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搜索资源列表

  1. 高压大功率器件

  2. 在一个p-n结中，所加的反向电压完全由耗尽层来承担，因此，高压大功率垂直结构器件需要很厚的轻掺杂的硅层来承担很高的反向击穿电压。目前，高压大功率器件的衬底材料主要有三种制备技术：高温三重扩散、气相外延和硅-硅直接键合技术。与厚外延技术相比较，硅-硅直接键合技术有独特的优势[41]：（1）避免了外延过程中的严重的自掺杂效应；（2）热消耗小，所用时间短；（3）硅层的质量好，厚度可以弹性大，杂质导电类型和浓度可以自由选择。硅-硅直接键合技术已经用于制造出高反向击穿电压（1800V）IGBTs[42]。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-12-09
    • 文件大小：70656
    • 提供者：weixin_38686041

  1. RakNet 网络库

  2. Raknet是一个基于UDP网络传输协议的C++网络库，允许程序员在他们自己的程序中实现高效的网络传输服务。通常情况下用于游戏，但也可以用于其它项目。 　　Radnet有以下特点： 　　l 高性能 在同一台计算机上，Raknet可以实现在两个程序之间每秒传输25，000条信息； 　　l 容易使用 Radnet有在线用户手册，视频教程。每一个函数和类都有详细的讲解，每一个功能都有自己的例程； 　　l 跨平台，当前Radnet支持Windows, Linux, Macs，可以建立在Visual St

  3. 所属分类：网络基础

    • 发布日期：2009-09-04
    • 文件大小：23068672
    • 提供者：rendao0563

  1. 320×256元InAs/GaSb II类超晶格中波红外双色焦平面探测器

  2. 报道了320×256元InAs/GaSb II类超晶格红外双色焦平面阵列探测器的初步结果.探测器采用PN-NP叠层双色外延结构,信号提取采用顺序读出方式.运用分子束外延技术在GaSb衬底上生长超晶格材料,双波段红外吸收区的超晶格周期结构分别为7 ML InAs/7 ML GaSb和10 ML InAs/10 ML GaSb.焦平面阵列像元中心距为30μm.在77 K时测试,器件双色波段的50%响应截止波长分别为4.2μm和5.5μm,其中N-on-P器件平均峰值探测率达到6.0×1010 cmH

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-03-17
    • 文件大小：735232
    • 提供者：weixin_38681301

  1. 设计由应用程序管理的授权

  2. 摘要本指南介绍为基于Microsoft:registered:.NET的单层或多层应用程序设计和编写由应用程序管理的授权的指导原则，主要讨论常见的授权任务和方案，并提供相应的信息帮助您选择最佳方法和技术。本指南适用于体系结构设计人员和开发人员。本指南假定读者已经了解Windows身份验证和授权、XMLWebService以及.NETRemoting等主题的基本知识。有关设计分布式.NET应用程序的详细信息，请参阅MSDN:registered:Library中的“DesigningApplica

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-03-05
    • 文件大小：478208
    • 提供者：weixin_38702417

  1. 具有集成GaAs微透镜的大功率大Kong径底部发射980 nm VCSEL

  2. 已制造出微透镜集成的底部发射980 nm垂直腔面发射激光器（VCSEL），发射窗口Kong径为400μm。 具有九个InGaAs-GaAsP量子阱和n型分布式布拉格反射器（n-DBRs）的反射率略有下降的新型材料结构可用于增加输出功率。 通过单步扩散限制湿法刻蚀技术在GaA.s基板上制造凸微透镜。 在横向氧化之后，活性层的直径为大约200μm，并且微透镜的标称直径为400μm。 在室温下连续波运行时，最大输出功率为200 mW。 单个器件在4A电流下的远场发散角theta（平行）和theta（垂

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-02-24
    • 文件大小：561152
    • 提供者：weixin_38732315

  1. 氧钝化硅基ZnO/纳米多孔硅柱状阵列异质结近白光LED的性能

  2. 设计并制备了结构为掺锡氧化铟(ITO)/氧化锌(ZnO)/纳米多孔硅柱状阵列(NSPA)/Si/Al 的纳米异质结发光二极管(LED)，实现了近白光电致发光(EL)。利用蒸气刻蚀技术，在P-Si表面制备NSPA层。对NSPA表面进行氧等离子体钝化处理，通过优化钝化参数改善了硅基NSPA的发光特性。在NSPA表面生长N型ZnO薄膜，得到ZnO/NSPA纳米异质结LED。实验结果表明，氧等离子体钝化处理能够有效地提高该器件的发光强度,并实现近白光发射。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-02-07
    • 文件大小：4194304
    • 提供者：weixin_38685793

