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  1. Simple Linear Work Suffix Array Construction

  2. Abstract. A suffix array represents the suffixes of a string in sorted order. Being a simpler and more compact alternative to suffix trees, it is an important tool for full text indexing and other string processing tasks. We introduce the skew algor
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2009-05-11
    • 文件大小:188kb
    • 提供者:xibuniuzai1987
  1. PRAM模型英文论文

  2. 作者:S. Fortune and J. Wyllie. 论文名称:Parallelism in random access machines 作者在这篇论文中提出了PRAM模型
  3. 所属分类:Access

    • 发布日期:2009-07-14
    • 文件大小:448kb
    • 提供者:yangguos
  1. 12864数字温度计

  2. #include "lcd12864.h" #include "zimo.h" void lcd_cmd_wr(unsigned char cmdcode,right); void lcd_dat_wr(unsigned char ldata,right); void lcd12864_init(void); void lcd12864_clr(void); void loop_lcd_is_busy(unsigned char right); void lcd_asci_wr(uchar p
  3. 所属分类:C/C++

    • 发布日期:2010-05-11
    • 文件大小:96kb
    • 提供者:mrreny
  1. A PRAM and NAND Flash Hybrid Architecture

  2. 一篇不错的介绍一种混合架构的存储系统的论文,是英文版的,我已经翻译成中文版的了,有兴趣的话可以下中文版看看,我也会上传。
  3. 所属分类:Java

    • 发布日期:2012-01-26
    • 文件大小:4mb
    • 提供者:ivyzhang4281
  1. 并行算法-PRAM模型

  2. 随着并行处理硬件性能的迅速提高,人们对并行算法的兴趣也日益增加。所谓并行算法是指一次可执行多个操作的算法。对并行算法的研究现在已发展为一个独立的研究领域。很多用串行算法解决的问题也已经有了相应的并行算法。在本文中,我们将阐述一些简单的并行算法以说明一些基本概念和技术。
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2008-10-18
    • 文件大小:37kb
    • 提供者:filmbob
  1. 基于FPGA的NES游戏机系统,附带超级玛丽,坦克大战,吃豆等11个游戏

  2. 首先先大致解释一下NES游戏机(即我们俗称的“小霸王”)的构成以,NES使用6502的CPU以及一块专门负责显示的PPU,两者均可寻址16K的内存,但实际内存没有这么多。CPU能访问的两块内存分别为程序段ROM,以及运行时所需的RAM。PPU能够访问三块内存,分别为图案表VROM,命名表SRAM,和精灵表PRAM......详细请点击这里http://www.amobbs.com/thread-4011489-1-1.html
  3. 所属分类:嵌入式

    • 发布日期:2014-06-17
    • 文件大小:1mb
    • 提供者:chinaszyszy
  1. 计算机算法(C++语言描述)(第2版)

  2. 前言 如果我们预挑出计算机科学中那些影响长久的贡献,算法(algorithm)一定位列其中。自从人类发明了可以执行基本数学运算的机器,什么是可以计算的以及如何计算就成为人们一直研究的课题。伴随此项研究,人们发现了大量的重要算法以及设计方法。算法成为计算机科学领域中的一项重要组成部分。本书的目的就是对有关算法的内容精心地组织,从而使得使用本书的同学以及实践者可以设计和分析全新的算法。 一本包含所有已发明的算法的书将会异常冗长。传统的算法书通常只对很少的几个问题领域有深入的阐述。对于每个问题,通常
  3. 所属分类:C++

    • 发布日期:2015-12-31
    • 文件大小:125mb
    • 提供者:hx0_0_8
  1. Apacer AH223 16G优盘专用固件(修复U盘用).rar

  2. 软件介绍: Apacer AH223 16G 专用固件--U盘修复用使用U盘为Apacer AH223 16G;若量产失败或刷错固件,请以所附之固件与烧錄文件重刷,即可救回U盘具体方法:必要时应短接,让电脑重新认出U盘;而后以3.16重刷固件,再重新量产即可。....................................................................PNP设备ID:  VID = 13FE    PID = 3100设备序列号:  27A19411设
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2019-09-04
    • 文件大小:55kb
    • 提供者:weixin_38743506
  1. dsPIC33CH512MP508系列中文数据手册.pdf

  2. dsPIC33CH512MP508系列 具有高分辨率PWM和CAN灵活数据速率(CAN FD)的 48/64/80引脚双核16位数字信号控制器 工作条件 • 3V至3.6V, -40°C至+125°C: - 主内核: 180 MHz时最高为90 MIPS - 从内核: 200 MHz时最高为100 MIPS 内核:双核16位dsPIC33CH CPU • 主/从内核工作 • 主内核与从内核的外设独立 • 主内核与从内核具有可配置的共用资源 • 主内核具有256-512 KB
  3. 所属分类:硬件开发

    • 发布日期:2020-01-14
    • 文件大小:5mb
    • 提供者:woshlj2008
  1. mc8051_bootstrap_ug.pdf

  2. 8051 IP核 Bootstrap Demo Design User Guide 很好的资料 General Descr iption The following program allows the MC8051 microcontroller to load most of its code into a part of the external data memory (XRAM) over a serial link after power up. This program can
  3. 所属分类:嵌入式

    • 发布日期:2020-06-07
    • 文件大小:105kb
    • 提供者:a854619267
  1. ISSCC 2012 所有

  2. Name ---- ISSCC2012 - Digest.doc ISSCC2012 - Digest.pdf SC 1 - Ultra-low Power - Ultra-low Voltage Analog Circuit Design.pdf SC 2 - Power limits for Amplifiers and Filters.pdf SC 3 - Energy Limits in Current AD Converter Architectures.pdf SC 4 - Low-
  3. 所属分类:电信

