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搜索资源列表

  1. Nandflash数据存储规则与数据读写方法.pdf

  2. NAND Flash 的数据是以bit 的方式保存在memory cell，一般来说，一个cell 中只能存储一个bit。这些cell 以8 个或者16 个为单位，连成bit line，形成所谓的byte(x8)/word(x16)，这就是NAND Device 的位宽

  3. 所属分类：Flash

    • 发布日期：2009-07-11
    • 文件大小：226kb
    • 提供者：mxy520

  1. 3-Bits Cell NAND Flash

  2. Micron，3-Bits Cell NAND Flash

  3. 所属分类：Flash

    • 发布日期：2010-05-25
    • 文件大小：172kb
    • 提供者：gudufeichen

  1. 炙手可热的nandflash

  2. 主要讲解nandflash的基本知识。目前FLASH 的技術可以分為SLC（Single level cell）、MCP（Multi Level Cell）、及MBC （Multi Bit cell）三種。 SLC 的技術在寫入資料時，是透過對Floating Gate 的電荷加電壓，透過Source 即可將 所儲存的電荷消除，如此一來即可儲存1 bit 的資料；NAND Flash 廠商中，包括Samsung、 Hynix、Micron 都是採這樣的技術。MLC 的技術則是在Floating

  3. 所属分类：Flash

    • 发布日期：2010-08-05
    • 文件大小：569kb
    • 提供者：wywy703

  1. NAND Flash结构与驱动分析

  2. NAND Flash 的数据是以bit的方式保存在memory cell，一般来说，一个cell 中只能存储一个bit。这些cell 以8个或者16个为单位，连成bit line，形成所谓的byte(x8)/word(x16)，这就是NAND Device的位宽。这些Line会再组成Page，(NAND Flash 有多种结构，我使用的NAND Flash 是K9F1208,下面内容针对三星的K9F1208U0M)，每页528Bytes(512byte(Main Area)+16byte(Sp

  3. 所属分类：嵌入式

    • 发布日期：2011-04-26
    • 文件大小：43kb
    • 提供者：ouchengguo

  1. protues元件库中英文对照表

  2. protues元件库中英文对照表 默认分类 2010-07-06 20:43:18 阅读897 评论0 字号：大中小 订阅 protues元件库中英文对照表2008-01-10 13:22元件名称:protues元件库中英文对照表2008-01-10 13:22元件名称 中文名 说明 54分钟前 7407 驱动门 1N914 二极管 74Ls00 与非门 74LS04 非门 74LS08 与门 74LS390 TTL 双十进制计数器 7SEG 4针BCD-LED 输出从0-9 对应于4根线的

  3. 所属分类：数据库

    • 发布日期：2011-06-03
    • 文件大小：5kb
    • 提供者：lu330274924

  1. NANDflash存储方法

  2. NAND Flash 的数据是以bit 的方式保存在memory cell，一般来说，一个cell 中只能存储一个bit

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2012-01-13
    • 文件大小：226kb
    • 提供者：luokimon

  1. yj_ha-PanasonicSDFormatter-lv_hicode

  2. SD卡（Secure Digital Memory Card）是一种基于半导体快闪记忆器的新一代记忆设备。SD卡由日本松下、东芝及美国SanDisk公司于1999年8月共同开发研制。大小犹如一张邮票的SD记忆卡，重量只有2克，但却拥有高记忆容量、快速数据传输率、极大的移动灵活性以及很好的安全性。 SD卡在24mm×32mm×2.1mm的体积内结合了SanDisk快闪记忆卡控制与MLC（Multilevel Cell）技术和Toshiba（东芝）0.16u及0.13u的NAND技术，通过9针的接

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2013-11-26
    • 文件大小：421kb
    • 提供者：sunshinexlj22

  1. flash实验说明

  2. NandFlash的数据是以bit 的方式保存在memory cell里的，一般来说，一个cell 中只能存储一个bit，这些cell 以8 个或者16 个为单位，连成bit line，形成所谓的byte(x8)/word(x16)，这就是NAND Device 的位宽。这些Line 组成Page， page 再组织形成一个Block。

