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  1. 新中大服装行业成功应用案例

  2. 新中大i6系统财务解决方案采用N层结构、组件技术平台，面向服务的分析和设计方法，全面支持ORACLE、SQL SERVER等各大数据库，在精细化核算的基础上融入了大量当今最新的管理会计思想，使凌致时装经营管理者借助软件实现“规划未来，控制现在和评价过去”。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-07-08
    • 文件大小：33792
    • 提供者：weixin_38601446

  1. 紫外发光二极管的结构_紫外发光二极管技术特点

  2. 紫外发光二极管是指可发出波长约400nm的近紫外光的发光二极管（LED）。紫外光通常是用作识别钞票是否伪造，一些紫外发光二极管照明物在夜总会和派对上很受欢迎，它们被用来使荧光物质发出更亮的光。 紫外发光二极管的结构 它的基本结构是一块电致发光的半导体材料，置于一个有引线的架子上，然后四周用环氧树脂密封，起到保护内部芯线的作用，所以LED的抗震性能好。 发光二极管的核心部分是由P型半导体和N型半导体组成的晶片，在P型半导体和N型半导体之间有一个过渡层，称为PN结。在某些半导体材料的PN结

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-07-13
    • 文件大小：72704
    • 提供者：weixin_38618315

  1. 模拟技术中的简述LED芯片基础知识

  2. 一、LED历史 　　50年前人们已经了解半导体材料可产生光线的基本知识，第一个商用二极管产生于1960年。LED是英文light emitting diode（发光二极管）的缩写，它的基本结构是一块电致发光的半导体材料，置于一个有引线的架子上，然后四周用环氧树脂密封，起到保护内部芯线的作用，所以LED的抗震性能好。 　　发光二极管的核心部分是由p型半导体和n型半导体组成的晶片，在p型半导体和n型半导体之间有一个过渡层，称为p-n结。在某些半导体材料的PN结中，注入的少数载流子与多数载流子复合时会

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-22
    • 文件大小：103424
    • 提供者：weixin_38734269

  1. LED照明中的垂直结构LED晶片的详细介绍

  2. 由于蓝宝石基板的导热系数差，影响LED的发光效率。为了解决LED的散热难题，未来有可能将主要采用垂直结构LED的架构，促进LED产业的技术发展。关于垂直结构LED技术相信大家都有所耳闻，下面仅从技术表层进行介绍，谨供参考。 　　我们知道，LED芯片有两种基本结构，横向结构（Lateral）和垂直结构（Vertical）。横向结构LED芯片的两个电极在LED芯片的同一侧，电流在n-和p-类型限制层中横向流动不等的距离。垂直结构的LED芯片的两个电极分别在LED外延层的两侧，由于图形化电极和全部的

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-19
    • 文件大小：55296
    • 提供者：weixin_38683195

  1. 显示/光电技术中的LED背光源介绍

  2. LED的基本结构是一块发光半导体材料，其核心部分是由P型半导体和N型半导体组成的晶片，在P型半导体和N型半导体之间有一个过渡层，称为PN结。发光二极管的伏安特性与普通二极管相似，只是死区电压比普通二极管要大，约2V。它除了具有普通二极管的单向导电性外，还具有发光能力。当给LED加上∵定电压后，就会有电流流过管子，同时向外释放光子，根据半导体材料不同，发出不同颜色的光。例如，磷化镓LED发出绿色、$光，砷化镓LED发出红色光等。一般情况下，LED的正向电流为10～20mA，当电流在3～10mA时，

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-11
    • 文件大小：70656
    • 提供者：weixin_38671048

  1. LED电视技术大摸底：什么是LED电视

  2. 所谓LED电视，就是使用LED作为背光源的液晶电视，和传统液晶电视在技术原理上差别不大，只是采用的背光不同，传统液晶电视是CCFL光源，LED电视则采用LED光源。 　　LED的结构及发光原理 　　50年前人们已经了解半导体材料可产生光线的基本知识，第一个商用二极管产生于1960年。LED是英文light emitting diode(发光二极管)的缩写，它的基本结构是一块电致发光的半导体材料，置于一个有引线的架子上，然后四周用环氧树脂密封，起到保护内部芯线的作用，所以LED的抗震性能好。 　　

