基于1T1MTJ的自旋转移矩-磁随机存储器(STT-MRAM)提出了一种改进型存内位逻辑计算方案。该方案通过精简2T2MTJ存内位逻辑运算方案提升了存储阵列密度，通过互补型读出电路增加了“与非”和“或非”的运算功能。此外，还通过增加支路电压稳定电路的方法，提出了一种适用于上述方案的改进型高速灵敏放大器。基于中芯国际55 nm LL逻辑工艺的仿真结果表明，相较于传统的灵敏放大器，该方案不仅读取速度提升了33%，在适配大型存储阵列(CB≥0.8 pF)时还拥有更强的读取能力与更优的功率积(PDP)。