  3. 所属分类：网络管理

    • 发布日期：2013-12-05
    • 文件大小：1kb
    • 提供者：u013053052

  1. NAND flash组成结构及驱动解读

  2. NAND Flash 的数据是以bit的方式保存在memory cell，一般来说，一个cell 中只能存储一个bit。这些cell 以8个或者16个为单位，连成bit line，形成所谓的byte(x8)/word(x16)，这就是NAND Device的位宽。这些Line会再组成Page，(NAND Flash 有多种结构，我使用的NAND Flash 是K9F1208,下面内容针对三星的K9F1208U0M)，每页528Bytes(512byte(Main Area)+16byte(Sp

  3. 所属分类：Flash

    • 发布日期：2008-10-15
    • 文件大小：33kb
    • 提供者：xxxiun

  1. Proteus元件库对照表

  2. AT89C51 Proteus元件 proteus元件库介绍 AND 与门 ANTENNA 天线 BATTERY 直流电源 BELL 铃,钟 BVC 同轴电缆接插件 BRIDGE 1 整流桥(二极管) BRIDGE 2 整流桥(集成块) BUFFER 缓冲器 BUZZER 蜂鸣器 CAP 电容 CAPACITOR 电容 CAPACITOR POL 有极性电容 CAPVAR 可调电容 CIRCUIT BREAKER 熔断丝 COAX 同轴电缆 CON 插口 CRYSTAL 晶体振荡器 DB 并行

  3. 所属分类：C

    • 发布日期：2018-04-24
    • 文件大小：66kb
    • 提供者：qq_39188039

  1. Nand Flash的特性及其烧录关键点详解

  2. 在 NAND 闪存是通过对存储单元（Cell）进行充电来完成数据存储的，存储单元的阈值电压就对应着数据值。当读取的时候，通过将它的阈值电压与参考点对比来获得其数据值。对SLC 而言，就只有两种状态和一个参考点。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-07-19
    • 文件大小：83kb
    • 提供者：weixin_38728347

  1. 基于ClearNAND闪存的系统设计改进方案

  2. 自问世以来，NAND闪存对ECC（纠错码）纠错能力的要求越来越高。虽然这不是一个新问题，但是支持最新的多层单元（MLC）架构和每单元存储三位数据（three-bit-per-cell）技术所需的ECC纠错能力让系统人员越来越难以应付。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-07-31
    • 文件大小：100kb
    • 提供者：weixin_38588592

  1. 用ClearNAND闪存改善系统设计

  2. NAND闪存对ECC（纠错码）纠错能力的要求越来越高。虽然这不是一个新问题，但是支持最新的多层单元（MLC）架构和每单元存储三位数据（three-bit-per-cell）技术所需的ECC纠错能力让系统人员越来越难以应付。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-07-31
    • 文件大小：106kb
    • 提供者：weixin_38685600

  1. 嵌入式系统/ARM技术中的64GB iNAND嵌入式闪存驱动器的问世

  2. 近日，中国–全球领先闪存供货商 SanDisk  （闪迪） [NASDAQ:SNDK] 在西班牙巴塞罗那移动通信世界大会推出了全新SanDisk iNAND?嵌入式闪存驱动器（Embedded Flash Drives, EFD），支持e.MMC 4.4规格。这些驱动器基于3-bit-per-cell （X3） NAND闪存技术，在单一组件中提供最高达64GB1的容量，并能用于启动、系统代码和海量存储功能。越来越多的手机提供多种应用和高存储量的内容，比如电影和音乐播放、拍照摄影、游戏、GPS地图

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-21
    • 文件大小：85kb
    • 提供者：weixin_38569166

  1. NAND Flash管理算法的设计及实现

  2. Flash是一种非易失存储器，它在掉电条件下仍然能够长期保持数据。由于它具有容量大、速度快、功耗低、抗震性能好等优点，近几年在U盘、SD卡、SSD硬盘等各种移动存储设备中得到了广泛的应用。本文给出了一款性能优异、成本低廉可用于SD卡的NAND flash控制芯片的设计方法。(本方法也同样适用于其他存储设备。文中集中探讨了一种高效管理物理块的算法，包括逻辑物理地址映射以及spare区的定义，另外，还有双缓冲器优化读写的方法等。 　　1 Flash简介 　　1．1 SLC flash与MLC f

