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  1. 决策支持系统(DSS)介绍

  2. DSS的概念 1. DSS的产生与发展、DSS的功能与定义、 DSS与MIS的关系等 DSS的组成 . DSS的概念模式、 DSS的结构 、人机对话子系统、数据库子系统 、模型库子系统 等 智能决策支持系统(IDSS) 群决策支持系统
  3. 所属分类:专业指导

    • 发布日期:2010-06-18
    • 文件大小:133kb
    • 提供者:liuf0704
  1. 模拟电子技术基础 童诗白 试卷

  2. 广东工业大学 一个MOS管的转移特性曲线如下图所示,试问:(6分) (1)它是增强型还是耗尽型?N沟道还是P沟道的场效应管? (2)它的夹断电压VP;和饱和漏电流IDSS各是多少?
  3. 所属分类:专业指导

    • 发布日期:2011-03-15
    • 文件大小:216kb
    • 提供者:momoniuniu
  1. 异步电机矢量控制磁链观测

  2. 磁通观测说明: ///////////////////////////0519主要程序 flux_d=flux_d_o+T*(edss+20*reg3*cos_theta-20*flux_d_o); flux_q=flux_q_o+T*(eqss+20*reg3*sin_theta-20*flux_q_o); ///////////////磁通的大小在0.3-0.8之间 if(flux=0.8) reg3=0.8; end if(flux=1)) reg3=abs(we); if(we>
  3. 所属分类:电信

    • 发布日期:2012-02-29
    • 文件大小:137kb
    • 提供者:cx6721357
  1. 智能决策支持系统的概论

  2. 主要介绍了从决策支持系统到智能决策支持系统(IDSS)的发展记忆智能决策支持系统的基本概念,结构,发展现状和瓶颈和未来的发展趋势.
  3. 所属分类:专业指导

    • 发布日期:2008-12-21
    • 文件大小:100kb
    • 提供者:yyuuyyuu
  1. 本文介绍了DSS决策支持系统相关理论及决策的意义。决策者依据决策来指导工作,

  2. 决策支持系统概述 摘要:本文介绍了DSS决策支持系统相关理论及决策的意义。决策者依据决策来指导工作, 预测本部门事业未来,高效地控制企事业行为,帮助部门实现规划目标 关键词:决策支持;辅助;智能 。1,决策支持系统(DSS,Decision Support System)是以管理科学、运筹学、控制论和行为科 学为基础,以计算机技术、人工智能技术和信息技 术为手段,智能化地支持决策活动的计算机系统。 决策支持系统通过人机对话进行分析、比较和判 断,识别问题,建立或修改模型,帮助决策者明确 决策目
  3. 所属分类:专业指导

    • 发布日期:2009-01-07
    • 文件大小:31kb
    • 提供者:longmarcher
  1. Intrusion Detection: Network Security beyond the Firewall

  2. Introduction Preface Acknowledgments PART 1—Before Intrusion Detection: Traditional Computer Security Chapter 1—Intrusion Detection and the Classic Security Model Back to Basics: The Classic Security Model Goals of Computer Security Learn to Ask Tou
  3. 所属分类:Access

  1. 芯片测试的几个术语及解释.docx

  2. CP是把坏的Die挑出来,可以减少封装和测试的成本。可以更直接的知道Wafer 的良率。FT是把坏的chip挑出来;检验封装的良率。 现在对于一般的wafer工艺,很多公司多把CP给省了;减少成本。 CP对整片Wafer的每个Die来测试 而FT则对封装好的Chip来测试。 CP Pass 才会去封装。然后FT,确保封装后也Pass。 WAT是Wafer Acceptance Test,对专门的测试图形(test key)的测试,通过电参数来监控各步工艺是否正常和稳定; CP是wafer le
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2019-09-13
    • 文件大小:18kb
    • 提供者:weixin_38744207
  1. NIST SP800-31.pdf

  2. Intrusion detection systems (IDSs) are software or hardware systems that automate the process of monitoring the events occurring in a computer system or network, analyzing them for signs of security problems. As network attacks have increased in nu
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-02-14
    • 文件大小:851kb
    • 提供者:samsho2
  1. 6种最常用恒流源电路的分析与比较

