注册会员 | 设为首页 | 加入收藏夹
您好，欢迎光临本网站！[请登录] ！[注册会员]！  

搜索资源列表

  1. GaN基蓝光半导体激光器的发展.pdf

  2. GaN系半导体材料是继硅与砷化镓之后的第三代半导体材料，GaN基蓝、绿光发光二极管已技术成熟并投放市场，在光显示上的应用已使颜

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2019-09-05
    • 文件大小：345kb
    • 提供者：weixin_38744207

  1. 宽禁带GaN基半导体激光器进展.pdf

  2. 宽禁带Ⅲ族氮化物基半导体是20世纪束研究最活跃的半导体材料系，其高亮度发光二扳管和激光器一出l现即以惊人的速度实现了商品化

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2019-09-06
    • 文件大小：286kb
    • 提供者：weixin_38744207

  1. GaN基可调谐光栅外腔半导体激光器

  2. GaN基可调谐光栅外腔半导体激光器，陈少伟，吕雪芹，本文研制了Littrow结构的GaN基外腔半导体激光器，利用衍射光栅作为光反馈元件，在半导体激光器和衍射光栅之间形成耦合外腔，较好的�

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2019-12-29
    • 文件大小：217kb
    • 提供者：weixin_38724535

  1. GaN基半导体

  2. GaN基半导体材料研究进展 有关于半导体新型材料方面的研究

  3. 所属分类：项目管理

    • 发布日期：2013-12-18
    • 文件大小：331kb
    • 提供者：u011928148

  1. 电源技术中的市电程序调光LED路灯电源的开发与应用

  2. LED路灯     LED路灯即半导体照明灯，以发光二极管作为光源，因其是一种固态冷光源，具有环保无污染、耗电少、光效高、寿命长等特点，做成的LED路灯。     LED路灯与常规高压钠灯路灯不同的是，大功率LED路灯的光源采用低压直流供电、由GaN基功率型  大功率LED路灯照明蓝光LED与黄色荧光粉合成的高效白光二极管，具有高效、安全、节能、环保、寿命长、响应速度快、显色指数高等独特优点，可广泛应用于城市道路照明。外罩可用PC管制作，耐高温达135度，耐低温达-45度。     发光二

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-22
    • 文件大小：143kb
    • 提供者：weixin_38696458

  1. 显示/光电技术中的实验芯片大小和电极位置对GaN基LED特性的影响

  2. ＧａＮ基半导体材料近年来被广泛用于制造短波长的光电器件，如发光二极管（ＬＥＤｓ）和激光二极管（ＬＤｓ）。目前有关ＧａＮ材料生长报道和文献较多，有关芯片制造方面有少量报道还仅局限在ＧａＮ的刻蚀和欧姆接触，具体到工程设计方面的技术报道很少。本文研究讨论了芯片版图设计对ＧａＮ基ＬＥＤ性能的影响，可为针对不同性能要求选择芯片版图提供参考。 　　１ 实验 　　我们使用的材料为用ＭＯＣＶＤ方法在蓝宝石衬底上生长的蓝色ＧａＮ基ＬＥＤ外延片，外延片为多量子阱结构。芯片制造中，ｎ欧姆接触电极采用Ｔｉ／Ａｌ／Ｔ

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-05
    • 文件大小：55kb
    • 提供者：weixin_38544978

  1. 元器件应用中的意法半导体和Velox联合推出电源用GaN肖特基二极管

  2. 意法半导体(ST)和Velox半导体公司宣布在市场上联合推出GaN(氮化镓)肖特基二极管的合作销售协议。成为市场上公认的GaN肖特基二极管双货源供应商是两家公司共同的长远目标。GaN二极管使设备厂商能够设计和制造尺寸更小、效率更高、成本更低的计算机、消费电子和工业产品用开关电源(SMPS)。 　　两家公司都认为ST和Velox的互补性技能将会加快关键技术的开发，提高合作项目的成功概率，让双方筹借到所需的资金，提高产品的数量和质量。Velox正在开发600V的GaN肖特基二极管，目前新产品已进

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-12-02
    • 文件大小：52kb
    • 提供者：weixin_38553466

  1. 元器件应用中的ST和Velox联合推出电源用GaN肖特基二极管

  2. 成本更低、尺寸更小的功率校正电路推动笔记本电脑、消费电子及工业电源应用 　　意法半导体（纽约证券交易所：STM) 和Velox半导体公司宣布在市场上联合推出GaN（氮化镓）肖特基二极管的合作销售协议。成为市场上公认的GaN肖特基二极管双货源供应商是两家公司共同的长远目标。GaN二极管使设备厂商能够设计和制造尺寸更小、效率更高、成本更低的计算机、消费电子和工业产品用开关电源(SMPS)。 　　两家公司都认为ST和Velox的互补性技能将会加快关键技术的开发，提高合作项目的成功概率，让双方筹借到所需