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-04
    • 文件大小：198kb
    • 提供者：weixin_38679839

  1. 用ClearNAND闪存改善系统设计

  2. 自问世以来，NAND闪存对ECC(纠错码)纠错能力的要求越来越高。虽然这不是一个新问题，但是支持最新的多层单元(MLC)架构和每单元存储三位数据(three-bit-per-cell)技术所需的ECC纠错能力让系统人员越来越难以应付。 　　过去，ECC一直被用于提高NAND闪存子系统的整体数据可靠性。但是，随着NAND单元不断缩小，每个浮栅内贮存的电子数量越来越少。因此，为弥补更小的存储单元所产生的更高的位误码率，我们必须大幅提高ECC纠错能力，以维持所需的系统可靠性。 　　随着系统对ECC

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-03
    • 文件大小：377kb
    • 提供者：weixin_38621638

  1. 采用Magma Finesim的NAND闪存仿真战略

  2. NAND闪存是一种高密度非易失性存储器，基于电压调制原理而操作。随着技术开发和工艺改进，MLC NAND(2 bit/cell NAND)的架构正变得日益复杂化。今天，单个8Gb密度SLC NAND闪存芯片的MOSFET数量就超过70万，这还未包括所有阵列器件在内；MLC约是SLC的1.5-2倍。图1显示了NAND功能块基本结构图，它通常是由I/O、低压(LV)系统、高压(LV)系统、控制逻辑和阵列5大部分组成。 　　I/O是芯片接口，包括高速I/O接口电路和ESD。 　　低压（LV）系统将

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-07
    • 文件大小：413kb
    • 提供者：weixin_38680671

  1. M-Systems与东芝共推DiskOnChip闪存

  2. M-Systems与东芝半导体(Toshiba)共同宣布，两家公司将针对手机与消费性电子装置提供DiskOnChip架构的新一代嵌入式高密度快闪磁盘(Embedded Flash Drive，EFD)－DOC H3。DOC H3可让装置设计者通过Toshiba最新的“多层单元”(multi-level cell，MLC)NAND闪存产品与M-Systems内建于固体的TrueFFS快闪管理软件，整合符合成本效益的高密度嵌入式储存装置。 　　DOC H3采用70纳米工艺的MLC NAND闪存盘。T

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-27
    • 文件大小：43kb
    • 提供者：weixin_38732454

  1. 擎泰研发之新一代combo快闪记忆卡控制芯片

  2. 擎泰科技(Skymedi)宣布其所研发之新一代SD 2.0/MMC 4.2的combo快闪记忆卡控制芯片──SK6621，以及USB2.0随身碟控制芯片──SK6281，在多层单元(Multi-Level Cell，MLC)闪存的支持与速度效能上皆有杰出的表现。 　　擎泰表示，目前其支持的SLC芯片可到Class6水平(新一代的高容量SDHC记忆卡，依速度分为Class2、4、6；其中Class6为最高等级)，其所支持的MLC芯片甚至可支持Class4的传输速度。 　　目前整个NAND型闪存产业

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-30
    • 文件大小：46kb
    • 提供者：weixin_38658405

  1. 擎泰推新一代控制晶片 支援MLC、ReadyBoost

  2. 快闪记忆卡控制晶片设计公司擎宣布推出新一代记忆卡和随身碟控制晶片，支援MLC（Multi-Level Cell）NAND型Flash颗粒，包括可同时支援SD 2.0和MMC 4.2的SK6621控制晶片，以及随身碟控制晶片SK6281，擎泰表示，这2款新一代控制晶片在MLC支援度和速度上皆有不错的表现。 　　擎泰指出，目前新一代高容量SDHC记忆卡，依速度分为Class 2、4、6等级，其中Class 6为最高等级，而推出的新一代的控制晶片其SLC（single-level-cell）晶片，速

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-29
    • 文件大小：41kb
    • 提供者：weixin_38590790
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