  2. 类型2,这是使用运放与Vref(2.5V)一体化的并联稳压器电路,由于这种电路的Vref高达2.5V,所以电源利用范围较窄 类型3,这是用晶体管代替运放的电路,由于使用晶体管的Vbe(约0.6V)替代Vref的电路,因此,Vbe的温度变化毫无改变地呈现在输出中,从而的不到期望的精度 类型4,这是利用对管补偿Vbe随温度变化的电路,由于检测电压也低于0.1V左右,应此,电源利用范围很宽 类型5,这是利用J-FET的电路,改变Rgs 可使输出电流达到漏极饱和电流IDSS,由于噪声也很小,因此,在噪声
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2019-03-04
    • 文件大小:434kb
    • 提供者:gufantj
  1. 负载开关的发展概况 Word 文档

  2. 功率MOSFET是一种具有良好开关特性的器件:导通时其导通电阻RDS(ON)很小;在关断时其漏电流IDSS很小。另外,它的耐压范围很宽,从几十V到几百V,漏极电源范围宽,从几A到几十A,所以非常适合作负载开关。
  3. 所属分类:专业指导

    • 发布日期:2010-08-05
    • 文件大小:137kb
    • 提供者:wopingchangxin
  1. 与万用表结合使用的FET VP、VOO检验器

  2. 电路的功能 场效晶体管漏极饱和电流IDSS和夹断电压VP等有很大差别,所以确定置偏很麻烦。虽然在生产厂已分了几种等级,但一个等级内仍有差别,如果在组装电路之前测量实际工作电流状态下的VP和VOS则比较方便。测量时,用转换开关选择电阻R1~3,设定工作电流,R值可用R=15/ID计算。 电路工作原理 在OP放大器反相放大电路中,使流过反馈回路的电流与输入电阻确定的电流相等,因此FET漏极电流EB由栅极电压VGS确定。即OP放大器A1构成伺服电路,用A1的输出控制反相输入端的电
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-07-16
    • 文件大小:46kb
    • 提供者:weixin_38674763
  1. 基于多学科技术的煤矿局部通风系统故障诊断方法

  2. 为了减少煤矿局部通风系统故障发生的概率和防止瓦斯超出标准限制,把可靠性分析、粗糙集理论、遗传算法(GA)和智能决策支持系统(IDSS)相结合来建立和发展煤矿局部通风系统的故障诊断方法。该故障树模型的建立及其可靠性分析把获取故障的主要症状和故障诊断规则进行了分析和发展。最后,通过一个矿井实例对该模型系统进行开发和展示。结果表明,该方法不但能迅速准确地找到煤矿局部通风系统产生故障的原因,而且可以减少局部通风系统故障诊断的困难。
  3. 所属分类:其它

  1. 关于场效应管的参数大全

  2. 直流参数 饱和漏极电流IDSS它可定义为:当栅、源极之间的电压等于零,而漏、源极之间的电压大于夹断电压时,对应的漏极电流。 夹断电压UP它可定义为:当UDS一定时,使ID减小到一个微小的电流时所需的UGS。 开启电压UT它可定义为:当UDS一定时,使ID到达某一个数值时所需的UGS。 交流参数 交流参数可分为输出电阻和低频互导2个参数,输出电阻一般在几十千欧到几百千欧之间,而低频互导一般在十分之几至几毫西的范围内,特殊的可达100mS,甚至更高。 低频跨导gm它是描述栅、源电压对漏极
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-07-13
    • 文件大小:87kb
    • 提供者:weixin_38687277
  1. 关于mos管参数解读

  2. mos管基本参数 Coss:输出电容Coss=CDS+CGD。 Ciss:输入电容Ciss=CGD+CGS(CDS短路)。 Tf:下降时刻。输出电压VDS从10%上升到其幅值90%的时刻。 Td(off):关断延迟时刻。输入电压下降到90%开端到VDS上升到其关断电压时10%的时刻。 Tr:上升时刻。输出电压VDS从90%下降到其幅值10%的时刻。 Td(on):导通延迟时刻。从有输入电压上升到10%开端到VDS下降到其幅值90%的时刻。 Qgd:栅漏充电(考虑到Miller效应)
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-07-13
    • 文件大小:66kb
    • 提供者:weixin_38724106
  1. 有关mos管的参数解读