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-12-06
    • 文件大小：62kb
    • 提供者：weixin_38688956

  1. 转移基板材质对Si衬底GaN基LED芯片性能的影响

  2. 在Si衬底上生长了GaN基LED外延材料,分别转移到新的硅基板和铜基板上,制备了垂直结构蓝光LED芯片。研究了这两种基板GaN基LED芯片的光电性能。在切割成单个芯片之前,对大量尺寸为(300 μm×300 μm)的这两种芯片分别通高达1 A的大电流在测试台上加速老化1 h。结果显示,铜基板Si衬底GaN基LED芯片有更大的饱和电流,光输出效率更高,工作电压随驱动电流的变化不大,光输出在老化过程中衰减更小。铜基板芯片比硅基板芯片可靠性更高,在大功率半导体照明器件中前景诱人。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-03-04
    • 文件大小：542kb
    • 提供者：weixin_38661939

  1. GaN / AlGaN耦合量子点中的电子和杂质态：电场和静水压力的影响

  2. 在有效质量近似的基础上，考虑到电场的综合影响，对位于共混锌（ZB）GaN / AlGaN对称耦合量子点（SCQD）表面的杂质的基态施主结合能进行了变化研究右边（沿着生长方向）和静水压力。 数值结果表明，如果中间势垒宽度较大，则杂质位于左点内，施主结合能对ZB GaN / AlGaN SCQD的中间势垒宽度不敏感。 静水压力增加了任何电场和杂质位置的供体结合能。 此外，静水压力对位于左点内的杂质的供体结合能具有显着影响。 此外，还详细研究了电场与静水压力（电场与量子约束之间）对ZB GaN / A

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-02-23
    • 文件大小：319kb
    • 提供者：weixin_38656226

  1. 450 nm GaN基半导体激光器腔面反射率的优化

  2. 分析腔面反射率对GaN基半导体激光器斜率效率和输出功率的影响,并对出射波长为450 nm的激光器进行实验验证。结果表明,对于非对称谐振腔结构,通过优化腔面反射率,可以抑制空间烧孔非线性效应,提高器件的微分量子效率和最大输出功率。当前腔面反射率为5%时,斜率效率大于1.3 W·A

  3. 所属分类：其它

  1. 半导体照明中的非成像光学及其应用

  2. 以GaN基功率型发光二极管(LED)为代表的半导体照明光源, 具有其他传统光源无法比拟的诸多优点, 被公认为21世纪最有价值的新型光源。充分发挥功率型LED的优势, 利用非成像光学进行面向实际应用的功率型LED封装光学系统设计, 以高端半导体照明光源的制造为突破点, 带动整个半导体照明产业的快速进步, 已成为半导体照明技术发展的战略选择。回顾了非成像光学的历史、研究进展以及在半导体照明中的应用, 并通过设计实例, 介绍了面向功率型LED光线耦合、二维给定光分布以及三维给定光分布问题的非成像光学系

  3. 所属分类：其它

  1. “半导体激光器”专题 前言

  2. 自1962年第一只半导体激光器成功问世以来，这种尺寸仅为毫米量级的芯片已经广泛应用于光纤通信、激光存储、激光制造、激光成像、激光打印、激光武器等现代科学技术的各个方向，成为现代工业的变革性力量，是各国高科技领域竞争的制高点，是“新型基础设施建设”中的核心。在国家多个科技计划支持下，我国科研人员先后实现了波长覆盖600~1550 nm的GaAs和InP半导体激光器产业化，且随着宽禁带GaN材料外延技术的不断进步，又先后实现了蓝光和绿光波段激光器的室温激射，并正向紫外方向拓展。在长波方向，基于能带剪

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-01-26
    • 文件大小：296kb
    • 提供者：weixin_38744435

  1. GaN基半导体材料的157 nm激光微刻蚀

  2. 采用157 nm波长准分子激光,对LED-GaN半导体薄膜进行了刻蚀试验研究。探讨了GaN基半导体材料的基本刻蚀特性和刻蚀机理。结果表明,157 nm激光在能量密度高于2.5 J/cm2时,刻蚀速率可达50 nm/pulse以上。以低于16 Hz脉冲频率和高于0.25 mm/min的扫描速度进行激光直写刻蚀时,可以获得Ra30 nm以下的表面粗糙度。采用扫描刻蚀方法,可以加工出75°左右的刻蚀壁面。实验也证明157 nm激光在三维微结构加工方面具有较大的潜力。单光子吸收电离引起的光化学反应是15

