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搜索资源列表

  1. Symbian自定义对话框类SimpleDlg

  2. Symbian中自定义对话框类，使用的开发工具：ActivePerl5.6.1、carbide.C++、s60 3rd.

  3. 所属分类：Symbian

    • 发布日期：2008-12-03
    • 文件大小：25600
    • 提供者：sosyuutou

  1. Symbian多语言显示源代码

  2. S60 3rd中英文显示源代码，开发工具：carbide.C++

  3. 所属分类：Symbian

    • 发布日期：2008-12-03
    • 文件大小：23552
    • 提供者：doubleblue

  1. Symbian文档类读写文件和读写Ini文件样例源代码

  2. 本文介绍如何利用文档类读写数据文件以及如何读写ini文件,开发环境：Carbide.C++、S60 3rd

  3. 所属分类：Symbian

    • 发布日期：2008-12-11
    • 文件大小：27648
    • 提供者：tdymaruofeng

  1. Symbian 入门

  2. 一. 开发入门 1. S60/Symbian应用程序常用架构/框架 2. Symbian开发入门第一步 3. S60v1.2 N-GAGE QD 开发环境搭建（VC6版） 4. S60十大优秀软件 5. S60 系统手机类型及所用操作系统 6. S60 和 Symbian OS 的关系 7. S40与S60的区别 8. 诺基亚S60手机隐藏代码 9. Symbian 60系列 SDK 下载 二. 开发环境 1. Symbian开发入门 2. Symbian编程与开发环境设置 3. Symbia

  3. 所属分类：Symbian

    • 发布日期：2008-12-22
    • 文件大小：1048576
    • 提供者：evans_chu

  1. S60 on Device Debug

  2. Nokia S60 V3 on device debug

  3. 所属分类：专业指导

    • 发布日期：2009-02-19
    • 文件大小：831488
    • 提供者：zolok8

  1. symbian helloworld demo

  2. Nokia 手机程序的，HelloWorld示例

  3. 所属分类：Symbian

    • 发布日期：2009-02-20
    • 文件大小：20480
    • 提供者：dragonwtl

  1. Symbian入门与环境配置教程

  2. 一. 开发入门 1. S60/Symbian应用程序常用架构/框架 2. Symbian开发入门第一步 3. S60v1.2 N-GAGE QD 开发环境搭建（VC6版） 4. S60十大优秀软件 5. S60 系统手机类型及所用操作系统 6. S60 和 Symbian OS 的关系 7. S40与S60的区别 8. 诺基亚S60手机隐藏代码 9. Symbian 60系列 SDK 下载 二. 开发环境 1. Symbian开发入门 2. Symbian编程与开发环境设置 3. Symbia

  3. 所属分类：Symbian

    • 发布日期：2009-02-24
    • 文件大小：1048576
    • 提供者：cyjfeidie

  1. symbian 入门必须做的五个实验

  2. 利用Carbide.c++编写手机应用程序，轻松入门必做的六个实验

  3. 所属分类：Symbian

    • 发布日期：2009-03-18
    • 文件大小：1048576
    • 提供者：hsg1126

  1. Nokia官方培训Symbian开发资料[整理]

  2. Nokia官方培训(Symbian 4300)笔记(三)--Carbide.c++开发环境 新一篇: Nokia官方培训(Symbian 4300)笔记(二)-- Symbian OS Basics 新一篇: Nokia官方培训(Symbian 4300)笔记(五)--Memory Management 新一篇: Nokia官方培训(Symbian 4300)笔记(六)--Descr iptors 新一篇: Symbian 中各种提示、输入对话框的使用 新一篇: 理解Symbian的命名规则

  3. 所属分类：Symbian

    • 发布日期：2009-04-14
    • 文件大小：440320
    • 提供者：letnet

  1. Symbian开发入门.rar

  2. 一. 开发入门 1. S60/Symbian应用程序常用架构/框架 2. Symbian开发入门第一步 3. S60v1.2 N-GAGE QD 开发环境搭建（VC6版） 4. S60十大优秀软件 5. S60 系统手机类型及所用操作系统 6. S60 和 Symbian OS 的关系 7. S40与S60的区别 8. 诺基亚S60手机隐藏代码 9. Symbian 60系列 SDK 下载 二. 开发环境 1. Symbian开发入门 2. Symbian编程与开发环境设

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2019-07-16
    • 文件大小：829440
    • 提供者：weixin_39840650

  1. AvagoTechnologies新推二组高速门驱动光电耦合器产品.pdf

  2. Avago Technologies宣布推出二组新高速门驱动光电耦合器产品ACPL-P/W345和ACPL-P/W346，这些器件在设计上为用来保护和驱动功率MOSFET或碳化硅(SiC, Silicon Carbide) MOSFET的1A和2.5A门驱动光电耦合器，适合如变频器、电机控制和开关电源(SPS)等高频率应用。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2019-07-23
    • 文件大小：74752
    • 提供者：weixin_39841365