  2. mos管基本参数 Coss:输出电容Coss=CDS+CGD。 Ciss:输入电容Ciss=CGD+CGS(CDS短路)。 Tf:下降时刻。输出电压VDS从10%上升到其幅值90%的时刻。 Td(off):关断延迟时刻。输入电压下降到90%开端到VDS上升到其关断电压时10%的时刻。 Tr:上升时刻。输出电压VDS从90%下降到其幅值10%的时刻。 Td(on):导通延迟时刻。从有输入电压上升到10%开端到VDS下降到其幅值90%的时刻。 Qgd:栅漏充电(考虑到Miller效应)
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-07-12
    • 文件大小:66kb
    • 提供者:weixin_38727579
  1. 模拟技术中的确定JFET特性的简单电路

  2. 当使用分立的JFET时,设计者可能需要将大量可变的器件参数与某个给定的晶体管型号相适应。一般会使用平方律方程,作为JFET漏极电流特性的一个近似模型:ID=β(VGS-VP)2,其中,ID是漏极电流,VGS是栅源电压,β是跨导参数,而VP是栅极的截止电压。与此近似,用下式可得栅源电压为0V时的零漂移漏极电压:IDSS=βVP2,其中IDSS是零漂移漏极电流。   图1是N沟道JFET的特性图,图中显示了一组器件可能的差异。例如,2N4416A数据表列出的截止电压为-2.5V~-6V,零漂漏极电
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-10-21
    • 文件大小:110kb
    • 提供者:weixin_38562085
  1. 元器件应用中的结型场效应管(JFET)的主要参数

  2. (1). 夹断电压VP   当vDS为某一固定值(例如10V),使iD等于某一微小电流(例如50mA)时,栅-源极间所加的电压即夹断电压。   (2). 饱和漏极电流IDSS   在vGS=0的条件下,场效应管发生预夹断时的漏极电流。 IDSS是结型场效管管子所能输出的最大电流。   (3). 直流输入电阻RGS   它是在漏-源极间短路的条件下,栅-源极间加一定电压时,栅-源极间的直流电阻。   (4). 低频跨导gm   当vDS为常数时,漏极电流的微小变化量与栅-源电压vGS
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-11-07
    • 文件大小:63kb
    • 提供者:weixin_38706747
  1. 电子测量中的仪器仪表放大器电路

  2. 放大器电路 如图1所示,721型分光光度计采用CD-7型真空光电管作为光电   转换元件,为了测量微弱的光电流变化,放大器以结型场效应晶体管3DJ6F(V12)作为输   入级,发挥了其高输人阻抗、低噪声的优势。同时,还选取了另一个与V12相匹配的结型 |场效应晶体管V13作为其恒流源,因此该级实际上是一个源极跟随器。   图1  放大器电路   由于两管特性匹配、偏置对称,所以V13能够有效地消除V12的栅-源电压失调漂移。   在挑选V12时不但IDSS应匹配,同时应注意IDS
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-11-13
    • 文件大小:88kb
    • 提供者:weixin_38669618
  1. 元器件应用中的场效应管的主要特性参数

  2. 一、直流参数  1.夹断电压UP  在UDS为某一固定值的条件下,使ID等于一个微小电流值(几微安)时,栅极上所加偏压UGS就是夹断电压。它适用于结型场效应管及耗尽型绝缘栅型场效应管。  2.开启电压UT  在UDS为某一固定值的条件下,使S极与D极之间形成导电沟道的UGS就是开启电压。它只适用于增强型绝缘栅型场效应管。  3.饱和电流IDSS  在UDS-O的条件下,漏极与源极之间所加电压大于夹断电压时的沟道电流称为饱和电流,它适用于耗尽型绝缘栅型场效应管。  4.直流输入电阻RGS     
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-11-23
    • 文件大小:27kb
    • 提供者:weixin_38669093
  1. 元器件应用中的场效应管(mosfet)参数符号意义

  2. Cds---漏-源电容  Cdu---漏-衬底电容  Cgd---栅-源电容  Cgs---漏-源电容  Ciss---栅短路共源输入电容  Coss---栅短路共源输出电容  Crss---栅短路共源反向传输电容  D---占空比(占空系数,外电路参数)  di/dt---电流上升率(外电路参数)  dv/dt---电压上升率(外电路参数)  ID---漏极电流(直流)  IDM---漏极脉冲电流  ID(on)---通态漏极电流  IDQ---静态漏极电流(射频功率管)  IDS---漏源电
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-11-22
    • 文件大小:36kb
    • 提供者:weixin_38731199
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