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搜索资源列表

  1. Introduction_to_Carbide

  2. Carbide的介绍文档，初学者必看的入门级别的技术资料。

  3. 所属分类：专业指导

    • 发布日期：2009-06-21
    • 文件大小：477184
    • 提供者：changemyself

  1. symbian s60 学习文档

  2. symbian s60 develope,good for newer

  3. 所属分类：Symbian

    • 发布日期：2009-06-26
    • 文件大小：1048576
    • 提供者：hero0567

  1. 授权文件

  2. 授权文件

  3. 所属分类：C++

    • 发布日期：2007-09-05
    • 文件大小：6144
    • 提供者：201ka

  1. Basics of Symbian C++

  2. Basics of Symbian C++ GUI Applications This document attempts to give a step by step introduction into developing GUI applications for Symbian OS. The document assumes the use of Carbide C++ and Symbian SDK v3.x or later (Symbian OS 9).

  3. 所属分类：Symbian

    • 发布日期：2009-07-14
    • 文件大小：53248
    • 提供者：dascom_wxt

  1. carbide_vs part1

  2. 开发伙伴需要先安装Microsoft Visual Studio.NET 2003，然后去诺基亚论坛网站免费下载“Carbide_vs_2_0_1.html">Carbide.vs 2.0.1”。开发伙伴可以在诺基亚论坛主页上选择“Tools and SDK”，然后选择“All tools and SDKs”。进入页面后就可寻找所需的“Cabide.vs”插件。

  3. 所属分类：C#

    • 发布日期：2009-07-18
    • 文件大小：11534336
    • 提供者：vcboy11

  1. Symbian c++开发入门

  2. 新手入门教程，代码优化，carbide IDE介绍

  3. 所属分类：C++

    • 发布日期：2009-11-05
    • 文件大小：9437184
    • 提供者：ddzhou2008

  1. ActivePerl-5.6.1.635-MSWin32-x86

  2. 搞不明白了Symbian非得用ActivePerl-5.6.1

  3. 所属分类：Perl

    • 发布日期：2009-11-19
    • 文件大小：8388608
    • 提供者：ufo0848

  1. symbian Animation

  2. symbina 动画 这个是一个carbide的项目

  3. 所属分类：Symbian

    • 发布日期：2009-11-23
    • 文件大小：54272
    • 提供者：lmyuanhang

  1. Carbide_vs_Installation_Guide_version_3_0.pdf

  2. Carbide_vs_Installation_Guide

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2007-11-18
    • 文件大小：579584
    • 提供者：zscgaojun

  1. symbian环境安装

  2. 介绍进行symbian环境的安装与配置及与其他软件结合的方法

  3. 所属分类：Symbian

    • 发布日期：2007-12-03
    • 文件大小：1048576
    • 提供者：yfkiss

  1. Symbian系统开发教程(1)

  2. 基于carbide C++开发

  3. 所属分类：C++

    • 发布日期：2007-12-05
    • 文件大小：890880
    • 提供者：xxcheng

  1. Fabrication of grating structures on silicon carbide by femtosecond laser irradiation and wet etching

  2. A method for fabricating deep grating structures on a silicon carbide (SiC) surface by a femtosecond laser and chemical-selective etching is developed. Periodic lines corresponding to laser-induced structure change (LISC) are formed by femtosecond la

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-02-23
    • 文件大小：314368
    • 提供者：weixin_38616359

  1. First-principles investigation of the electronic, mechanical, and thermodynamic properties of europium carbide

  2. First-principles investigation of the electronic, mechanical, and thermodynamic properties of europium carbide

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-02-22
    • 文件大小：150528
    • 提供者：weixin_38646914

  1. RF-PECVD deposition and optical properties of hydrogenated amorphous silicon carbide thin films

  2. RF-PECVD deposition and optical properties of hydrogenated amorphous silicon carbide thin films

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-02-22
    • 文件大小：1048576
    • 提供者：weixin_38677244

  1. Fabrication of nanostructures on silicon carbide surface and microgroove sidewall using 800-nm femtosecond laser

  2. Fabrication of nanostructures on silicon carbide surface and microgroove sidewall using 800-nm femtosecond laser

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-02-11
    • 文件大小：1048576
    • 提供者：weixin_38689338

  1. Influence of interface roughness on reflectivity of tungsten/boron-carbide multilayers with variable bi-layer number by

  2. Influence of interface roughness on the reflectivity of Tungsten/boron-carbide (W/B4C) multilayers varying with bi-layer number, N, is investigated. For W/B4C multilayers with the same design period thickness of 2.5 nm, a real-structure model is used

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-02-10
    • 文件大小：428032
    • 提供者：weixin_38748382

  1. Surface modification on a silicon carbide mirror for space application

  2. Silicon carbide (SiC) is a promising candidate for large-scale mirrors due to its high stiffness and thermal stability. However, it is very challenging to obtain a super smooth surface for high precision optical telescopes due to the intrinsic defect

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-02-10
    • 文件大小：1048576
    • 提供者：weixin_38694699

  1. Polishing silicon modification layer on silicon carbide surface by ion beam figuring

  2. Silicon (Si) modification layer on silicon carbide (SiC) surface is widely used in space optical systems. To achieve high-quality optical surface, the technology of ion beam figuring (IBF) is studied. The radio frequency ion beam source is introduced

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-02-05
    • 文件大小：1047552
    • 提供者：weixin_38636655

  1. Toward mid-infrared nonlinear optics applications of silicon carbide microdisks engineered by lateral under-etching [Inv

  2. We report the fabrication and characterization of silicon carbide microdisks on top of silicon pillars suited for applications from near- to mid-infrared. We probe 10 μm diameter disks with different under-etching depths, from 4 μm down to 1.4 μm, fa

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-01-27
    • 文件大小：1048576
    • 提供者：weixin_38566318

  1. Ablation effects and mechanism of sintered silicon carbide ceramics by an ArF excimer laser

  2. The ablation of sintered silicon carbide ceramics by an ArF excimer laser was studied. Three zones are generated: the ablation zone that presented molten morphology and was composed by the Si and C phase; the condensation zone formed by vaporized SiC

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-01-27
    • 文件大小：885760
    • 提供者：weixin_38516863
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