  3. 所属分类：其它

  1. GaN基微波半导体器件分析和比较

  2. 宽禁带半导体材料氮化镓（GaN）以其良好的物理化学和电学性能成为继代元素半导体硅（Si）和第二代化合物半导体砷化镓（GaAs）、磷化镓（GaP）、磷化铟（InP）等之后迅速发展起来的第三代半导体材料。与目前绝大多数的半导体材料相比，GaN 具有独特的优势：禁带更宽、饱和漂移速度更大、临界击穿电场和热导率更高，使其成为令人瞩目的新型半导体材料之一。目前，GaN 基发光器件的研究已取得了很大进展[1~ 3] ，在国外工作于绿光到紫光可见光区内的GaN LED 早已实现了商业化[2]；国内多家单位成功

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-01-20
    • 文件大小：132kb
    • 提供者：weixin_38752459

  1. ACOM推出宽带多级硅基氮化镓 （GaN-on-Si） 功率放大器 （PA） 模块

  2. 美国马萨诸塞州洛厄尔 – 的半导体解决方案供应商MACOM Technology Solutions Inc. (“MACOM”) 宣布推出全新MAMG-100227-010宽带功率放大器 (PA) 模块，扩展其硅基氮化镓 (GaN-on-Si) 功率放大器 (PA) 产品组合。该宽带PA模块经过优化改良，适用于陆地移动无线电系统(LMR)、无线公共安全通信以及军事战术通信和电子对抗 (ECM) 领域。MAMG-100227-010 PA模块兼具50Ω 全匹配、 两级PA架构的高效设计，以及顶端

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-01-20
    • 文件大小：61kb
    • 提供者：weixin_38590456

  1. 基于GaN器件的驱动设计方案

  2. 氮化镓(GaN)是接近理想的半导体开关的器件，能够以非常高的能效和高功率密度实现电源转换。但GaN器件在某些方面不如旧的硅技术强固，因此需谨慎应用，集成正确的门极驱动对于实现性能和可靠性至关重要。本文着眼于这些问题，给出一个驱动器方案，解决设计过程的风险。 　　正文 　　氮化镓(GaN)HEMT是电源转换器的典范，其端到端能效高于当今的硅基方案，轻松超过服务器和云数据中心严格的80+规范或USB PD外部适配器的欧盟行为准则Tier 2标准。虽然旧的硅基开关技术声称性能接近理想，可快速、低损

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-01-20
    • 文件大小：251kb
    • 提供者：weixin_38582506

  1. MACOM推出宽带多级硅基氮化镓 （GaN-on-Si） 功率放大器 （PA） 模块 具备灵活安装性能，实现

  2. 10W全匹配两级功率放大器，频率范围为225 - 2600 MH·可灵活安装于设备的顶端或底端安装，简化无线电设备设计，更小、更轻·MACOM的MAMG-100227-010功率放大器现已正式发售2019年2月14日，美国马萨诸塞州洛厄尔 – 的半导体解决方案供应商MACOM Technology Solutions Inc. (“MACOM”) 宣布推出全新MAMG-100227-010宽带功率放大器 (PA) 模块，扩展其硅基氮化镓 (GaN-on-Si) 功率放大器 (PA) 产品组合。该

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-01-19
    • 文件大小：63kb
    • 提供者：weixin_38648309

  1. 实验芯片大小和电极位置对GaN基LED特性的影响

  2. ＧａＮ基半导体材料近年来被广泛用于制造短波长的光电器件，如发光二极管（ＬＥＤｓ）和激光二极管（ＬＤｓ）。目前有关ＧａＮ材料生长报道和文献较多，有关芯片制造方面有少量报道还仅局限在ＧａＮ的刻蚀和欧姆接触，具体到工程设计方面的技术报道很少。本文研究讨论了芯片版图设计对ＧａＮ基ＬＥＤ性能的影响，可为针对不同性能要求选择芯片版图提供参考。 　　１ 实验 　　我们使用的材料为用ＭＯＣＶＤ方法在蓝宝石衬底上生长的蓝色ＧａＮ基ＬＥＤ外延片，外延片为多量子阱结构。芯片制造中，ｎ欧姆接触电极采用Ｔｉ／Ａｌ／Ｔ

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-01-19
    • 文件大小：54kb
    • 提供者：weixin_38713801

  1. 量子点荧光微球的合成及其应用

  2. 一、引言半导体照明是一种基于大功率高亮度发光二极管（Light Emitting Diode，LED）的新型照明技术。相比传统照明光源，白光发光二极管（WLED）具有耗电量少、发光效率高、可靠性高、安全环保、寿命长等特点。在当今环境污染日益严重，气候变暖和能源日益紧张的背景下，半导体照明技术已经被公认为是21世纪发展前景的高技术领域之一。在半导体照明领域，在高显色性（Ra＞90）同时获得高光效，并且获得像自然光一样自然、舒适的照明效果是LED业界一直追求的目标，也是LED照明产品能否被消费者广泛

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-01-19
    • 文件大小：106kb
    • 提供者：weixin_38628243
« 12 »