    • 发布日期:2020-06-29
    • 文件大小:336mb
    • 提供者:weixin_44035342
  1. 存储/缓存技术中的新一代存储技术特点、比较和研发进展介绍

  2. 近十年来,在高速成长的非易失性存储器(NVM)市场的推动下,业界一直在试图利用新材料和新概念发明一种更好的存储器技术,以替代闪存技术,更有效地缩小存储器,提高存储性能。目前具有突破性的存储技术有铁电RAM(FRAM)、磁性RAM(MRAM)、相变RAM(PRAM)或其他相变技术。本文将分别介绍这些技术的特点、比较和研发进展。   新一代存储技术显现   “多、快、省”特点   MRAM是一种非易失性磁性随机存储器。它拥有静态随机存储器(SRAM)的高速读取写入能力及动态随机存储器(DRAM
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-10-16
    • 文件大小:86kb
    • 提供者:weixin_38608873
  1. 嵌入式系统/ARM技术中的全球首款三星多芯片封装相变存储颗粒将被出货

  2. 相变存储技术看来终于要走出实验室,走向市场了。继Numonyx宣布出货Omneo系列相变存储芯片后,三星电子近日也宣布,推出全球首款多芯片封装(MCP)PRAM相变存储颗粒产品。   三星     三星,韩国最大的企业集团三星集团的简称,该集团包括44个下属公司及若干其他法人机构,在近70个国家和地区建立了近300个法人及办事处,员工总数19.6万人,业务涉及电子、金融、机械、化学等众多领域。除此之外三星还是我国古代的天文星象和纹饰。   相变存储属于非易失性存储技术,可以像闪存那样在关机后继
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-10-21
    • 文件大小:45kb
    • 提供者:weixin_38680393
  1. 网格环境下二叉树后序遍历的一种并行算法

  2. 本文运用网格环境下的并行计算模型G-PRAM来研究二叉树的后序遍历问题,提出了二叉树后序遍历的一种并行算法,并给出示例和说明。
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-10-26
    • 文件大小:181kb
    • 提供者:weixin_38612909
  1. 铁电随机存取存储器

  2. FRAM是半导体技术的新发展。顾名思义,FRAM不像RAM那样的易失性。相反,它不需要用电源来保持数据。在FRAM里是利用铁电材料的特性来存储数据的,结构与EEPROM的结构相类似,而只是在控制栅和浮动栅之间具有铁电物质,FRAM单元的剖视图见1所示。   图1 以0.5μm技术制造的FRAM单元的剖视图(左边的两个浅色的矩形是在半导体  表面的控制引线;右边的水平矩形是实际的FRAM单元,在两个电极之间看到的  暗层是铁电材料。PRAM单元的宽度大约为2μm,由富士通公司提供)   F
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-11-14
    • 文件大小:84kb
    • 提供者:weixin_38586186
  1. 存储器类型

  2. 除处理器之外,各种类型的存储器是微控制器中最重要的单元,它们用于存储程序代码和数据。由于智能卡微控制器是一个完整的计算机,因而其内部存储器根据其特性分类为RAM、ROM和EEPROM,更精确的划分参见图1。在任何情况下,总是努力把RAM和EEPROM做到尽可能小些。   图1  智能卡微控制存储器分类图(PROM和EPROM在现代微控制器里已不  再使用;Flash EEPROM和PRAM是用于智能卡早期开发的存储器类型)   对于多应用智能卡,它可以同时管理几个应用。最常用的芯片中RO
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-11-14
    • 文件大小:135kb
    • 提供者:weixin_38552871
  1. 比普通闪存快30倍 三星发布新型闪存芯片PRAM

  2. 据外电报道,三星电子公司周一发布了一种新型闪存芯片,据称这种新内存可更快储存新数据,从而可使数码设备工作更快。        新产品属于阶段变化随机读取内存(PRAM),芯片是非易失性的,这意味着这种内存即便在电子设备关闭时仍能保存数据。三星公司称,新产品比现行普通闪存快30倍以上。        三星说,新内存有望在2008年上市。本周一在首尔召开的新闻发布会上,三星公司展示了512MB容量的原型PRAM芯片。        当前电子设备广泛使用的非易失性闪存有两种—NOR和NAND。    
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-11-27
    • 文件大小:36kb
    • 提供者:weixin_38618094
  1. CAMPHOR:SV来电者,可长时间阅读-源码

  2. 樟 SV来电者,可长时间阅读 概述 提取的读物表明来自bam文件的SV的存在 确定SV候选人 使用重复信息和支持读取次数过滤SV候选对象 要求 python3 python的pysam模块 numpy模块 Perl samtools(0.1.18版或更高版本) 输入文件 两个bam文件(一个bam按读取名称排序,另一个bam按基因组坐标排序) 按基因组坐标排序的bam文件的索引文件(.bai) 序列数据的Fastq文件 如果环境中未安装samtools,则可以在配置文件(pram.conf
  3. 所属分类:其它

  1. 首款三星多芯片封装相变存储颗粒将被出货

  2. 相变存储技术看来终于要走出实验室,走向市场了。继Numonyx宣布出货Omneo系列相变存储芯片后,三星电子近日也宣布,推出首款多芯片封装(MCP)PRAM相变存储颗粒产品。   三星     三星,韩国的企业集团三星集团的简称,该集团包括44个下属公司及若干其他法人机构,在近70个国家和地区建立了近300个法人及办事处,员工总数19.6万人,业务涉及电子、金融、机械、化学等众多领域。除此之外三星还是我国古代的天文星象和纹饰。   相变存储属于非易失性存储技术,可以像闪存那样在关机后继续保持数
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2021-01-19
    • 文件大小:43kb
    • 提供者:weixin_38725426