声低,暗电流小。同时人们对51的特性有很深入的了解且加工工艺成熟,所以51材料被广泛应用于APD结构中,而GaAs则较少使用。图1 所示是一个GaAs/Al.45Ga0.55As多量子阱MQW结构APDn']。这种多量子阱结构是为了提高电子或空穴其中一种载流子的电离率,即使ocJα九变得很大或者很小从而降低噪声(α召和‰分别为电子和空穴电离系数)。考虑一个电子在宽带隙的Al0.45Ga0.55As层中被加速,当它进入到窄带隙的GaAs层时
所属分类:
其它
发布日期:2021-01-19
文件大小:90112
提供者:
weixin_38732744
光电APD探测器
虽然PIN结构通过扩展空间电荷区有效地提高了工作速度和量子效率,但是它无法将光生载流子放大,因此信噪比和灵敏度还不够理想。为了能探测到微弱的入射光,我们希望光电探测器具有内部增益,即少量的光生载流子在倍增电场作用下能产生较大的光生电流。雪崩光电二极管就是这样一种光电探测器,它是一种具有内部增益、能将探测到的光电流进行放大的有源器件。APD的工作原理为雪崩电离效应,即在+n结附近有一高电场,光生电子和空穴在该区中被加速,获得很高的能量。如果载流子能量足够大则它将会去碰撞晶格原子,使束缚的电子电离,
所属分类:
其它
发布日期:2021-01-19
文件大小:100352
提供者:
weixin_38589150