  1. 搅拌釜费托铁催化剂反应动力学研究

  2. 为获取铁基催化剂在费托合成反应中的CO转化集总动力学模型，为费托反应器设计和工艺优化提供依据，使用自主研发的工业催化剂CNFT-1(主要成分Fe-Cu-K-B-Si，堆密度0.8 g/cm3)，基于经典且广泛接受的碳化物机理(Carbide)，以次甲基生成基元反应为速率控制步骤，推导了LHHW型CO转化集总动力学模型。在1 L搅拌釜反应器(高径比2.5)中首先排除了内外扩散的影响(搅拌转速＞400 r/min，空速＞7 000 mL/(g·h)且粒径＜150 μm)，然后通过正交试验进行了30组

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-05-20
    • 文件大小：1048576
    • 提供者：weixin_38667581

  1. Ultrastiff carbides uncovered in first principles

  2. 超硬碳化物的第一性原理设计，Chen Zhouwen，Gu Mingxia，We have computationally designed ultraincompressible materials namely rhenium carbide in the WC and NiAs structure with a very high shear modulus. The corresponding calculated bulk

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-03-02
    • 文件大小：439296
    • 提供者：weixin_38660058

  1. Solidification Structure and Tempering Characteristics of Fe-Cr-V-Ni-C System Cast Alloys

  2. Solidification Structure and Tempering Characteristics of Fe-Cr-V-Ni-C System Cast Alloys，马永庆，张洋，he solidification structure of high vanadium and high chromium white cast iron containing nickel is mainly composed of matrix (martensite and retained au

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-02-23
    • 文件大小：418816
    • 提供者：weixin_38589168

  1. Fabrication of tantalum carbide ceramics by spark plasma sintering

  2. 放电等离子烧结法制备碳化钽超高温陶瓷，刘利盟，叶枫，以TaC和Ta粉末为原料采用放电等离子烧结法制备了化学成分为TaC0.7-1.0的碳化钽陶瓷材料。研究了烧结致密化、物相演变、显微组织和力学

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-01-07
    • 文件大小：899072
    • 提供者：weixin_38666823

  1. sprocess_ug.pdf

  2. Swb maunual ， TCAD 仿真软件应用手册， sentaurus, sprocessContents About This Guide XXX Audi XXXII Related Publications .,....,.XXX1 Typographic Conventions ....,,,,,..,.......XXX11 Customer Support..... Accessing SolvNet XXXII Contacting Synopsys Support Cont

  3. 所属分类：制造

    • 发布日期：2019-10-06
    • 文件大小：8388608
    • 提供者：simpleface

  1. 具有双级关断保护功能的汽车双通道SiC MOSFET 栅极驱动器 参考设计 1.pdf

  2. SiCDescr iption This reference design is an automotive qualified, isolated gate-driver solution for driving Silicon Carbide (SiC) MOSFETs in half-bridge configuration. The design includes two push-pull bias supplies for the dual-channel isolated gate

  3. 所属分类：硬件开发

    • 发布日期：2020-07-23
    • 文件大小：4194304
    • 提供者：liuzz315

  1. 元器件应用中的Avago新推适合高开关频率应用的光电耦合器

  2. Avago Technologies为有线、无线和工业应用模拟接口零组件领先供应商，日前宣布推出二组新高速门驱动光电耦合器产品ACPL-P/W345和ACPL-P/W346,这些器件在设计上为用来保护和驱动功率MOSFET或碳化硅（SiC, Silicon Carbide） MOSFET的1A和2.5A门驱动光电耦合器，适合如变频器、电机控制和开关电源（SPS）等高频率应用。相较于Avago前一代产品，ACPL-P/W345和ACPL-P/W346在传播延迟上减低了一半。 　　产品特点 　　

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-20
    • 文件大小：69632
    • 提供者：weixin_38660069

  1. ROHM提供最新功率元器件产品阵容

  2. 全球知名半导体制造商ROHM利用多年来在消费电子领域积累的技术优势，正在积极推进面向工业设备领域的产品阵容扩充。在支撑“节能、创能、蓄能”技术的半导体功率元器件领域，ROHM实现了具有硅半导体无法得到的突破性特性的碳化硅半导体（SiC半导体）的量产。另外，在传统的硅半导体功率元器件领域，实现了从分立式半导体到IC全覆盖的融合了ROHM综合实力的复合型产品群。下面介绍这些产品中的一部分。 　　已逐步渗透到生活中的SiC功率元器件 　　SiC功率元器件是以碳和硅组成的化合物半导体碳化硅（Sili

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-19
    • 文件大小：281600
    • 提供者：weixin_38655987

  1. TD覆层处理技术

  2. 主要特点 一． 技术简介 热扩散法碳化物覆层处理（Thermal Diffusion Carbide Coating Process）,简称TD覆层处理，是一种通过高温扩散作用于工件表面形成一层数微米至数十微米的金属碳化物覆层，其结构如上图所示。该覆层具有极高的硬度，HV可达3200左右，且与母体材料冶金结合。实践证明，这种覆层具有极高的耐磨，抗咬合，耐蚀等性能，可提高工件寿命数倍至数十倍，具有极高的使用价值。二． 采用TD覆层处理的主要效益 1． 大幅度提高工模具或

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-12-10
    • 文件大小：68608
    • 提供者：weixin_38732425
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