  1. 一种抑制二倍频半波孔现象的短波通设计方法

  2. 短波通滤色片是光学系统,尤其是激光系统中普遍使用的一种薄膜，它的基本结构为（0.5LH0.5L）N。但薄膜的非均质性会产生半波孔现象，从而影响滤色片的光学特性。利用导纳技术分析了折射率非均质性产生半波孔现象的原因：非均质性使常规膜系基本周期内导纳轨迹的终点偏离起点；这种偏离越大，半波孔现象就越严重。优化了常规膜系的基本周期结构，通过在高低折射率膜层之间引入导纳匹配层，使得改良后的基本周期导纳轨迹的终点与起点偏差大大减小，提高了半波处的透射率，从而提出了一种可以抑制由非均质性引起的半波孔现象的短波

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-02-05
    • 文件大小：2097152
    • 提供者：weixin_38645133

  1. TC4钛/5052铝异种金属激光点焊工艺特性研究

  2. 利用波长为1070 nm, 最高输出功率为6 kW的连续式光纤激光器, 采用激光点焊技术, 对TC4钛合金/5052铝合金异种金属连接进行工艺特性研究。结果表明, 相同离焦量条件下, 激光功率较小时, 焊接过程中钛/铝接头会形成双熔池, 焊后下部铝合金出现缩孔, 并有气孔和裂纹产生; 增大激光功率, 钛熔化量增加, 液相钛流入焊缝形成钉扎状结构, 边缘处钛铝相互扩散反应, 生成近钛侧的TiAl2相和近铝侧的TiAl3相; 未流入熔合区的钛/铝界面生成TiAl3金属间化合物层, 且随激光功率的增加

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-01-25
    • 文件大小：18874368
    • 提供者：weixin_38655990

  1. 360度解析LED倒装芯片知识

  2. 什么是LED倒装芯片？近年来，在芯片领域，倒装芯片技术正异军突起，特别是在大功率、户外照明的应用市场上更受欢迎。但由于发展较晚，很多人不知道什么叫LED倒装芯片，LED倒装芯片的优点是什么？今天慧聪LED屏网编辑就为你做一个简单的说明。先从LED正装芯片为您讲解LED倒装芯片，以及LED倒装芯片的优势和普及难点。 　　要了解LED倒装芯片，先要了解什么是LED正装芯片 　　LED正装芯片是早出现的芯片结构，也是小功率芯片中普遍使用的芯片结构。该结构，电极在上方，从上至下材料为：P-GaN,发

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-01-20
    • 文件大小：100352
    • 提供者：weixin_38645862

  1. 如何解决CSP封装的散热难题？

  2. 什么是CSP？CSP（chip scale package）封装是指一种封装自身的体积大小不超过芯片自身大小的20％的封装技术（下一代技术为衬底级别封装，其封装大小与芯片相同）。为了达成这一目的，制造商尽可能的减少不必要的结构，比如采用标准高功率LED、去除陶瓷散热基板和连接线、金属化P和N极和直接在LED上方覆盖荧光层。根据Yole Développement 统计，CSP封装将在2020年占到高功率的34％。为什么CSP封装面临散热挑战？CSP封装被设计成通过金属化的P和N极直接焊接在印刷电

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-01-19
    • 文件大小：113664
    • 提供者：weixin_38559203

  1. 光反射谱测量

  2. 我们采用了MBE技术生长多量子阱结构，衬底材料为半绝缘GaAs。在生长时先在半绝缘衬底上生长一层N＋GaAs作为N型电极，紧接着在其上生长20.5个周期的AlAs／AlGaAsDBR，在DBR和多量子阱区之间生长N型和i型AlGaAs缓冲层，缓冲层的作用一方面是防止n区杂质渗入多量子阱吸收区，另一方面是由于在生长了DBR后，材料表面平整度较差，若在其上直接生长量子阱不易形成良好的界面，因此通过生长缓冲层作为过渡来调整界面。另外，改变缓冲层厚度也可调整ASFP腔的模式波长，缓冲层还可作为腐蚀阻挡型

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-01-19
    • 文件大小：29696
    • 提供者：weixin_38656226
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