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-10
    • 文件大小：59392
    • 提供者：weixin_38699492

  1. 显示/光电技术中的LED结温产生的原因分析及对策

  2. 摘要：当电流流过LED元件时，P—N结的温度将上升，严格意义上说，就把P—N结区的温度定义为LED的结温。通常由于元件芯片均具有很小的尺寸，因此我们也可把LED芯片的温度视之为结温。 　　1、什么是LED的结温？ 　　LED的基本结构是一个半导体的P—N结。实验指出，当电流流过LED元件时，P—N结的温度将上升，严格意义上说，就把P—N结区的温度定义为LED结温。通常由于元件芯片均具有很小的尺寸，因此我们也可把LED芯片的温度视之为结温。 　　2、产生LED结温的原因有哪些？ 　　在LE

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-08
    • 文件大小：66560
    • 提供者：weixin_38680671

  1. 显示/光电技术中的集成光电探测器彩色传感器

  2. 图1给出了一种基于透射深度相关的强波长全硅彩色传感器结构阳。彩色传感器与所必需的电信号处理电路以双极工艺集成在一起。 　　P+-N型光电二极管采用在电阻率p＝6Ω·cm的N型外延层上注入硼形成。光电二极管的P＋阳极被轻掺杂的P型扩散保护环包围，其作用是提高P+-N结的反向击穿电压。对于彩色传感器来说，应用时需要在两个结构完全相同的光电二极管上分别加上不同的反向偏压。以使得它们的空间电荷区宽度有所差异，如图1所示中的d1和d2。彩色传感器的具体工作机理相当复杂。我们假设硅对蓝色光的吸收深度小于d

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-14
    • 文件大小：70656
    • 提供者：weixin_38702339

  1. 显示/光电技术中的光电晶体管

  2. 基区－集电区pn结面积被扩大了的NPN晶体管显然可以被用做光电晶体管，结构如图1所示［40］。 　　图1  一种纂于SBC工艺的光电晶体管 　　简单地说，双极工艺制作的光电晶体管利用基区－集电区pn结作为一个光吸收的耗尽层，并且将其光生电流放大。在标准埋层集电极（SBC）双极工艺中光电二极管的P区和NPN晶体管的P型基区是同一个P型区，而光电二极管的阴极和NPN晶体管的集电极都是由同一个N＋注入区构成，基极接触可以被省略。在基区－集电区pn结空间电荷区产生的电子－空穴对被加在结上的电场分

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-14
    • 文件大小：89088
    • 提供者：weixin_38650629

  1. 显示/光电技术中的双极工艺光电二极管

  2. 图1中给出了一种基于标准双极工艺的N+-p型光电二极管[36]，其中的N+区是由N+埋层以及插入的N+集电极注入形成，P区则是直接利用轻掺杂的P型衬底。图中N＋区与P＋区的间距为5 gm，N＋区的面积被定义为光电探测器的面积。 　　图1  双极工艺N+-P型光电二极管 　　这种结构能够高效地进行光电转换，在外加偏压为双极电路工作电压（4.2 V）时的量子效率η=30%°但是由于受前面叙述的耗尽区外光生载流子缓慢扩散的影响，其响应速度较慢。该探测器与一跨阻抗为1.8 kΩ的双极型前置放大器

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-14
    • 文件大小：63488
    • 提供者：weixin_38746387

  1. 显示/光电技术中的GaN PIN光电探测器结构

  2. 为了提高工作速度和响应度，往往采用PIN结构。PIN结构GaN紫外光电探测器具有以下优点：（1）由于高的势垒，因此有较低的暗电流；（2）工作速度高；（3）高阻抗适于焦平面阵列读出电路；（4）通过调整本征层的厚度可以调整其量子效率和工作速度；（5）器件可以在低偏压下或者零偏压下工作[12]。在PIN结构中，本征层起到了至关重要的作用，其厚度需要认真优化，因为它既影响了效率又影响了器件速度。图3－25是一种常见的GaN ΠN光电探测器结构四，首先在600°C下淀积⒛nm厚的低压缓冲层到蓝宝石称底，接

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-14
    • 文件大小：76800
    • 提供者：weixin_38663443

  1. 显示/光电技术中的光电PIN探测器

  2. 尽管这一材料体系的PIN通常只含有AlGaSb，但掺杂少量的砷能减少晶格失配。该材料用LPE方法在350～500＇C温度下生长在GaSb衬底上，较低的温度用来生长重掺杂P型，较高的温度用来生长N型，′通过用掺碲和掺锗的方法来实现N型和P型掺杂。 　　第一支该材料的二极管如图1（a）所示［14］，它具有GaSb/AlGaSb异质结构，量子效率达到了54%，响应波长为1 ptm到1.7 ptm。通过在异质结间加一层本征AlGaSb层实现PIN结构如图1（b）所示，同时响应波长降到了1.3 gm。图

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-14
    • 文件大小：82944
    • 提供者：weixin_38742927

  1. 显示/光电技术中的光电探测器基本结构

  2. 如图1（a）所示为PIN光电探测器基本结构，N型衬底上生长一层低掺杂本征层，在淀积的5102上开窗形成P型注入区。分别在N型衬底和表面做欧姆接触，其中表面的欧姆接触需要开窗以便于光线入射。为了减少入射表面的反射以提高器件外量子效率，需要在表面涂一层抗反射膜。在这种结构中P型注入区要比本征区薄得多，这样就能使大部分入射光在本征区被吸收，既提高了量子效率又提高了速度。 　　图1（b）为端面入射结构，P型和N型接触分别做在衬底上下表面而将入射光改为在端面入射。这种结构消除了表面入射结构产生的P型区域

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-14
    • 文件大小：63488
    • 提供者：weixin_38501810

  1. 显示/光电技术中的寄生双极型晶体管闩锁效应的影响

  2. 闩锁效应（Latch-Up Effect）。在N阱与P阱接触的地方存在着发生闩锁效应的危险。如图1中所示，存在于MOS晶体管结构中的两个寄生双极晶体管各自的基极分别与对方的集电极相连，形成了四层的晶闸管的结构。当其中一个晶体管的基－射结电压超过约0.6V时，晶问管将开启，从而导致yDD与yss短路，电路将失去功能。器件甚至可能被大电流所产生的热量所损坏。由于外延层掺杂浓度的减小，PNP晶体管基区Gummel值变小，相应的提高了PNP晶体管的电流增益。同时NPN晶体管的集电极的串联电阻Rev也会随

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-14
    • 文件大小：90112
    • 提供者：weixin_38517113

  1. 显示/光电技术中的空间调制光电探测器

  2. 一种利用标准CMOS工艺实现的旨在消除缓慢载流子扩散对探测器频率响应产生影响的空间调制光电探测器（Spatially-Modulated-Light Detector）结构被提出[57]，如图1（a）所示。由N+扩散和N阱形成六个叉指探测区域，N+扩散是为了减小接触电阻，3.5 gm厚的轻掺杂N阱作为吸收层，轻掺杂是为了增大耗尽层宽度同时使寄生电容减小。六个叉指探测区域中的三个被金属层覆盖以阻挡入射光，这三个叉指用金属连在一起作为“慢”探测器（Deferred Detector），剩下的三个也用

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-14
    • 文件大小：74752
    • 提供者：weixin_38723027

  1. 显示/光电技术中的工艺下集成光电探测器

  2. 集成的探测器BiCMOS工艺仅仅是为了制作集成性能更好的光电探测器；其中电路部分则不是决定性的因素。 　　图1  基于标准SBC BiCMOS工艺的PIN光电二极管 　　图1中介绍了—种基于0.6 gm标准SBC BiCMOS工艺的PIN光电二极管结构［71］。N＋埋层集电极用来做探测器的阴极，阳极由P＋源/漏注入形成，工艺中的N阱则用来形成PIN光电二极管的I层，其厚度仅有0.7 gm，因此，该探测器的量子效率不会太高。入射光波长为850 nm时，响应度只有0.07 A/W。对于波长较

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-13
    • 文件大小：55296
    • 提供者：weixin_38611527

  1. 显示/光电技术中的光反射谱测量

  2. 我们采用了MBE技术生长多量子阱结构，衬底材料为半绝缘GaAs。在生长时先在半绝缘衬底上生长一层N＋GaAs作为N型电极，紧接着在其上生长20.5个周期的AlAs／AlGaAsDBR，在DBR和多量子阱区之间生长N型和i型AlGaAs缓冲层，缓冲层的作用一方面是防止n区杂质渗入多量子阱吸收区，另一方面是由于在生长了DBR后，材料表面平整度较差，若在其上直接生长量子阱不易形成良好的界面，因此通过生长缓冲层作为过渡来调整界面。另外，改变缓冲层厚度也可调整ASFP腔的模式波长，缓冲层还可作为腐蚀阻挡型

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-13
    • 文件大小：32768
    • 提供者：weixin_38740144

  1. 电源技术中的晶体二极管及晶体管放大电路

  2. 半导体二极管及其特性 　　半导体二极管按其结构和制造工艺的不同，可以分为点接触型和面接触型两种。 　　点接触二极管是在P型硅晶晶体或N型锗晶体的表面上，安装上一根用钨或金丝做成的触针，与晶体表面接触而成，然后加以电流处理，使触针接触处形成一层异型的晶体。很据所用金属丝的不同，分别称之为钨键二极管和金键二极管。国产2APl一7和2APll—17型半导体二极管即属此类。但前者触针是钨丝，后者是金丝。 　　面接触型二极管多数系用合金法制成。在N型锗晶体的表面上安放上一块铟，然后在高温下使一部分锗

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-25
    • 文件大小：156672
    • 提供者：weixin_38751031

  1. 传感技术中的差动式光纤微弯传感器

  2. 1 引言 　　光纤微弯传感器是利用光纤弯曲变形引起纤芯或包层中传输的光载波强度变化这一原理制成的全光纤型传感器。它是1980年J．N．Fields和J．H．Cole首次提出的，已经广泛用于力、应变、位移、液位和温度等的检测。本文设计了一种差动式光纤微弯传感器，不仅可以用于测量拉(压)力、位移、应力、应变等的大小，还可以判断其方向，并对该传感器的特性进行了实验研究。 2 差动式光纤微弯传感器原理       传统的光纤微弯传感器一般只能测量力、位移、应力、应变等的大小，无法知道这些参量的方

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-24
    • 文件大小：49152
    • 提供者：weixin_38501751

  1. PCB技术中的双极集成电路中元件的形成过程和元件结构

  2. PN结隔离的制造工艺 （a） P-Si衬底（b）氧化（c）光刻掩模1 （d）腐蚀（e）N+埋层扩散（f）外延及氧化（g）光刻掩模2（i）P+隔离扩散及氧化在隔离岛上制作NPN型管的工艺流程及剖面图 双极集成电路中元件的形成过程和元件结构 由典型的PN结隔离的掺金TTL电路工艺制作的集成电路中的晶体管的剖面图如图1所示，它基本上由表面图形(由光刻掩模决定)和杂质浓度分布决定。下面结合主要工艺流程来介绍双极型集成电路中元器件的形成过程及其结构。典型的PN结隔离的掺金TTL

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-12-09
    • 文件大小：30720
    • 提供者：weixin_38576779
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